资讯
罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET(2012-06-20)
罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET;日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。 ......
智能化与电动化双轮驱动，汽车MOSFET大有可为(2022-12-05)
智能化与电动化双轮驱动，汽车MOSFET大有可为;金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET(2024-08-06)
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET;符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化~
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本......
ROHM开发出安装可靠性高的车载Nch MOSFET，非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！;
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1......
罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器(2022-12-21)
罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器;
【导读】全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本......
ROHM开发出安装可靠性高的车载Nch MOSFET，适用汽车车门、座椅、前照灯所用的电机等应用(2024-08-06)
ROHM开发出安装可靠性高的车载Nch MOSFET，适用汽车车门、座椅、前照灯所用的电机等应用;ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET，
非常......
罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器(2022-12-21 10:10)
罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器;从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代......
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET，非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！;
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？(2024-06-17)
半导体领域一直是一个很卷的领域，投入能不能换来回报，这便要看厂商自己的抉择。
巨头在怎么挖？
纵观历史上对于沟槽型SiC MOSFET的研究，主要围绕降低了沟槽底部氧化层电场强度进行研究：
2012年，日本......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率(2023-04-20)
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率;
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻(2023-08-09)
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻;
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发......
加速拓展海外市场，三安半导体亮相NEPCON JAPAN日本国际电子展(2024-01-31)
化硅晶碇、衬底、外延，车规级碳化硅二极管、MOSFET产品，以及多场景应用解决方案亮相这一亚洲领先的电子研发制造展览会，面向全球客户探讨重点合作机会。
三安半导体参加NEPCON JAPAN日本......
加速拓展海外市场，三安半导体亮相NEPCON JAPAN日本国际电子展(2024-01-31 10:20)
化硅晶碇、衬底、外延，车规级碳化硅二极管、MOSFET产品，以及多场景应用解决方案亮相这一亚洲领先的电子研发制造展览会，面向全球客户探讨重点合作机会。
三安半导体参加NEPCON JAPAN日本......
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块——TRCDRIVE pack™(2024-06-12)
SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化！
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本......
罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器(2022-12-20)
罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器;从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代......
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack”(2024-06-12 09:59)
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack”;小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化！
全球知名半导体制造商ROHM......
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”(2024-06-11)
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”;小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化！
全球知名半导体制造商ROHM......
功率半导体再迎新一轮扩产契机IGBT、SiC、GaN成集中发力方向(2022-05-19)
美和英飞凌均传出功率半导体订单满载的消息，消息显示订单满载情况主要指IGBT方面。应对市场旺盛需求，近日，日本瑞萨、富士电机、东芝等公司传来功率半导体的好消息。面对市场需求转变，我国......
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET(2024-08-09)
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET;
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch......
罗姆推出业界最快trr性能的“R60xxMNx系列”(2017-07-05)
罗姆推出业界最快trr性能的“R60xxMNx系列”;＜概要＞
全球知名半导体制造商ROHM的高速trr※1型600V 超级结MOSFET PrestoMOS※产品群又新增“R60xxMNx系列......
ROHM的SiC SBD成功应用于Murata Power Solutions的数据中心电源模块(2023-03-02)
ROHM的SiC SBD成功应用于Murata Power Solutions的数据中心电源模块;
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发的第3代SiC肖特......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
结构的性能，比沟槽型结构更优更强，目前还在研发。”黄润华透露。
国际大厂深耕沟槽型碳化硅MOSFET芯片
沟槽型碳化硅MOSFET芯片研究在国际上势头红火，罗姆、英飞凌、日本电装、日本住友、安森......
特瑞仕与韩国SK集团所属Yes Powertechnix 缔结合作基本协议(2022-12-13)
特瑞仕与韩国SK集团所属Yes Powertechnix 缔结合作基本协议;特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 以下简称“特瑞仕”）与 韩国SK集团所属YES......
交货周期长达72周？功率半导体厂商加速扩产(2021-08-04)
目前相当于18个月、大约72周的需求，目前的芯片产能只能满足70%的客户。
IC分销商贸泽电子等网站的实时数据显示，安世半导体MOSFET器件中，已有包括MOSFET、GaNFET、功率......
内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2－LBZ”;全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用......
内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2－LBZ”;全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用......
新建300mm生产线 东芝将增产功率半导体(2021-03-11)
新建300mm生产线 东芝将增产功率半导体;3月10日，据日经新闻报道，东芝计划斥资约250亿日元，在日本石川县的工厂建立一条新的功率半导体器件生产线，将石川工厂的产能提高20%。
而东......
ROHM发售4款非常适用于工业电源的SOP封装通用AC-DC控制器IC(2024-08-22)
知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出PWM控制方式*1FET外置型通用控制器IC，非常适用于工业设备的AC-DC电源。目前已有支持各种功率晶体管的4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET......
