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格力电器公开“一种芯片静电防护电路”专利;据企查查官网显示,珠海格力电器股份有限公司近日新增多项专利信息,其中一项涉及保护电路技术领域。 这项名为“一种芯片静电防护电路”专利于2月19日公......
摩尔定律的进一步缩小,器件尺寸越来越小,结深越来越浅,GOX越来越薄,所以静电击穿越来越容易,而且在Advance制程里面,Silicide引入也会让静电击穿变得更加尖锐,所以几乎所有的芯片设计都要克服静电击穿......
越来越容易,而且在Advance制程里面,Silicide引入也会让静电击穿变得更加尖锐,所以几乎所有的芯片设计都要克服静电击穿问题。 静电放电保护可以从FAB端的Process解决,也可以从IC设计......
总线的应用范围广,在实际应用中,环境相当复杂,一些静电(ESD)、浪涌(Surge)等干扰很容易耦合到总线上,并直接作用于CAN总线接口。一般的CAN总线收发器芯片静电(ESD)、浪涌(Surge......
冷却和夹紧用的轴向导槽等电机制造和运行原因引起的不对称,产生交链转轴的交变磁通,在电机轴两端产生电位差。这种交流轴电压一般不会超过10V,但具有较大的能量。如果不采取有效措施,轴电压经过轴承系统形成一个回路,将产生很大的轴电流,导致电机的轴承系统发生电击穿。 ......
在设计应用中注意事项。本文引用地址:一、半导体器件击穿原理 PN结I-V曲线如图[1]所示: ●  PN结正向导通,反向截止; ●  反向电压超过一定限值VBR,器件发生电击穿; ●  正向导通时,电流超过一定限值(图示......
AD549数据手册和产品信息;AD549是一款单芯片静电计运算放大器,具有极低的输入偏置电流。输入失调电压和输入失调电压漂移经过激光校准,精度极高。该器件运用ADI公司开发的Topgate™......
的比较详细。 下拉电阻的作用有两个: A. 防止在静电作用下,电荷没有释放回路,容易引起静电击穿; B. MOS管在开关状态工作时,就是不断的给Cgs充放电,当断开电源时,Cgs内部......
体结构越微小,模拟和数字I/O引脚的阻抗越高,便越容易受到静电放电(ESD)的影响。可能的后果包括p/n结的热击穿、氧化物击穿(电介质击穿),以及金属化层的熔化。 目前......
心结构型MEMS芯片的封装方面,具有很好的借鉴参考及推广应用价值。 1   静电封接原理 静电封接是近几年半导体行业常用的封装技术,不用......
气体放电管都能起到很好的防护作用。其最大的特点是通流量大,级间电容小,绝缘电阻高,击穿电压可选范围大。 2、半导体放电管: 半导体放电管是一种过压保护器件,是利......
以说陶瓷气体放电管是应用最广泛的防雷器件,是因为无论是直流电源的防雷还是各种信号的防雷,陶瓷气体放电管都能起到很好的防护作用。其最大的特点是通流量大,级间电容小,绝缘电阻高,击穿......
RF接口电路静电ESD保护方案设计;RF接口,无线电射频接口,是目前家庭有线电视采用的接口模式。RF天线接口的成像原理是将视频信号和音频信号相混合编码后输出,在显示设备内部进行一系列分离/解码......
这个二极管决定了源极和漏极,这样,封装也就固定了,便于实用。 我的老师年轻时用过不带二极管的mos管,非常容易被静电击穿,平时要放在铁质罐子里,它的源极和漏极就是随便接。 解释5:金属氧化物膜 图中有指示,这个膜是绝缘的,用来......
-2RT5-E静电ESD保护二极管,单向、工作电压5V、击穿电压6V、峰值脉冲电流4A、钳位电压25V、SOT-563封装,能够有效地满足TWS无线蓝牙耳机静电保护防护需求。 具体参数详情,详见......
防止这种情况危及人身安全而设的接地。 2、防静电接地: 防止静电危险影响而将易燃油、天然气贮藏罐和管道、电子......
风扇使用情况,生产现场操作情况,非防静电物料进行隔离, 减少芯片静电损伤。 图2 芯片引脚EOS损伤QT2特性曲线及开封实物 ②液晶异常 部分线控器更换液晶正常, 对液晶进行分析发现液晶ITO(indium......
