资讯
RF接口电路静电ESD保护方案设计(2024-04-07)
防护，低结电容，保证信号的传输，接触放电30KV，空气放电30KV，满足IEC61000-4-5、GB/T17626.5、ISO10605、GB/T 19951测试标准。方案右边是RF天线......
嵌入式核心板开发之ESD静电保护(2023-01-12)
：结电容低，通常在PF级别；
2. 快速的响应时间：通常在ps级；
3. 封装体积小，小型化器件，节约PCB空间；
4. 灵活度高，可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数。
ESD静电......
压控振荡器特性改良的研究(2024-01-17)
准确的模型参数以调整校正网络。用此法构成的系统是一开环系统，对各种变化和扰动没有抑制能力。随着元器件的老化，器件的各参数在不断变化，校正网络需要不定期进行调整。此外，变容二极管的结电容......
Nexperia超低结电容ESD保护二极管保护汽车数据接口(2023-10-11)
Nexperia超低结电容ESD保护二极管保护汽车数据接口;基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布扩展其超低电容ESD保护二极管产品组合。该系......
汽车LVDS接口保护电路图(2023-09-26)
压差分信号（LVDS）接口的数据图像传输率高至1.3Gbps，因此，选择线对线低结电容的TVS/ESD二极管是关键。针对汽车低电压差分信号（LVDS）接口瞬态浪涌静电放电问题，东沃电子技术推荐选用低电容......
TVS管 DW05-4R2P-AT-S 用于LVDS接口浪涌静电防护(2023-09-26)
事件会损坏低电压差分信号（LVDS）发射器和接收器。低电压差分信号（LVDS）接口的数据图像传输率高至1.3Gbps，因此，选择线对线低结电容的TVS/ESD二极管是关键。针对汽车低电压差分信号（LVDS）接口......
Nexperia超低结电容ESD保护二极管保护汽车数据接口(2023-10-11)
Nexperia超低结电容ESD保护二极管保护汽车数据接口;可靠的保护器件可大幅降低对信号完整性的影响
奈梅亨，2023年10月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低电容......
低电压差分信号（LVDS）接口浪涌静电放电防护电路图(2023-09-25)
事件会损坏低电压差分信号（LVDS）发射器和接收器。低电压差分信号（LVDS）接口的数据图像传输率高至1.3Gbps，因此，选择线对线低结电容的TVS/ESD二极管是关键。针对汽车低电压差分信号（LVDS）接口......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
特性对比
从器件的电容上看到， SJ MOSFET的电容在50V内非线性特征明显，同时整体的电容值要比GaN器件大很多（结电容是GaN的3倍）。这是因为，二维电耦合型的SJ器件虽然比平面MOS拥有......
新一代 P 沟道 JPFET 搭配先进 PDFN 封装成就国际领先性能(2022-07-07)
和销售为一体的江苏省高新技术企业。主导产品为单、双向可控硅、MOSFET (SGT、沟槽、平面、超结等工艺)、低结电容 ESD、TVS、低结电容放电管等各类保护器件、高压整流二极管、功率型开关晶体管。捷捷......
捷捷微电 发布先进 PowerJE®10x12 封装及国内领先 SGT MOSFET(2022-02-09)
(SGT、沟槽、平面、超结等工艺)、低结电容 ESD、TVS、低结电容放电管等各类保护器件、高压整流二极管、功率型开关晶体管。捷捷微电是国内领先的高品质功率半导体器件 IDM，晶闸管龙头企业。在启东、南通......
Nexperia超低结电容ESD保护二极管保护汽车数据接口(2023-10-12 10:32)
Nexperia超低结电容ESD保护二极管保护汽车数据接口;可靠的保护器件可大幅降低对信号完整性的影响基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低电容ESD保护......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
基极提供一定的电流。
一般认为是电压驱动型，所以驱动MOS管，只需要提供一定的电压，不需要提供电流。
实际是这样吗？
由于MOS管的制作工艺，决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容，DS也有寄生电容......
