资讯
进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。
随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET......
安世半导体与电子器件供应商合作，生产车规GaN功率模块(2022-05-23)
（Salzburg）签署了一项合作协议，携手研发车规氮化镓（GaN）功率模块。
安世半导体表示，双方长期保持着紧密的联系，此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车（EV）上的......
东芝在SiC和GaN的技术产品创新(2023-10-17)
东芝在SiC和GaN的技术产品创新;本文引用地址：1 、相比传统方案的优势
虽然硅功率器件目前占据主导地位，但（碳化硅）和（氮化镓）功率器件正日益普及。 功率器件具有出色的热特性，适用......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
Nexperia将于2021年9月21日-23日举办“Power Live”(2021-08-30)
Live’，这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功，本届为期三天的活动将扩大规模，涵盖与功率电子元件相关的众多主题，包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性......
瞄准尖端和高能芯片领域，总投资20亿的第三代半导体项目落地苏州(2021-12-28)
司拟在苏州高新区设立总部并作为未来上市主体，作为中欧半导体产业联动基地。
据“苏州高新区”介绍，蓝蕊半导体总部项目建设期为5年, 将围绕第三族氮化物大尺寸、非极性系列衬底及外延的规模量产和研发，预计总投资20亿元。现有技术可对标《中国......
清洗封装产品面临哪些挑战？(2023-08-21)
所有表面和间隙都能够被有效清洗。
2. 助焊剂变化
随着锡球尺寸的减小，助焊剂的比例增加。同时，助焊剂类型也在从极性助焊剂或半极性助焊剂向非极性助焊剂的发展。为了适应助焊剂的变化，清洗剂需要添加能够有效清洗非极性......
高效液相色谱仪的原理是什么_高效液相色谱仪检测项目(2023-05-10)
吸附色谱法
液固吸附色谱法中，固定相为固体吸附剂，根据各组分吸附能力差异而使组分得以分离。常用的吸附剂为硅胶或氧化铝，大多数用于非离子型化合物。吸附色谱固定相可以分为极性和非极性两大类。对流......
世界上最大的超6英寸GaN籽晶问世！(2022-03-17)
世界上最大的超6英寸GaN籽晶问世！;3月15日，日本丰田合成宣布与日本大阪大学（OsakaUniversity）成功研制出尺寸超6英寸的GaN籽晶，有助于GaN功率器件......
日本开发新技术，可实现GaN垂直导电(2023-11-15)
越化学特殊改进的QST（Qromis衬底技术）基板上仅剥离氮化镓（GaN）功能层，并将其粘合到不同材料的基材
该技术实现了GaN的垂直导电，有望为可控制大电流的垂直GaN功率器件的制造和商业化做出贡献。两家......
Shin-Etsu Chemical进一步推进QST®基板业务，促进在GaN功率器件中的应用(2023-09-06)
Shin-Etsu Chemical进一步推进QST®基板业务，促进在GaN功率器件中的应用;旨在为解决社会问题做出贡献
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.（总部：东京；社长......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
品质因数 (low resistance-versus-capacitance figure of merit) 及创纪录的高效率。
每一个氮化镓功率器件都源自耗尽型器件
图1展示......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
IGBT外，一些新型功率器件也广泛使用于数字电源中，如SiC MOSFET和氮化镓晶体管（GaN FET）等。SiC Mosfet管具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态......
模拟晶圆代工龙头X-FAB与国产SiC功率器件供应商派恩杰达成携手推动全球SiC产业(2021-09-07)
人黄兴博士师从IGBT之父B•贾扬•巴利加（B. Jayant Baliga），在Cree / RFMD(Qorvo) / UnitedSiC等有长达十年的SiC&GaN功率器件设计经验。由此......
切入电力电子器件，LED企业在GaN领域谋转型(2021-12-20)
切入电力电子器件，LED企业在GaN领域谋转型;随着氮化镓（GaN）功率器件市场份额逐渐增加，近年来GaN功率器件供应链参与者日益增多。从参与企业类型来看，除了英诺赛科、纳微半导体、聚能......
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期(2024-06-17)
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期;
功率半导体领域已有很多年未发生系统性技术变革，目前热门的宽禁带（WBG）功率器件已经开始占据自己所“擅长”的市场领域——（）功率器件......
新洁能拟定增募资不超14.5亿 用于第三代半导体功率器件等项目(2021-11-12)
新洁能拟定增募资不超14.5亿 用于第三代半导体功率器件等项目;11月11日晚间，无锡新洁能股份有限公司（以下简称“新洁能”）发布公告，拟定增募资不超过14.5亿元，用于第三代半导体SiC/GaN......
