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半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
尽区电场增加到一定程度，碰撞电离激发出的新电子-空穴对，即“二次载流子”，又可能继续产生新的载流子，这个过程将不断进行下去，称为雪崩倍增。如果由于雪崩倍增效应导致流出PN结的电流趋于无穷大，则发生了所谓的雪崩击穿，该过......
MOS的雪崩击穿(过电压)(2024-12-09 11:48:24)
MOS的雪崩击穿(过电压);
什么是雪崩击穿？
MOSFET在电源板上由于母线电压、漏感尖峰电压等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，当该......
TVS瞬态抑制二极管(2024-12-13 11:22:46)
TVS瞬态抑制二极管;
1、TVS瞬态抑制二极管的工作原理
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿......
氮化镓在高压应用中提供强大的解决方案(2024-09-06 14:15)
暴露在高于725 V的电压下会导致雪崩击穿，导致局部加热和潜在的结构损坏。电压尖峰（如闪电袭击或电源接线错误）和电网不稳定导致的线路膨胀可以将这些器件推向极限，导致灾难性故障。
PowiGaN技术......
应用LMR38020优化PoE设备供电方案(2023-10-18)
中多选取工作电压58V的TVS，如SMAJ58A。从图2可以看到，雪崩击穿电压最大可达71.2V，超出LMR16020的极限耐压65V。因此第一级Buck芯片偶有概率性失效的事件发生。
图2 典型TVS参数......
电路设计少不了ESD，详述一下其理论，超详细！(2024-04-17)
的原理及注意点， 你会发现前面讲的PN结/二极管、三极管、MOS管、全都用上了……
以前的专题讲解PN结二极管理论的时候，就讲过二极管有一个特性：正向导通反向截止(不记得就去翻前面的课程)，而且反偏电压继续增加会发生雪崩击穿......
SMU数字源表如何测试三极管IV特性曲线(2023-03-15)
极—基极间的反向 击穿电压；VCBO是指发射极开路时集电极—基极间的 反向击穿电压，它决定于集电结的雪崩击穿电压；VCEO 是指基极开路时集电极—发射级间的反向击穿电压， 它决定于集电结的雪崩击穿......
干货分享丨一文讲透全电放电（ESD）保护，ESD细讲学问太深了！(2024-04-21 15:22:24)
的专题讲解PN结二极管理论的时候，就讲过二极管有一个特性：
正向导通反向截止，而且反偏电压继续增加会发生雪崩击穿而导通，我们称之为钳位二极管(Clamp)。这正......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
技术制造，开关速度快，内阻低，优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，骊微电子供应的60v mos管SVGP069R5NSA广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
......
专业与性能并行：顾邦半导体 GBS60020，为高功率应用量身定制！(2024-11-13)
体二极管：Trr=190ns, Qrr=1.72uC
• 可靠性：100%雪崩击穿测试
• 封装形式：TO247，低热阻设计
技术......
助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护MOSFET，另一种替代方案更为经济，即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后，MOSFET随即导通，防止漏极-源极发生雪崩击穿。
A-selection齐纳......
62亿！美国企业投建金刚石晶圆厂(2024-12-20)
/m·k)等材料特性，以及优异的器件品质因子(Johnson、Keyes、Baliga)，采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率、抗辐照电子器件，克服器件的“自热效应”和“雪崩击穿”等技......
英飞凌推出800V和950V AC－DC集成式功率级产品(2022-09-22)
后的产品组合包含市场上首款集成了950V具有耐雪崩击穿能力的超结 MOSFET的功率半导体器件，支持更宽的输入电压范围。新器件同时支持隔离和非隔离的拓扑结构包括Flyback和Buck，可以在100 kHz和......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
了一个标准的电压要求。
（2）没有雪崩击穿
没有雪崩击穿，一旦击穿，就是永久性的，类似于电容里面的介质击穿。对于650V的器件而言，如果是硅MOS管，一般实际击穿电压大约在750V左右（设计裕量10......
电动汽车OBC分类及其大功率PFC技术分析(2024-04-19)
的禁带宽度的半导体材料具有较低的本征泄漏电流和较高的工作温度。
临界击穿电场（Ecrit)：强的化学键会造成更大的禁宽带度，也会引起雪崩击穿时更高的临界击穿电场，器件击穿电压可以近似：VBR=1/2*Wdrift*Ecirt，因此器件的击穿......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
通道和漏极之间的漂移区分别约为8μm和10μm。相应的雪崩击穿电压估计为800V和1500V。
1.2kV JFET的阈值电压（VTH）在25°C时为1.6V，在150°C时降至1.45V。在20mA......
吉时利2010 7位低噪声半万用表的特点及应用优势分析(2023-05-19)
大程度上减少设备自发热
对触点或连接器进行电阻测量时控制测试电压，避免击穿可能已形成的任何氧化物或膜
消除会在系统环境中进行低电平电阻测量时产生错误的热效应
提供更精确的低电阻测量
构建......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
它存在锁存问题
04 IGBT的主要参数
1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压，一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。
2、栅极-发射极额定电压UGE......