总投资60亿元！捷登6GW异质结电池、组件项目开工(2024-03-13 10:29)
总投资60亿元！捷登6GW异质结电池、组件项目开工;3月11日，安徽安庆市宜秀区重点项目暨年产6GW光伏N型异质结电池片及6GW光伏组件生产基地项目正式开工。据了解，该项目总投资60亿元，分二......
RS-485自动收发应用异常怎么办？(2023-01-06)
接收到的低电平会被误认为是接收的起始位，导致通讯异常。
3. 外围电路接结电容影响收发器通讯稳定性
高电平的发送是通过外部上下拉电阻驱动，高电平输出缓慢，如果外部保护电路的结电容又较高，会导致AB差分电压幅值较低，当幅......
细说Semtech SurgeSwitch保护器件(2023-08-09)
积与硅的特性限制了Rdyn值。即使结面积做的非常大，Rdyn也会有百毫欧的数量级。这样一个大浪涌过来时，虽然会有大的Ipp流过TVS，但相应的钳位电压也是高的，并且结面积大的TVS也会有大的结电容、漏电流，封装......
汽车CAN总线接口浪涌静电保护电路图(2023-09-14)
选用自恢复保险丝DW-MSM014作过流保护。二级防护中选用两颗双向TVS二极管SMBJ12CA做浪涌过压保护，响应速度Ps秒级、击穿电压偏差小、低钳位电压、低漏电流、体积小、高可靠性。由于TVS二极管结电容较大，所以......
Nexperia推出超低电容ESD保护二极管产品组合(2023-10-11)
速数据线路添加其他器件会导致降低传输数据的信号完整性。因此，适当选择既能保护系统且不妨碍信号传输的器件，对于现代高速汽车系统至关重要。
Nexperia综合考虑了设计工程师和汽车系统的需求，在该产品组合中通过超低器件结电容......
百川畅银：拟14亿元投建年产4GW高效异质结电池项目(2023-08-28 16:53)
百川畅银：拟14亿元投建年产4GW高效异质结电池项目;8月28日，百川畅银发布公告，公司拟与湖州莫干山高新技术产业开发区管理委员会签署《高效异质结电池项目合作协议》，对年产4GW高效异质结电......
基于Labview的锁相放大器的应用(2023-02-06)
利用锁相放大器有效克服噪声，检测到三个信号，并较为精确地求出其两两之间的相位差。
B)PN结电容的测量
PN结外加电压时，势垒区的空间电荷数量将随外加电压变化，这种由势垒区的点和变化引起的电容是势垒电容......
国家电投中央研究院5GW高效异质结电池与组件项目正式投产(2024-01-11)
国家电投中央研究院5GW高效异质结电池与组件项目正式投产;近日，由中央研究院孵化的国电投新能源科技有限公司5吉瓦高效异质结电池与组件项目在温州龙港市正式投产，这意味着集团实现了从技术研发、产线......
无锡华晟3.6GW高效异质结电池项目正式投产！(2024-01-23 10:59)
无锡华晟3.6GW高效异质结电池项目正式投产！;1月21日，无锡华晟3.6GW高效异质结电池项目投产仪式在锡山经济技术开发区隆重举行，这是全球首个210R异质结电池厂，也是......
放电齿为什么能抑制吸收浪涌电流(2024-03-01)
结电容击穿，电阻烧断等等。
而保护就是利用非线性元器件对高频（浪涌）的敏感设计的保护电路，简单而常用的是并联大小电容和串联电感。供电系统浪涌的来源类型分为外部（雷电原因）和内部（电气......
正式签约！乐通股份持股的10GW异质结电池组件项目落户(2023-11-22 13:22)
正式签约！乐通股份持股的10GW异质结电池组件项目落户;11月18日，2023安吉县第十六届投资贸易人才洽谈会在浙江安吉天荒坪镇举办。会场上集中签约项目共40个，产业项目23个，总投资331亿元......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
，避免产生耦合噪声。
由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响（提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放回路等）。但是......
开关电源Buck电路CCM及DCM工作模式(2023-08-03)
管除去所有的注入电荷需要一定的时间才能恢复到它的断开状态，在完全恢复之前，它呈现短路行为。对于肖特基二极管，有金属半导体硅结，它没有恢复效应，然而，有很大的寄生电容，也有结电容。
b. 当二极管导通，一旦放电，SW很快通过放电电容......
