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“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
证券一份研报分析，三五族化合物泛指由元素周期表的三族与五族元素构成的合金化合物，如砷化镓（GaAs）、砷化铟镓（InGaAs）等。三五族化合物具有直接带隙，进而电子在高低能级间跃迁时效率更高，进而......
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术(2023-10-10)
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表 1：WBG技术的主要规范（来源：作者）
BN是一种出色的WBG半导体材料，主要用于光电子和发光应用研究。BN具有间接带隙，允许p型和n型掺杂，并具......
计算机视觉加速半导体分析(2024-06-18)
其空间映射到分割的样品上，确定每个样品中FA和MA阳离子的比例。
第三，带隙自动表征工具通过将反射光谱转换为Tauc曲线，并使用递归分割和迭代拟合算法在Tauc峰值之间找到最佳拟合线性回归线来计算每个样品的直接带隙。最后......
Coherent拟扩建全球首个6英寸磷化铟生产线(2024-12-13)
英寸过渡，以充分利用大尺寸晶圆、更高产量及更优性能等的优势，巩固其在通信和传感领域的可持续竞争力。
除了InP，Coherent今年在碳化硅（SiC）与砷化镓（GaAs）领域......
科学家造出史上最小发光二极管，可将手机摄像头变成全息显微镜(2023-05-09)
硅已显示出作为纳米级和独立可控发射器候选材料的潜力，但由于间接带隙，硅发射器的量子效率较低。
团队此次开发的最小硅发射器，其光强度可与目前最先进的大面积硅发射器相媲美。新型LED在室温下表现出高空间强度（102±48毫瓦/平方厘米），并且......
可穿戴PPG传感器中先进材料的制备、性能及应用综述(2024-05-11)
锌（ZnO）和锗（Ge），其中Si凭借其广泛可用、成本低、无毒、具有高电子迁移率以及间接带隙等特性成为最常见的无机材料。为了克服无机材料的局限性，科研人员也探索了有机半导体材料和聚合物。与无......
截至2022年11月底，我国累计开通5G基站总数达228.7万个(2023-01-16)
济社会发展的赋能带动作用持续增强，预计2022年5G将直接带动经济总产出1.45万亿元，间接带动总产出约3.49万亿元。
这是1月8日，中国信通院发布的《中国5G发展和经济社会影响白皮书(2022......
华人科学家发现立方砷化硼，或是迄今“最佳”半导体材料(2022-07-25)
特性产生重大影响。
据介绍，立方砷化硼对电子和空穴也有很高的迁移率，该材料有一个非常好的带隙，这一特性赋予了它作为半导体材料的巨大潜力。众所周知，已经成熟商用的硅材料具有良好的电子迁移率，但其......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？;
来源：内容来自GaN世界 ，作者 Barry Manz， Mouser Electronics 谢谢。
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？
超宽禁带半导体：“上天......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
体单晶衬底的商品化，技术趋于成熟， 下一步的发展方向是大尺寸、高完整性、低缺陷密度、自支撑衬底材料。
lN材料是Ⅲ族氮化物，具有0.7～3.4eV的直接带隙，可以......
除了功率和射频，化合物半导体还有哪些发展契机？(2021-03-29)
除了功率和射频，化合物半导体还有哪些发展契机？;化合物半导体因其优良的高频高压特性，广泛应用于市场关注度较高的功率电力电子和微波射频领域。然而与硅半导体不同的，还有其直接带隙的特点，因此......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
冀产业链供应链重点项目签约仪式上，咸水沽镇人民政府与巨光东来新能源有限公司就第三代（砷化镓）光伏发电系统及钠离子电池产业化项目进行签约。
砷化镓是光电及通信领域不可或缺的原材料，广泛应用于制造高频、高速、大功率、低噪......
关于三菱寻址方式的介绍(2022-12-07)
关于三菱寻址方式的介绍;寻址简单的来讲就是指定地址，寻址方式一般分为直接寻址，间接寻址。
直接寻址:直接给出地址，基本逻辑指令都是直接寻址方式，功能指令中，大部分也都是直接寻址。比如下面这段程序就是直接......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
。
氧化镓的禁带宽公开报道是4.9eV，砷化镓的禁带宽为1.6eV，氮化镓是3.36eV。另据报道，硅的禁带宽为1.1eV，如果干瘪的数字不好比较，那我们就打一个比方：假如4.9eV与3.36eV......