Nexperia优化齐纳二极管产品组合，以解决过冲和噪声现象(2024-09-19)
器或电源电压比较等应用，以及为MOSFET提供栅极和雪崩击穿保护。PZU系列提供SOD323、SOD323F、SOT23、DFN1006BD-2和DFN1006-2 (2.4 V-51 V)封装，包括汽车版本和标准版本。这为......
ADAS的种类与主要组成 LiDAR的用途与相关技术(2023-07-10)
）的缩写，称为单光子累崩二极管，是一种半导体光侦测器。当我们在SPAD两端施加更高的反向偏置电压（硅材料通常为100-200 V），此时光子进入硅材料后，利用电离碰撞（雪崩击穿）的效应，可以......
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
极小的电压增量都会带来电流的显著变化。
反向施压，称为反偏，一旦超过最大反向击穿电压，伴随的雪崩效应会产生很大的电流损坏二极管。
对理应该处于正偏状态的二极管进行故障诊断，如果测得的正向压降远大于0.7V......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
到的发散振荡是由结构中低压 Si MOSFET 的雪崩击穿引起的。[1] 图 2 中所示的 Vgs 振荡与 MOSFET 源极和 GaN HEMT 栅极之间的电感导致的 Vgs 不平衡有关。Cascode GaN FET......
压敏电阻的好坏，怎么测试？(2024-12-07)
作用：压敏电阻主要应用于雷击、浪涌等的瞬态过电压保护。失效模式：压敏电阻会在所加电压过大时短路。压敏电阻承受高压出现雪崩击穿后会使压敏电阻充当分流器，基于这一特性，可防止在未检测到保护电路故障时，可能......
宇宙辐射对OBC/DCDC中高压SiC/Si器件的影响及评估(2022-12-01)
如此英飞凌在方面做出了很多的努力与研究使得门极氧化层鲁棒性已经达到了很高的水平。
在SiC和Si中，由宇宙辐射引起的失效率随入射时器件中存在的电场呈指数级增长。具有相似电场的器件失效率也相似。在过去的几十年中进行了许多加速试验，这些试验表明，当施加的电压被归一化为实际雪崩击穿......
TVS在汽车抛负载应用选型设计(2024-07-16)
计算展开分析，为新项目设计提供思路，该计算方式同样适用于工业TVS选型应用。
TVS二极管，既瞬态抑制二极管，又叫雪崩击穿二极管，其工作原理与核心参数在上一章TVS简介中已经充分展开说明，有需......
如何为汽车智能配电系统选择功率开关管(2023-01-10)
电压最大值达到47.2V，高于击穿电压。在这种情况下，器件必须耐受16.8mJ的持续时间(tAV) 20µs 的单脉冲雪崩能量(EAS)，如图 10 所示：
图 10. MOSFET雪崩耐量基准测试
如果......
如何为汽车智能配电系统选择功率开关管(2023-01-10)
将大量电能注入eFuse和功率开关。
事实上，连接主电池和最终应用控制板的线束因寄生杂散电感而产生高阻抗，这会产生一个持续的电压尖峰，将MOSFET 引向雪崩区域。
在关断时，eFuse的失效模式与MOSFET漏源结的击穿......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
能承受的最大脉冲漏极电流，也是对最大耗散功率进行了限制。
绿色：MOS管所能承受的VDS最大电压，如果VDS电压过高，PN结会发生反偏雪崩击穿，造成MOS管损坏。
......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，将展示 系列的3款新成员：一款1700 V MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？;
mos 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导......
电机反转到底有什么影响？(2024-09-25)
电机反转到底有什么影响？;常规的电机除特种结构，特种条件情况下不可逆转外，无论是直流还是交流都可以正反转。
普通中小型交流电机三相、单相、电容式，只要改变电机电源的相位即可。如接触器，倒顺......
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力(2023-02-09)
配电系统出现一次能量巨大的放电事件。
在ECU电控单元情况中，这种能量释放可以视为 MOSFET 关断时的单次雪崩事件来处理，或用有源钳位电路强制MOSFET回到线性工作模式。TL325N4LF8AG可以在40A的雪崩击穿......
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应(2024-02-29)
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量流动。典型......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。
安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特......
X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件(2023-11-19)
X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件;
【导读】全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。
安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04 15:25)
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。
安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特......
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力(2023-02-09)
单元情况中，这种能量释放可以视为 MOSFET 关断时的单次雪崩事件来处理，或用有源钳位电路强制MOSFET回到线性工作模式。TL325N4LF8AG可以在40A的雪崩击穿测试中保持正常工作，如图5所示......
高压SiC MOSFET研究现状与展望(2023-02-06)
到多区 JTE，再到空间调制 JTE，在 JTE 技术的保护下功率器件越来越逼近雪崩击穿的理论击穿电压，并且其终端区域的利用效率也不断提高，如 2018 年 NAKAYAMA 等人利用空间调制 JTE......
