资讯
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
用于形成自举电路。（后续将详细讲解）
★HO和LO接到MOS管栅极，分别用于控制高端和低端MOS的导通与截止。
★COM脚直接接地即可。
3、自举电路
此部分是理解该芯片的难点，需要进行重点讲解。从上......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
充电电流极大，充电时间极短，保证了MOS开关管Q3的迅速的“开”，如图2-2-A所示（图2-2-A和图2-2-B中的电容C为MOS管栅极S的等效电容）。
当激励方波信号的负半周来到时晶体三极管Q1（NPN......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在MOS管栅极并联稳压管(图中......
罗姆与台达联手开发第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件(2022-04-27)
，罗姆确立了栅极耐压高达8V的“150V耐压GaN HEMT”的量产体系，并将该系列产品命名为“EcoGaN™”，产品非常适用于基站和数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路应用。今后，罗姆......
七种MOS管栅极驱动电路(2024-10-30 00:55:57)
七种MOS管栅极驱动电路;
在使用mos管驱动电路设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑mos的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
组成栅源寄生电容泄放回路，栅极二极管提供一个低阻抗MOS管关断路径，加快MOS管关断。（电路中元件参数看根据实际PCB进行调整）
半桥驱动电路，当MOS管栅源电压高于阈值电压时MOS管开始导通，IRF3710的阈......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数
3.桥式整流电路
看好电路图的 电源和负载的两端接哪
4.MOS管防反接（用得......
罗姆GaN器件带来颠覆性革命,体积减少99%,损耗降低55%(2023-10-19)
率器件中，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件备受期待。ROHM 于2022 年将栅极耐压高达8 V 的150 V 耐压GaN HEMT 投入量产；2023 年3月，又确......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
先从一个最简单的驱动电路开始。单片机控制 MOS 管栅极为高时，电流从电源经过电机和 MOS 管到地。当栅极为低时，MOS 管断开，此时电机线圈内的电流继续通过续流二极管回流电机的正极。我们通过调节栅极控制端的PWM占空比，就可......
罗姆携高性能解决方案亮相2023 PCIM欧洲展会(2023-05-09)
HEMT GNE10xxTB针对工业和通信设备中的电源电路进行了优化，具有最高（8V）栅极耐压技术。罗姆将在本次展会上展示IGBT和GaN产品组合的增强功能。
此外，罗姆......
罗姆携高性能解决方案亮相2023 PCIM欧洲展会(2023-05-09)
降低轻负载时的电力消耗。具备各种保护功能。150V GaN HEMT：罗姆的150V GaN HEMT GNE10xxTB针对工业和通信设备中的电源电路进行了优化，具有最高（8V）栅极耐压技术。罗姆将在本次展会上展示IGBT和......
罗姆携高性能解决方案亮相2023 PCIM欧洲展会(2023-05-09)
降低轻负载时的电力消耗。具备各种保护功能。
150V GaN HEMT：罗姆的150V GaN HEMT GNE10xxTB针对工业和通信设备中的电源电路进行了优化，具有最高（8V）栅极耐压......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
符号衬底的箭头指向哪里，简化符号栅极有没有小圆圈，衬底该接高接低，栅极高电平导通还是低电平导通，导通电流方向是什么】的答案，时不时还真有点卡壳。这真的不能怪我们，是真的太绕了，比如P管栅极居然是低电平有效，简化......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
商城
MOS管从结构上主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层
二氧化硅绝缘层
，
因此......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
计算出来。
下面我们根据此MOS计算mos管栅极打开时，所需的电流值，公式如下：
**此处的FSW代表的为mos管开关频率，QG则代表的是mos管寄生电容值（一般我们取最大值）。
以该mos管的QG......
罗姆即将亮相2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(2023-08-17 15:43)
一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。2022年，罗姆将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。近期，为助......
罗姆即将亮相2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(2023-08-17)
一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。2022年，罗姆将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC......
罗姆即将亮相2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(2023-08-17)
一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。2022年，罗姆将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。近期，为助......