简单了解不同介质的薄膜电容(2023-03-07)
电容等是聚丙烯电容的一种。
智旭电子薄膜电容
聚苯乙烯电容，又称PS电容，是广泛应用的一种非极性介质电容器，以非极性的聚苯乙烯薄膜为介质制成。其电性能优良、介质损耗低、绝缘电阻高、电容......
闻泰科技IGBT加速研发，汽车市场布局全面展开(2022-09-28)
科技半导体业务主要由安世半导体负责，主要产品为功率器件，包括Mosfet、逻辑与晶体管等，同时公司正在布局IGBT、SiC、GaN等产品，并且来自汽车和工业需求持续增长，成为公司半导体业务增长的主要动力。
对于......
第三代半导体持续火热！金溢科技拟增资入股GaN功率厂商(2021-05-18)
完成后将持有深圳镓华11.25%的股权。受此消息刺激，截止目前其股价收获二连涨停板。
据悉，深圳镓华是一家专注于硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件研发、生产和销售的科技公司，该公司由在海外从事半导体行业25年和......
扩产！安世半导体新8英寸晶圆生产线启动(2021-06-24)
（安世半导体）是闻泰科技的子公司，分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商，其生产的产品包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及......
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-03)
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试;在泰克先进半导体开放实验室，2024年8月份，我们有幸见证了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化镓（GaN）功率器件......
一起模拟业务并购案，凸显出功率芯片大厂的孤注一掷(2023-08-28)
汽车是典型代表，由于市场空间广阔，SiC 几乎成为先进功率器件的代名词。而 GaN 则更倾向于在射频应用领域拓展，它在功率器件方面的拓展步伐不如 SiC，目前来看，更多的是在中小功率应用方面，典型......
IQE与VisIC Technologies合作开发新一代车用D-Mode氮化镓功率器件(2023-09-24)
IQE与VisIC Technologies合作开发新一代车用D-Mode氮化镓功率器件;9月19日，化合物半导体晶圆产品及先进材料解决方案供应商IQE宣布与汽车领域的氮化镓（GaN）功率......
赛微电子青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目主厂房封顶(2022-05-20)
2018年6月投资设立聚能晶源，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产。截至目前，作为赛微电子GaN业务一级平台公司，聚能创芯在6-8英寸硅基GaN外延晶圆、GaN功率器件......
SiC和GaN的技术应用挑战(2023-10-17)
制约SiC 和GaN 解决方案推广的挑战包括成本、开发经验等。
● 成本方面，SiC 功率器件因为生产工艺和良率等因素，其成本高于硅器件。但随着近年来技术、工艺和产能的持续改善，SiC 与硅器件......
2021年第三代半导体成长力道强劲，GaN功率器件产值年增90.6%为最｜TrendForce集邦咨询;TrendForce集邦咨询：2021年第三代半导体成长力道强劲，GaN功率器件......
罗姆GaN器件带来颠覆性革命,体积减少99%,损耗降低55%(2023-10-19)
罗姆GaN器件带来颠覆性革命,体积减少99%,损耗降低55%;本文引用地址：引言
如今，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为了实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率器件......
罗姆与台达联手开发第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件(2022-04-27)
罗姆与台达联手开发第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件;4月27日，ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）和台达电子（以下简称“台达”）共同宣布，就第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件......
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-03)
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试;在泰克先进半导体开放实验室，2024年8月份，我们有幸见证了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化镓（GaN）功率器件......
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-04 15:04)
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试;在泰克先进半导体开放实验室，2024年8月份，我们有幸见证了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化镓（GaN）功率器件......
全球GaN最新应用进展！(2024-03-19)
消费电子之外的多个领域持续释放。
01
GaN正在加速“上车”
在汽车电动化与智能化趋势下，汽车搭载的电子电力系统越来越多。而与传统硅材料相比，基于GaN材料制备的功率器件拥有更高的功率......
宽禁带功率半导体的竞争格局及趋势分析(2022-02-24)
也在2021年Q4推出功率达140W的GaN快充产品。
不过，GaN在工业和汽车领域仍待进一步落地。据分析机构的判断，GaN需要从消费电子应用出发，来反复验证GaN功率器件的可靠性，还要......
深圳国际半导体展直击：30+三代半厂商亮相！(2023-05-19)
-mode GaN功率器件以及系列应用方案。在众多产品中，镓未来特别展示了用于高效率高功率密度数据中心服务器电源解决方案的TOLL封装GaN器件，TOLL封装氮化镓器件转换效率高，助力......
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统(2023-11-07)
家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 与台湾群光电能科技有限公司(TWSE：6412)和英国剑桥大学技术服务部 (CUTS) 签署......
实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试(2023-07-19)
实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试;未来高压氮化镓器件在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率......