上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用(2024-09-20)
状态下产生的功率小，发热少；
3.低热阻：正常工作时发热量小；
4.高雪崩耐量：发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰，高雪崩耐量可使MOS管不被击穿；
5.短路电流能力强：短路瞬间会产生较大电流，MOS......
怎样控制直流电机正反转调速(2024-09-25)
流电机在高速旋转的情况下要求快速反转就必须要有一整套安全有效的强制制动。强制停机产生的反电势能必须要求做到无环流控制，否则高压势能就会将可控硅高压击穿。强电流短路造成雪崩，严重时会将所有2套可......
X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件(2023-11-17)
”）今日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或雪崩......
湃睿半导体推出光强-时间激光测距套片(2023-10-15)
-时间法方案的接收链路主要包括以下关键器件，如下图（2）所示。
• 雪崩二极管（APD）：接收回波脉冲并转换为光电流信号
• 跨阻放大器（TIA......
X－FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件(2023-11-20 14:09)
X－FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件;全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂（“X-FAB”）今日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发......
压敏电阻选型为什么要考虑工作电压(2023-08-25)
流过热敏电阻；
（3）加在压敏电阻两端电压远远超出限制电压范围时，压敏电阻无法阻止电流通过，电压过大击穿压敏电阻，压敏电阻受损，压敏电阻受损是不可逆转的。
智旭电子压敏电阻
因此......
Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET(2022-10-28)
较高的雪崩能力。当快速隔离大电流负载时，通常会在电池故障保护机制下.断开时常触发的事件，高雪崩能量可能会通过 MOSFET 耗散......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。
项目背景
碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿......
业界 5000 万级像素赛道上首颗采用 100% 全像素对焦功能的 0.7μm 芯片横空出世(2022-11-29)
以从 CCD 的结构和功能开始。
1 CMOS 光电探测器
大多数 CMOS 光电探测器都基于 PN
结光电二极管的操作。当光电二极管反向偏置(且反向电压小于雪崩击穿电压)时，与入......
雪崩光电二极管的创新技术，应对激光雷达的成本挑战(2024-07-19)
雪崩光电二极管的创新技术，应对激光雷达的成本挑战;据麦姆斯咨询介绍，Phlux Technology的InGaAs技术可以使雪崩光电二极管（APD）在1550 nm波长下工作，灵敏度是传统APD的......
相关企业
-3L和TO-220F-3L俩种封装，采信安微电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC
;东莞市厚街昌旺机电经营部;;东莞市厚街昌旺机电经营部专业销售AC.DC电机。主要产品有：感应式电动机，可逆式电动机，感应式变速电动机，可逆式变速电动机，马达转速控制器，刹车电机，刹车
;廊坊鹏程镀锌带钢有限公司;;公司拥有六辊可逆机一台，四辊可逆轧机一台，二辊轧机10台。拥有大型冷轧带钢生产线、热镀锌生产 线、退火炉等大型生产设备，年生产各种冷轧带钢、热镀锌带钢、退火带钢6万吨
;上海欧光电了科持有限公司;;欧光电子科技有限公司代理德国SILICON-SENSOR公司APD（雪崩光电二极管） 主要分类： 1、系列8高速/高增益APD 2、系列9近红外增强APD 3、系列10
;绍兴市长龙电力器材制造有限公司;;公司专注于电力接点的安全运行，是电力接点专家。专业生产：1、示温片；2、反光型变色测温贴片；3、可逆型变色测温贴片；4、导电膏（电力复合脂）。
高功率，型号丰富，耐用寿命长。从1W到90W，减速比从1：3到1：200。有单相感应马达，三相感应马达、连续运转式、可逆式、制动式、刹车离合器、M1G系列变频器。有组合型MUS（MUSN）及MUX（MUXN
;sonya;;hamamatsu 滨松代理 硅光电池，硅光电二极管，PSD位置探测器,雪崩光电二极管APD,热释电红外光电传感器，光电二极管阵列，波长探测器，四象限探测器 用于激光测距，激光
;广州市昆德科技有限公司;;本公司由数位曾在广州半导体材料研究所获得半导体测试仪多项成果奖的高级工程师主持产品开发，他们已完成过的研制项目有：硅产品寿命测试仪数字电阻率测试仪硅外延层击穿
适应这一要求，我厂研制开发的内装调节器功率由原来的750w提高到4000w，由原来的最大承受励磁电流8A提高到10A，为电机厂开发、装配大功率发电机奠定了扎实的基础。在整流桥方面，我厂率先采用进口雪崩
;华明康电子（香港）有限公司;;韩国DAWIN（大卫） ,专业致力于逆变电焊机、等离子切割机、大功率逆变电源、充电机等领域,其模块具有业内最优秀的雪崩特性； 韩国WISDOM（铧芯） ，其低