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT！(2023-05-16)
材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次，为了......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
如果在同一个系统里，要得到比VCC大的......
半桥不对称 PWM 控制变换器(2024-11-15 11:28:50)
现缓启动电路
七种MOS管栅极驱动电路
1.工作原理
不对称脉宽调制半桥 DC/DCZVS变换器的电路如图 4-19所示。当开关 S1和......
瑞森半导体超小内阻20mΩ和TO-220F封装70mΩ的超结MOS新品上市(2023-08-08)
内阻为30mΩ左右。瑞森半导体基于丰富的超结MOS开发经验，开发出实测耐压为600V，导通电阻典型值20mΩ的超结（SJ）MOSFET，导通电阻减少了33% ，提高了开关性能，进一步降低功率损耗，可以......
基于栅极驱动、运放的家用空调电源解决方案(2023-08-09)
= 60mΩ)
表 2. DC-DC 方案选型表
栅极驱动方案
方案 1
栅极驱动器
KP8563X 是一款 650V 耐压，拉电流/灌电流分别为 200mA/350mA 的三相半桥栅极驱动器，专用......
罗姆EcoGaN™ Power Stage IC：器件体积减少99%，功率损耗降低55%(2023-07-28)
化镓的使用通常会面临两个问题：一是驱动阈值电压(Vth)比较低，通常是1.5到1.8V左右，有噪音时会误开启，不一定坏，但是会导致损耗比较高;二是栅极耐压比较低，通常氮化镓器件的标定是5V驱动电压，4.5V以下......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择(2023-07-26)
产品介绍
INN700TK140C
INN700TK140C是一颗耐压700V，导阻140mΩ的增强型氮化镓芯片，采用T0252封装，具备超高开关频率、无反向恢复电荷，低栅极......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-05)
瞬变抗扰度高达150V/ns，并且可以耐受700V的负压，有效提升了系统的可靠性。 2. NSD2621内部集成稳压器，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定，保护GaN开关管栅级免受过压应力的影响。
与传统的Si......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-03)
管驱动采用隔离技术进行设计，共模瞬变抗扰度高达150V/ns，并且可以耐受700V的负压，有效提升了系统的可靠性。
2. NSD2621内部集成稳压器，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定，保护GaN开关管栅......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-06 09:46)
瞬变抗扰度高达150V/ns，并且可以耐受700V的负压，有效提升了系统的可靠性。2. NSD2621内部集成稳压器，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定，保护GaN开关管栅级免受过压应力的影响。与传统的Si MOSFET......
一文解析51单片机PWM双舵机控制(2023-08-10)
宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-06)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;
【导读】意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
可能储存有一部分电荷，但是没有释放回路，MOS管栅极电场仍然存在且能保持很长时间，建立导电沟道的条件没有消失。在下次开机时，在导电沟道的作用下，MOS管立即产生不受控的巨大漏极电流Id，引起MOS管烧坏。
......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-01-29)
提升了系统的可靠性。
2. NSD2621内部集成稳压器，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定，保护GaN开关管栅级免受过压应力的影响。
与传统的Si MOSFET器件......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07 11:02)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07 11:02)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN驱动器集成电流隔离功能,具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07)
意法半导体GaN驱动器集成电流隔离功能,具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
数明半导体推出高效节能的电机驱动芯片SLM8837(2024-07-03)
小功率电机对高效率的严苛要求。
二、内置电荷泵电路
内置电荷泵电路，确保功率管栅极......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
要注意的是要用Qg来计算开启关断速度，而不是用栅极电容来计算。
下面讲讲MOS管开通过程
开始给MOS管Cgs充电，当电压升到5V时，Id流过一定的电流。继续充电，Id越来越大，但还没完全导通。当Id......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-06)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产......
利用集成驱动的氮化镓提升功率密度(2024-05-14)
伏），器件可能会发生故障并自行开启，如果栅极耐压太低，栅极本身可能会被击穿。 GaN 实现的最佳驱动电压在 4.5V 到 6V 之间，如果电压太低，则可能意味着它无法开启，如果电压太高，则可......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
在电源开关等方面，耗尽型几乎不用。
▉ N和P区分
每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。接线时，对于N沟道的电源输入为D......