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET(2024-08-07 10:15)
于车载应用的高效运行和小型化全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和......
ROHM与Toshiba就合作制造功率器件达成协议(2023-12-11)
ROHM与Toshiba就合作制造功率器件达成协议;日本经济产业省认为联合计划有助于稳定、安全的半导体供应
ROHM Co., Ltd.（以下简称“ROHM”）和Toshiba Electronic......
ROHM与Toshiba就合作制造功率器件达成协议(2023-12-11 15:20)
ROHM与Toshiba就合作制造功率器件达成协议;
日本经济产业省认为联合计划有助于稳定、安全的半导体供应ROHM Co., Ltd.（以下简称“ROHM”）和Toshiba......
瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器(2020-06-29)
瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器;2020 年 6 月 29 日，日本东京讯 -半导体解决方案供应商瑞萨电子集团宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211......
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列;
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率(2023-04-20)
（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V......
ROHM的SiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业Murata Power Solutions的数据中心电源模块;
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发的第3代SiC肖特......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻(2023-08-09)
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻;～非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间～本文引用地址：
全球知名半导体制造商（总部位于日本......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET(2023-08-09)
于设备进一步降低功耗和节省空间～
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx......
封装的600V耐压Super Junction MOSFET
～产品阵容新增具有低噪声、高速开关和超短反向恢复时间特点的5款新产品～
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT......
ROHM的SiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业 Murata Power Solutions的数据中心电源模块(2023-03-02 16:26)
ROHM的SiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业 Murata Power Solutions的数据中心电源模块;全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发的第3代SiC肖特......
Power Solutions的数据中心电源模块
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发的第3代SiC肖特基二极管（以下简称“SBD”）成功应用于Murata Power......
ROHM发售4款非常适用于工业电源的SOP封装通用AC-DC控制器IC(2024-08-22)
-MOSFET到IGBT和SiC MOSFET的各种功率晶体管~
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出PWM控制方式*1FET外置......
ROHM开发出EcoGaN Power Stage IC(2023-07-19)
ROHM开发出EcoGaN Power Stage IC;～通过替换现有的Si MOSFET，可将器件体积减少约99%，功率损耗减少约55%～全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向......
ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET;
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223......
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型(2024-08-29)
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型;
日前，搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯......
ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30)
ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”;同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的
600V耐压Super Junction MOSFET......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET;
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1......
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30 15:01)
低功率损耗全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS™”产品阵容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常......
ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(2023-07-19)
减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！
～通过替换现有的Si MOSFET，可将器件体积减少约99%，功率损耗减少约55%～
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能......
三菱电机发布J3系列SiC和Si功率模块样品(2024-01-26)
模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC-MOSFET） 或 RC-IGBT （Si）*1，具有紧凑的设计和可扩展性，可用于电动汽车 （EV） 和插电式混合动力汽车 （PHEV） 的逆变器。所有六款J3......
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日立HITACHI 、美国VICOR、日本LAMBDA等IGBT、智能IPM、功率MOSFET、电源模块
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
;深圳鹏电致远电子有限公司;;深圳鹏电致远电子有限公司是专业化的电子元器件供应商、为您及时提供国外多家著名电子厂商：MICROCHIP、TI、日本富士电机、日本三菱电机公司等功率器件（IPM
;深圳市博宇达科技有限公司;;博宇达科技是一家专业的MOSFET代理商，成立于2006年。主要致力于电源类MOSFET及芯片的推广及应用，代理及分销品牌有TRUESEMI、KIA、STANSON
;杭州贸易公司;;日本地震后，业内就预测日产电子产品价格将会出现大幅上涨。如今，这种预测变成了现实。 日本是硅的最大供应国，占全球供应的60％左右。如果日本
;中山市翔美达电子科技有限公司;;中山市翔美达电子科技有限公司 长期致力推广日本MITSUBISHI三菱射频功放模块及其分立MOSFET管；美国Mini-Circuits混频器、耦合器、功分器、振荡
;罗美娟;;常平科技（深圳）有限公司，原名为【普越科技（深圳）有限公司】成立于2007年7月，公司主营：APEC台湾富鼎先进，MOSFET、IGBT和POWER ICs。BOSCH德国博士，ST意法
;深圳市卓佳利科技有限公司;;我公司主要代理分销国外知名品牌集成电路 1.ANALOG POWER INC 专业低压MOSFET全球领先厂商,品质通过SONY,TOYOTO标准,产品
;北京利隆达电子;;专业销售MOSFET,IGBT,IR全系列 主要经营销售IR的MOSFET,IGBT,型号有:IRF540N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830
;川霆科技有限公司;;川霆科技有限公司 位于 高雄市，主营 IC、MOSFET、MEMORY、IC、MOSFET、MEMORY 等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原