内部集成高边 NMOS 类型场效应管,MOSFET 导通内阻典型值 140mΩ。芯片静态电流仅 50μA,在休眠关闭模式下漏电流仅 2μA,非常适合电池供电的高压转低压应用,如车......
路仅使用了3个,为了防止干扰或被静电击穿导致整个CD4049损坏,把没有使用的那一侧的3个非门串起来做接地处理。当控制端输出一系列固定频率脉冲时,在压电陶瓷型超声波发射换能器UCM-40-T 上就......
膜层变成不良导体。但是,当触点压力太大时,就会发生机械击穿或高压电击穿膜层。对于一些小型Type-C防水母座,触点压力很小,只有MA和MV级,膜电阻不易穿透,可能影响电信号的传输。GB5095《电子......
场(即内建电场)。 8、肖特基二极管(Schottky, SBD)适用于高频开关电路,正向压降和反相压降都很低(0.2V)但是反向击穿电压较低,漏电流也较大。 9、抖动特性绝大部分取决于输出芯片......
于高频开关电路,正向压降和反向压降都很低(0.2V)但是反向击穿电压较低,漏电流也较大。 9、抖动特性绝大部分取决于输出芯片的特性,不过,如果 PCB 布线不当,电源......
在安全区域)。 14、因J-FET的Rgs很高,在使用时首先应注意无静电操作,否则很容易发生栅极击穿;另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数,不能超出范围。将J-FET......
因J-FET的Rgs很高,在使用时首先应注意无静电操作,否则很容易发生栅极击穿;另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数,不能超出范围。将J-FET当做......
值要高得多。 高电击穿场提供更高的击穿电压。该电压是击穿体二极管断开时的值,并且不断增加的电流在源极和漏极之间流动。PN结二极管的击穿电压与击穿电场成正比,与材料浓度成反比。 高电......
始维修之前,确保安全是至关重要的一步。 电路板上可能存在残留电压,直接接触可能会造成电击危险。 因此,断开......
接触压强过强时,膜层会发生机械击穿,或者在高压下发生电击穿。对于一些小体积的USB2.0接口来说,触点压力是很小的,使用场合仅为mA和mV级,膜层电阻不易被击穿,可能会影响到电信号的传输。GB5095......
备安全标准。 TH9110/TH9110A系列除了基本的交流、直流、绝缘电阻测试外,还增加了崩溃电压测试功能,可分析产品的击穿点电压,满足特定客户对产品高压可靠性检测的要求;同时具有开短路检测功能,解决......
结构 贴片是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。主要采用下图所示的积层结构,通过积层张数、层间的调整,可以控制击穿电压、静电容量。而是P型半导体和N型半导体结合而构成的,是硅基ESD防护器件。在二......
和英 (左) 器件虽小,作用尤大 SiC的介电击穿强度是传统Si(硅)的10倍,禁带宽度是Si的3倍,而且拥有更优异的散热特性,因而在显著降低功率损耗、实现应用设备的小型化、以及......
的市场份额。 ” Vitesco CEO Andreas Wolf (右) ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 (左) 器件虽小,作用尤大 SiC的介电击穿强度是传统Si(硅)的10倍,禁带......
的设计实现了超低的电荷注入(10pC)、低功耗(35µW)和大于2000V的静电放电(ESD)。44V最大击穿电压可实现轨到轨模拟信号处理能力。 这些单片开关采用单正电源(+10V至+30V)或双电源(±4.5V至±20V)工作......
出能力。 吉时利静电计6430源表实物照片 吉时利静电计Keithley 6430操作方法: 从面板按键可以看出,6430源表的主要功能是电压V、电流I、电阻R的测量,左边是测量功能设置区域,右边......
结构 贴片压敏电阻是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。主要采用下图所示的积层结构,通过积层张数、层间的调整,可以控制击穿电压、静电容量。而是P型半导体和N型半导体结合而构成的,是硅基ESD防护......
这种二次辐射效应也会让其他部分工作紊乱; 9、Layout走线必须遵守有效保护的原则 ;走线应该从接口处先走到TVS处,然后才能走到CPU等芯片处;远远地“挂”在信号线上的静电保护器件,会因......