纳芯微新品，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管的半桥芯片NSD26(2023-02-15)
有效抑制VDD或BST引入的高频干扰，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定，保护GaN开关管栅级免受过压应力的影响。
由于GaN器件可以实现反向导通，替代了普通MOSFET体二极管的续流作用，但是......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
电压，CE电流和CE电压的关系：
从另外一张图中细看MOS管与IGBT管栅极特性可能更有一个清楚的概念：
开启过程
关断过程
尝试去计算IGBT的开启过程，主要......
我国首次建立基于硅晶格常数溯源的集成电路纳米线宽标准物质(2024-09-14)
物证字第5976号），打通极小纳米线宽量值向硅晶格常数溯源的计量途径，成为我国集成电路晶体管栅极线宽溯源最精准“标尺”，支撑集成电路制造向极微观尺度迈进，提升集成电路芯片集成度和性能先进制造水平，有力......
MOS管系列在服务器电源上的应用(2023-09-25)
器件温升；
n 内置FRD优异的反向恢复特性，适合多管应用，提升系统可靠性。
DC/DC同步整流SR线路中经过变压器降压后的电源会通过2颗进行同步整流。以型号RS60N130G 为例，MOS耐压......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
使用速度更快的的比较器，但是电路的响应时间还取决于比较器驱动MOS 管的速度，MOS 管栅极电容充放电的过程也会造成延迟。
注：意思就是如果电流曲线非常陡峭，那么到比较器准备关断MOS......
罗姆即将亮相2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(2023-08-18)
一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。2022年，罗姆将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。近期，为助......
stm32单片机中使用GPIO口模拟PWM输出解析(2024-09-11)
当今科学技术的发展已经没有了学科之间的界限，结合现代控制理论思想或实现无谐振波开关技术将会成为PWM控制技术发展的主要方向之一。其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导......
相关企业
、阳极基板、玻盖等组成的真空器件。阴极灯丝是在很细的钨丝上，涂覆三元碳酸盐的氧化物，再以适当的张力安装在灯丝支架上，其主要作用是发射电子；栅极是不锈钢类的金属薄片通过光刻蚀加工而成的金属网栅，直接
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
有单节、双节、3/4节锂离子可充电电池保护IC及配套MOS；同步整流升压IC,电压检测器；电压稳压；DC/DC控制器；石英晶振；EEPROM；MS（锰、硅）锂可充电池；HB锂可充电池；XH电容（3.3V高耐压
、隔离和更多。我们的产品包括变压器的音频、栅极驱动、电力、医疗/牙齿,wall-mount和插入式应用程序,以及电感电流的感觉,普通模式、环形、过滤和权力的应用
;深圳市华坤伟业电子经营部;;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成
代理，也不是贸易 2：全部MOS均采用8寸晶圆更高制程的生产，导通电阻更低 3：耐压，防静电，良率更高 4：晶圆8寸的也是我们公司自己做的，目前国内能做晶圆几乎没有。有也是4寸或者6寸的。
-323、TO-252、TO-251等。 特别是SOT-23、SOT-163、SOT-363三种封装系列MOSFET（MOS管）产品，BVDSS（耐压）从20V-600V，包括:N-channel P
;博飞特科技有限公司;;IC批发： 1.EEPROM存储器 -AT24C01/02/04/08/16/32/64/128/256 -AT93C46/56/66 2.MOS管 -电动车控制器MOS管元
用此思想也会一直贯通我们的服务。 一：针对旧货来源的电子市场以及不正当的竞争对手耐压测试仪可以辨认出电容的本来面目，为此本司所用电容的耐压测试仪测量值（铝箔腐蚀电压=腐蚀电压）皆为电容外皮所标电压的1.3倍以
车控制器,充电器等 代理经销产品场效应管(MOSFET)600V耐压：1N60，2N60，4N60，5N60,7N60，8N6010N60,12N60... 400V耐压