宽带隙之战才刚刚开始，SiC和GaN谁更有优势？(2023-07-09)
在应用领域上各有侧重和互补。
GaN：目前主要用于射频器件、电力电子功率器件以及光电器件。GaN的商业化应用始于LED照明和激光器，其更多是基于GaN的直接带隙特性和光谱特性，相关......
2023 年我国 5G 将继续加速规模化发展，2025 年 5G 用户渗透率超过 50%(2023-01-17)
济社会发展的赋能带动作用持续增强。预计2022年5G将直接带动经济总产出1.45万亿元，直接带动经济增加值约3929亿元，分别比2021年增长12%、31%，间接带动总产出约3.49万亿元，间接带......
7亿美元，印度软件厂商计划进军芯片制造！(2024-05-20)
物半导体材料种类繁多，碳化硅与氮化镓是代表产品，目前二者在消费电子与电动汽车的应用备受关注。
近年印度积极推动芯片组装和本地化生产，旨在成为全球半导体市场的重要参与者。业界指出，印度......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩(2023-10-10)
半导体将扮演实现永续且具经济效益的未来交通的关键角色。
汽车正成为氮化镓大规模采用的主角
电力电子一直是受成本控制的市场，因此，当宽带隙产品以高价进入市场时，接受度自然很低。正是一些超前型应用的采用化解了宽带隙......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争;然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga2O3），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓”的新......
LiDAR揭秘：“波长大辩论”的深入指导(2024-07-18)
为增益介质可用于制造激光器；这可通过泵送的方式使电流通过结，在原子进入较低能带时引起光子共振发射，从而产生相干激光束输出来实现。半导体激光器基于直接带隙材料（如GaAs 和InP），与间接带隙材料（硅）相比......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
得该技术甚至可以在高工作温度下使用。
宽带隙参数
宽带隙半导体的带隙比硅或砷化镓 (GaAs)
等普通半导体宽得多。这自然会转化为更大的击穿电场，并转......
英飞凌GaN解决方案赋能欧姆龙社会解决方案公司的全新车联网（V2X）充电系统(2024-02-28)
获得了领先的应用技术知识并据此开发出让我们的客户和终端用户更加满意的全新和改进型充电与放电系统。我们期待与英飞凌一起进一步开发基于氮化镓和碳化硅（SiC）的功率解决方案，推动可再生能源和电动汽车的发展。”
由碳化硅和氮化镓制成的宽带隙......
产能有望提高50%，这家半导体设备厂商投建新厂(2023-03-22)
世代半导体兴起增加晶圆沉积技术步骤，长期来看，TEL认为半导体产业成长将继续，并预计2024财年市场需求会更高。新厂建成后将创造900个直接就业机会，也会间接带动合作伙伴约450个就业机会。......
产能有望提高50%，这家半导体设备厂商投建新厂(2023-03-22)
最高可能发挥到原始规划的两倍。
当前，全球半导体市场虽面临库存调整，但新世代半导体兴起增加晶圆沉积技术步骤，长期来看，TEL认为半导体产业成长将继续，并预计2024财年市场需求会更高。新厂建成后将创造900个直接就业机会，也会间接带......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
硅器件正在迅速接近其理论极限。
因此设计者需要考虑基于宽带隙 (WBG) 材料的器件，如氮化镓 (GaN)。GaN 器件的开关速度比硅器件快，能处理更高的电压和功率水平，在既定功率水平下体积小得多，而且......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-11-03)
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源;
【导读】COSEL株式会社今天宣布推出新一代工业用高紧凑电源TE系列。TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频......
国内运营商5G投资累计超4016亿元，5G基站已超185.4万个(2022-08-15)
基站数量达185.4万个，终端用户超过4.5亿户，均占全球60%以上，全国运营商5G累计投资4016亿元，加上移动流量、手机信息服务等消费，累计直接和间接带动经济产出8.56万亿元，经济增加值达2.79万亿......
被“玩坏”的石墨烯，这回真能造芯片了？(2024-01-04)
，也曾经通过量子约束或化学功能化来改变带隙。但在这项成果发布前，都未能成功制造出可行的半导体石墨烯，要么操作难度太大， 要么太小了（比如，100meV左右），这对电子工程应用来说还是太小了。 关于石墨烯半导体带隙......