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用(2023-10-23)
等提供电力。故MOS3/4/5/6 推荐使用瑞森半导体超结MOS系列。
瑞森半导体超结MOS系列，采用多层外延工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效......
单片机设计的十个难点问题(2023-01-13)
、滤波电容滤波电容分为高频滤波电容和低频滤波电容。1、高频滤波电容一般用104容（0.1uF），目的是短路高频分量，保护器件免受高频干扰。普通的IC（集成）器件的电源与地之间都要加，去除高频干扰（空气......
上海电气恒羲光伏高效电池及组件项目搬入首批设备(2023-12-22 11:28)
目从正式动工到业内首创联合厂房封顶仅用时77天，从厂房封顶到首批设备进场仅30天，创下行业新记录。本次首批搬入的设备包括等离子增强型化学气相沉积（PECVD）主设备及其自动化装备，是异质结电......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
荐使用瑞森半导体高压MOS系列。瑞森半导体高压MOS系列，超小内阻，结电容适中，散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小，广受市场好评。
......
20GW！迈为股份与华晟新能源签署异质结NBB组件串焊设备协议(2023-09-20 10:18)
将共同推进异质结技术创新和产品降本增效，推动HJT+NBB成为新一代光伏主流技术。
资料显示，华晟新能源是全球异质结领域的领军企业，专注于异质结电池和组件的开发应用与产品规模化生产，拥有全球第一的异质结产能，亦是......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
结电容构成充电回路，逐步把Q2电压推到1/2*Vs，Q1电压从Vs下降到1/2*Vs达到平衡状态，变压器原边电流Ip下降到0。
4. Q2开通，Q1关断，电容C3、IGBT Q2与变......
扩展RF频谱分析仪的单位增益探头替代方案(2023-05-31)
器可以改善阻抗显得略高的探头，但这种方法也只能提供1kΩ的输入阻抗，而测试的信号则会降低26 dB。
此外，大多数 RF 频谱分析仪都缺少交流耦合功能，因此，任何直流输入元件都与内部端结电阻器或前端混频器直接相通。如果......
国星光电推出4437系列接收器及2516系列发射器(2022-12-20)
感
进一步优化了工艺结构，实现结电容更低（f=1MHz条件下，＜80pF），抗干扰性能优异，收集数据更精准；
■抗静电，更稳......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案(2024-01-18)
-12V环节在整个链路中扮演了重要角色。在这种背景下，基于 InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件推出1KW 方案，其利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开......
技术引领，晟启新程！合肥华晟5GW高效异质结电池及组件项目正式投产(2024-01-02 14:19)
技术引领，晟启新程！合肥华晟5GW高效异质结电池及组件项目正式投产;12月30日上午，合肥华晟5GW高效异质结电池及组件项目投产仪式盛大举行。省委常委、合肥市委书记虞爱华，合肥市委常委、副市......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案(2024-01-18)
INN040LA015A器件推出1KW DC/DC电源模块方案，其利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开关频率提升至1MHz，具有高效率和高功率密度特性。
图示2-大联......
异质结技术再突破！太阳井与客户签订GW级铜互连设备合同！(2024-01-12)
中标铜互连金属化环节中多个工艺段的关键主设备及自动化设备并与客户签署了供应合同。
去银化一直以来是异质结技术一个重要而且明确的降本路线、除浆料方面的采用银铝浆或铝浆之外，光伏电池栅线铜金属化也可以大幅度降低贵金属银的消耗。此外，铜栅线的采用还可提升异质结电......
异质结技术再突破！太阳井与客户签订GW级铜互连设备合同！(2024-01-11)
中标铜互连金属化环节中多个工艺段的关键主设备及自动化设备并与客户签署了供应合同。
去银行一直以来是异质结技术一个重要而且明确的降本路线、除浆料方面的采用银铝浆或铝浆之外，光伏电池栅线铜金属化也可以大幅度降低贵金属银的消耗。此外，铜栅线的采用还可提升异质结电......