实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试(2023-07-18)
实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试;未来高压氮化镓器件在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间
氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率......
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统(2023-11-06)
6 日
英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD)是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 与台......
SiC、GaN未来五年内的市场应用趋势如何？(2021-11-17)
于650 V、900 V和1200 V的大电流应用，GaN适合于650 V以下的高开关频率应用。
东芝的SiC功率器件主要用于列车逆变器，该器件未来有望应用在光伏发电系统和电源管理系统中。不过，SiC......
罗姆推出集成驱动和功率管的650V氮化镓功率级IC(2023-09-04 09:38)
GaN HEMT（下一代功率器件）。 ROHM 的宽驱动电压范围（2.5V 至 30V）等功能可与主电源中的几乎所有控制器 IC 兼容，从而有助于替换现有的硅（超级结）MOSFET。 这使......
罗姆推出集成驱动和功率管的650V氮化镓功率级IC(2023-09-01)
GaN HEMT（下一代功率器件）。 ROHM 的宽驱动电压范围（2.5V 至 30V）等功能可与主电源中的几乎所有控制器 IC 兼容，从而有助于替换现有的硅（超级结）MOSFET。 这使......
SiC与GaN双管齐下，英飞凌扩大朋友圈(2024-01-30)
解决方案。
SiC与GaN功率器件市场规模在未来数年都将保持较高增速，据TrendForce集邦咨询数据，2022年全球SiC功率器件市场规模约16.1亿美元，至2026年可达到53.3亿美元，CAGR达35%；全球......
力科发布更精确的宽禁带半导体分析测量系统(2022-11-21)
宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高压光隔离探头和功率器件测试软件，与高精度示波器 (HDO) 结合使用时，可提供准确的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半导体器件的电气特性表征。
新的1......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
于整个系统。
英特尔很早以前，就看好氮化镓（GaN）在功率器件中的应用。一方面，是投资相关的企业，比如英特尔曾在2014年9月领投 GaN功率器件企业Avogy的4000万美元B轮融资。另一方面，是自......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
本身，而在于整个系统。英特尔很早以前，就看好氮化镓（GaN）在功率器件中的应用。一方面，是投资相关的企业，比如英特尔曾在2014年9月领投 GaN功率器件企业Avogy的4000万美元B轮融资。另一方面，是自......
最新GaN 射频功率 IC 提升了 5G 网络性能介绍(2022-12-09)
将继续主要用于较低频段的部署(频率高达 2 GHz)。因此 GaN 和 LDMOS 将在 5G 系统中共存。
为了满足低功耗、小尺寸和更好的热管理的要求，基于 GaAs 技术的功率器件以及最近的 GaN......
闻泰收购安世剩余股份获批，中国最大上市半导体公司将诞生(2020-06-11)
镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。
调研机构赛诺的行业分析师李刚认为，作为中资控制的唯一全球龙头功率器件IDM厂商，安世国产化替代的发展空间广阔，意义重大。安世半导体2019年营收规模在国内功率......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩(2023-10-10)
据中心、车用及消费电子等应用市场，GaN功率器件已开始取代既有使用硅的设计方案，重新定义电源系统最佳设计，为市场带来更小、更轻、更具能源效率的产品。从提升电动车续航里程，到优化数据中心能源使用效率，及缩......
罗姆推出集成驱动和功率管的650V氮化镓功率级IC(2023-09-04)
（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）还集成了额外的功能和外围组件，旨在最大限度地提高 GaN HEMT 性能以及 650V GaN HEMT（下一代功率器件）。 ROHM 的宽......
GaN格局，开年大变(2024-01-11)
GaN格局，开年大变;要说最近几年功率器件哪个方向最火热，一定是第三代半导体。昨日，瑞萨宣布3.39亿美元收购Transphorm，进军氮化镓（GaN）领域，引燃整个芯片圈。
近期，GaN领域......
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;飞捷士电子;;功率器件分销商的领导者！ 飞捷电子是最专业的功率器件分销商，致力于全面推广IR,FAIRCHILD,INFINEON,ST,ONSEMI,NSC,FUJI等国际知名品牌功率器件
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;飞捷士科技有限公司;;飞捷电子是最专业的功率器件分销商，致力于全面推广华润华晶,杭州士兰微，IR国际整流器件,国半,,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童，硅动力，美格纳等知名品牌功率器件
;结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司;;功率器件分销商的领导者！ 深圳市飞捷士科技有限公司是最专业的功率器件分销商，致力于全面推广IR,FAIRCHILD,INFINEON,ST,ONSEMI
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;沈阳茂盛隆电子有限公司;;专营电子功率器件
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;深圳市鸿峰科技有限公司;;主营无线充电器方案ic，电源ic，功率器件