自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试(2023-09-05)
，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 () 和碳化硅 () 等宽带隙......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-05)
所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙......
中国对镓和锗实行出口管制 全球芯片厂商慌了(2023-07-06)
白色的锗是锌生产的副产品。
镓和锗都是极为重要的稀缺战略资源。低熔点、高沸点的镓，有着“电子工业脊梁”的美誉。其高导电性、中等导热性、液态低毒等特点，使它成为半导体元件的关键材料。加工而成的砷化镓化合物，可以......
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因(2023-04-18)
数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。
氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些......
硅光芯片为何能突破数据传输难题，与光子集成技术有很大关系(2023-09-07)
采用光电二极管或光电探测器。
基于，硅光波导的多种光无源器件和有源器件均已先后开发成功，其中不少达到了实用化水平；由于硅属于间接带隙半导体材料，不能直接构成电驱动激光器和光放大器，需要......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
回程网络等相关组件，同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者，鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳，砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管，提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期......
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因(2023-4-17)
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因;
作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。
氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-10-31)
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源;2023年10月31日
采用宽带隙氮化镓（GaN）功率级和平面磁性元件
1x2.3英寸高功率密度设计（TEP45F、65F）
45W和65W......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-11-03 11:51)
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源;
• 采用宽带隙氮化镓（GaN）功率级和平面磁性元件• 1x2.3英寸高功率密度设计（TEP45F、65F）• 45W和65W安装......
自动执行宽禁带 SiC／GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06 10:16)
所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06)
所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙......
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？(2023-08-17)
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？;氮化镓（GaN）是一种宽带隙。由于具有更高的击穿强度、更快的开关、更高的热导率和更低的导通电阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。氮化镓......
8月1日起！中国正式限制镓、锗等芯片关键材料出口(2023-08-01)
中指出，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。
此举也引发了海外厂商囤货，因为没有这些是生产的关键材料，没有将没办法生产。
与铜......
科索(COSEL)推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-10-31)
科索(COSEL)推出新一代工业用超紧凑高效率电源;本文引用地址：● 采用宽带隙氮化镓（GaN）功率级和平面磁性元件
● 1x2.3英寸高功率密度设计（TEP45F、65F）
● 45W......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
于硅的解决方案转向使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 材料的功率半导体技术，从而在创新方面迈出下一步。他们寻求用于电动汽车 (EV) 的功率密度更高、效率更高的电路。
碳化硅和氮化镓......
2亿美元，安世半导体德国基地扩产(2024-06-28)
2亿美元，安世半导体德国基地扩产;6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙......
优化衬底助推第三代半导体实现汽车创新(2023-01-09)
外延片，Bernard Aspar博士认为，氮化镓作为一种宽带隙材料，在器件级比传统半导体具有更高的效率和功率密度；在系统级，这些好处意味着减小体积、降低功耗和成本。
Soitec......
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期(2024-06-17)
MOSFET来实现常关型，E-mode GaN直接对栅极进行p型掺杂来修改能带结构，选择控制HEMT内部的2DEG，改变栅极的导通阈值，从而实现常关型器件，但氮化镓......
ADALM2000实验：生成负基准电压(2023-06-06)
克卢日-纳波卡科技大学电子与电信工程学士学位。
Doug Mercer于1977年毕业于伦斯勒理工学院(RPI)，获电子工程学士学位。自1977年加入ADI公司以来，他直接或间接贡献了30多款......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
portfolio.;全球电力技术集团是全球机会基金的投资组合公司（GOF），这是一个风险投资基金唯一专注于宽带隙材料技术的发展应用频率高、温度高、高效的电力半导体器件。 2007组建，GOF催生
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
％~~50％销售,客户遍布世界各地.里面所显示的货物95％以上都是现货.客人可以预约到本公司仓库参观大货.欢迎外贸公司直接带客人到我仓库采购，本公司本着长期生意的准则，给中间商最有保障的承诺. 我们
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
对焊机、排焊机、玻璃盖钢带储能机（最大可做60MM）、钢管接带对焊机（液压型/气动型）、螺柱焊，脚踏式点焊机、铁线焊接专用设备。焊材焊料（二氧化碳焊丝）及各类焊机配件
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
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