的侵入,接收机的元件被击穿造成的。 可能是信号输入端的保护器被烧毁。 预防措施:对接入网络分析仪测试端的被测信号进行预测试。 完善防静电设施及步骤。 ......
耗(35µW)和超过2000V的静电放电(ESD)能力。同时,44V的最高击穿电压使这两种器件具有处理轨到轨模拟信号的能力。 这两种单片集成开关可采用单路正电源(+10V至+30V)工作......
,这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象,也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度~电流特性,即当管温度(或环......
体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降,这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿,这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象,也称为二次击穿......
温度升高是逐步下降,这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿,这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象,也称为二次击穿现象。MOS管具......
压敏电阻是一种主要基于氧化锌材料的陶瓷半导体产品。如下图所示,其采用了积层结构设计,可通过调整积层数量来控制击穿电压和静电容量。它是一种具有非线性伏安特性的电阻元件,当施加电压超过一定值时电阻值会急剧减少。而且......
增强效果。 导热膏将热量从A18芯片传递到这个散热器上。散热器上的橙色绝缘体防止其溢出到较小的组件上。  苹果公司显著改变了他们从主A18处理器散发热量的方法,采用了一种新的含铁散热器。在这张照片......
使用静电计测量仪表实现低电平高精准的测量;精准测量高范围电阻的方法 许多测试应用要求测量高级别材料的电阻率(面电阻率和体电阻率)。传统测量方法是对样本施加足够高的电压,测量流经样本的电流,然后......
线使用方法 ​ 在探讨屏蔽线的使用方法和接地策略时,我们需根据实际应用场景来做出选择。 首先,当外部环境存在强电流干扰时,若接地线截面积足够大,能够保证静电的最快放电,单点......
% VTREF, -40~125℃) ◆ 芯片温度测量:±5℃精度 ◆ 可配置的ADC后置数字低通滤波器 ◆ 支持母线电压连接和测量 ◆ 集成N FET用于电池被动均衡 -  每通道最大300mA均衡......
可以这么理解,把原子比作一台电扇,当风扇叶片静止时,可以说风扇内部大部分是空的,你能够安全的把手伸进去。但是当风扇运行时,就完全不同了,如果你还想把手伸进去,必然会遭到无情的伤害。 按照......
热点区域的温度升高 35°C,这可能会使 LBB 分层,终导致导体短路。更一般而言,dv/dt 增加的趋势会引发关键事件,例如局部放电 (PD) 和电击穿。因此,有必......
不导通 , 当出现倒灌时 Q5 Q6不导通 Q7导通 过流保护 ESP:静电放电(一般在芯片内部电路) ESD相关......
功率MOS管总烧毁,看看是不是这些原因?; mos 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障,例如过电压(半导体的雪崩击穿)、过电流(键合线或者衬底熔化)、过热(半导......
x 3.0 mm x 0.71 mm的封装里集成了3 轴加速度计和3轴陀螺仪:惯性UI模块,骨传导模块,Qvar静电传感器和MLC嵌入机器学习核心。能极大节省TWS内部空间,降低功耗,改善TWS人体......

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;上海颀普电子设备有限公司;;上海颀普电子设备有限公司专业从事静电消除器,静电棒,离子棒,防电击静电棒,放电极静电消除器
;若隐若现;;旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片翻新放大旧照片
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喷涂设备及零配件批发,(如:静电喷涂机、静电涂装设备、静电喷枪、各种静电喷枪枪壳、电路板、倍压模块、不锈钢粉桶、电击座(喷枪枪头)、粉泵(文丘里)实验喷枪等等。本产品防腐防锈,其性
;无锡市超缘电子有限公司;;本公司是专业生产放电管的企业,提供多种规格的气体放电二极管和三极管.本公司产品具有气密性好.机械强度高,反应速度快.准确的击穿电压.较高的耐工频脉冲电流的能力.静电
仪;QUV耐气候试验机;跌落试验机;摩擦试验机;恒温恒湿实验箱;老化试验机;荷重计;耐燃烧试验机;耐电击穿试验机;耐漏电起痕指数试验机;雾化试验机;RCA耐摩擦试验机;标准光源箱;泰伯摩擦试验机
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