基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计为先进电机应用铺平了道路(2024-02-29)
业界迫切需要通用型逆变器平台来支持这一趋势的发展，以求缩短研发时间，并加快产品化速度。
总之，碳化硅功率器件在导通电阻、阻断电压和结电容方面的性能显著优于传统硅基功率器件，能够支持先进电机应用实现更高的功率体积密度、更高......
基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计为先进电机应用铺平了道路(2024-02-29)
车的电驱动进步也带动了其它工业领域的先进电机应用，因而业界迫切需要通用型逆变器平台来支持这一趋势的发展，以求缩短研发时间，并加快产品化速度。
总之，碳化硅功率器件在导通电阻、阻断电压和结电容方面的性能显著优于传统硅基功率器件，能够......
单片机中的高阻态(2022-12-07)
读取逻辑的话I/O口引脚相当于与单片机内部电路开路，考虑到实际MOS截止时会有少许漏电流，就称作“高阻态”。由于管子PN节带来的结电容的影响，有的资料也会称作“浮空”，通过I/O口给电容......
聊聊汽车LVDS接口的瞬态保护(2023-03-09)
RClamp®0534PWQ是专为保护LVDS接口的高速差分线路而设计（图 3）。它最大结电容仅0.18pF，可保护四条高速数据线。其工作电压为5V，额定的浪涌峰值脉冲电流为4A (tp=8/20µs......
如何保护汽车的LVDS节点免受静电放电和电气过载事件影响？(2024-03-29)
RClamp®0534PWQ是专为保护LVDS接口的高速差分线路而设计（图 3）。它最大结电容仅0.18pF，可保护四条高速数据线。其工作电压为5V，额定的浪涌峰值脉冲电流为4A (tp=8/20µs......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
等于Cdep，并且可以使用方程4来计算。
源极至本体和漏极至本体的电容
推导CSB和CDB的值涉及大量的器件物理学。这些值由结电容（CJ）决定。CJ的值由耗尽区宽度决定，而耗尽区宽度又基于MOSFET内的......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案(2024-01-19)
推出1KW DC/DC电源模块方案，其利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开关频率提升至1MHz，具有高效率和高功率密度特性。
图示......
REC出售挪威多晶硅公司100%股权(2024-01-24 15:29)
Solar Holdings与埃肯ASA签署，以总价2200万美元转让其持有的REC Norway100%股权。出售完成后，REC Solar Holdings将继续聚焦REC Holdings将聚焦太阳能异质结电......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
相反，SiC-SBD是不使用少数载流子进行电传导的多数载流子器件（单极性器件），因此原理上不会发生少数载流子积聚的现象。由于只产生使结电容放电程度的小电流，所以与Si-FRD相比，能够......
看高度集成的 ADC 如何简化现实世界信号的转换(2023-09-26)
= 4.096GΩ。这意味着每个通道都需要一个 4.096GΩ 的电阻。
尽管理论上采用这种大小的电阻可以将电流转换为输出电压，并可缩放用于 ADC ，但速度是它最大的问题。设计人员应考虑到，现实世界中的光电二极管有结电容......
东方日升：2023年净利同比预增39.73%—79.95%(2024-02-01 10:39)
司业绩产生积极影响。此外，报告期内公司高效异质结电池及组件等新产能陆续投建并开始生产，储能业务及户用光伏业务也取得增长。进入第四季度，受光伏行业上游原材料价格持续下降影响，光伏......
相关企业
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;浙江团结电器有限公司;;浙江团结电器厂位于浙江省乐清市柳市镇东风工业区和新光工业区，距温州飞机场35公里，距火车站30公里，交通十分便捷。系国家技术监督局、机械工业部、国家
半导体放电管: 首创SOD-123封装结电容15PF的6V 半导体放电管
工业数字仪表、接近开关、LED防水开关电源等近上千种型号，公司有支资深的开发团队可为客户订做设计各类非标仪表(控制板)及各各类规格防水开关电源;承结电子产品开发，及单片机程序设计！公司展柜位于深圳市宝安13区电
-2000V单向可控硅（SCRs）； 3、低结电容放电管等各类保护器件； 4、高压整流二极管； 5、功率型开关晶体管。 公司现有注册资本7000万元，从业人员350余人。具有
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