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IGBT系列为代表的英飞凌功率器件组合，可以确保将功率器件的损耗降至最低，同时集成监测和控制，简化设计导入，使成本保持在可以接受的水平，有效推动了市场对更高效率驱动系统的需求。 电机控制系统是功率......
作用在于将发电设备产生的电压和频率杂乱不一的“粗电”通过一系列的转换调制变成拥有特定电能参数的“精电”、供给需求不一的用电终端，为电子电力变化装置的核心器件之一。本文引用地址： 在分立器件发展过程中，20世纪50年代，功率二极管......
中商业化较为成功的器件包括PiN功率二极管和肖特基势垒功率二极管，二者在开关速度、开关频率等方面呈现互补关系；晶闸管则是一种半控型功率器件，早期由于其较高的电压和应用电流，被广泛应用率高功率......
种类 SiC功率二极管有4种类型：PiN 二极管、肖特基二极管(Schottky Barrier  Diode，SBD)，结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky......
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单;如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率......
充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率......
/DCDC车载充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率......
V CoolSiC™ MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极管产品组合，随后......
半导体产业链中重要的短板。 萨科微（www.slkormicro.com）半导体的研发技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，结合了海归高级半导体人才，掌握国际领先的第三代半导体碳化硅功率器件技术，并开始量产第五代超快恢复功率二极管......
高防潮性。 除了2000 V CoolSiC™ MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V......
英飞凌携手海鹏科技，技术创新引领分布式能源未来; 【2024年5月30日，中国上海讯】近日，英飞凌宣布与海鹏科技达成合作，在海鹏科技全系列产品中全面使用英飞凌功率半导体器件以及EiceDRIVER™......
英飞凌携手海鹏科技，技术创新引领分布式能源未来;【2024年5月30日，中国上海讯】近日，英飞凌宣布与海鹏科技达成合作，在海鹏科技全系列产品中全面使用英飞凌功率半导体器件以及EiceDRIVER™......
开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞凌......
从材料、供应链到应用的成熟需要一个过程。英飞凌花了30 年时间不断进行技术打磨和沉淀，而且取得了重大突破。 英飞凌自1998 年开始在2 英寸晶圆上制造碳化硅二极管，2010 年采用4 英寸，2015......
英飞凌为布鲁姆能源公司的电解系统和燃料电池提供CoolSiC功率器件;当前的能源危机充分表明，全球迫切需要寻找替代能源来构建气候友好型的能源供应能力。近日，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX......
CoolSiC™ MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极管产品组合，随后......
，这对驱动的集成化是一个重大的进步。FF450R45T3E4_B5双开关与DD450S45T3E4_B5双二极管的组合可显著节省成本并缩小占板面积。例如，英飞凌过去的IGBT解决......
科技股份公司与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要应用于电动汽车主驱逆变器功率模块。本文引用地址： 英飞凌......
科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要应用于电动汽车主驱逆变器功率......
科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要应用于电动汽车主驱逆变器功率......
，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二极管被总部位于加利福尼亚州的布鲁姆能源公司（Bloom Energy）选中，用于......
MOSFET，功率分立器件还包括IGBT、功率二极管、功率双极晶体管、晶闸管。事实上，功率分立器件发展史长达半个世纪，其应用史可以追溯到20世纪50年代，这里就不过多赘述。 从发展来看，最早的功率......
将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要应用于电动汽车主驱逆变器功率模块。   英飞凌科技汽车电子事业部总裁Peter Schiefer表示：“作为汽车半导体领域的全球领导者，英飞凌......
驱动的集成化是一个重大的进步。 FF450R45T3E4_B5双开关与DD450S45T3E4_B5双二极管的组合可显著节省成本并缩小占板面积。例如，英飞凌过去的IGBT解决方案需要四个140 x 190 mm²或140 x 130......
英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列，内置集成的快速体二极管;英飞凌推出950 V CoolMOS™ PFD7系列，内置集成的快速体二极管，可满足大功率照明系统和工业SMPS应用......
须考虑反向恢复电荷 Qrr。当二极管不再导电时，这是必须从集成的体二极管中去除的电荷（存在于所有二极管中）。各组件制造商都做出了巨大的努力，以便尽可能地降低这种电荷。英飞凌的“Fast Diode CoolMOS”系列......
英飞凌携手海鹏科技，技术创新引领分布式能源未来;近日，英飞凌宣布与海鹏科技达成合作，在海鹏科技全系列产品中全面使用英飞凌功率半导体器件以及EiceDRIVER™栅极驱动。 英飞凌......
部分可以使用英飞凌产品，例如D1~D6采用1200 V Si或SiC二极管，SW1~SW6采用CoolMOS? MOSFET和TRENCHSTOP? IGBT5。LLC DC-DC原边可采用CFD系列......
电流将流过SW1~SW6。因此，如果反向恢复电流较小，则可以降低SW1~SW6的导通开关损耗。因此，1200 V SiC 二极管广泛应用于单向直流电动汽车充电器应用，以实现更低的功率损耗和更高的效率。较低的功率损耗意味着功率......
的尺寸可节省大量空间，带来更大的设计灵活性。 器件封装可用于不同的功率二极管技术，例如Nexperia的肖特基或快恢复整流器二极管，但也可以扩展到锗化硅功率二极管或双极性晶体管。这显......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务;科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管......
在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。Yole预测，GaN射频器件市场规模将从2020年的8.91亿美......
在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。 Yole预测，GaN射频器件市场规模将从2020年的8.91......
硅的市场 在汽车电子领域，已经应用的碳化硅功率器件包括二极管、MOSFET、JBS、PiN功率二极管和混合PiN肖特基二极管等。这些器件主要用于电机驱动系统、充电系统、电池......
代码：IFNNY）专为汽车应用开发了高度集成的IRS9103A垂直腔表面发射激光器（VCSEL）驱动器集成电路（IC）。结合英飞凌的REAL3™图像传感器，这款车规级激光二极管驱动器IC可实......
英飞凌推出带有集成自举二极管和OCP的1200V半桥栅极驱动器; 【导读】英飞凌推出带有集成自举二极管和过流保护OCP的1200V SOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列，这个......
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT; 【导读】英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT，采用750V EDT2......
，优化设计以实现更高效率。SiGe整流器增大低正向电压(Vf)和低Qrr，使传导损耗降低10-20%。 广告 PMEG SiGe设备(PMEGxGxELR/P)采用功率二极管......
院士团队研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应，实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管，功率优值高达13.2GW/cm2，是截......
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6; 极高的效率和性价比 CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分......
英飞凌推出功率系统可靠性建模，减少数据中心系统的电力短缺和停电问题; •电源故障是和电信基础设施运营商面临的一项日益严峻的挑战 •英飞凌功率......
英飞凌推出功率系统可靠性建模， 减少数据中心系统的电力短缺和停电问题; 电源故障是数据中心和电信基础设施运营商面临的一项日益严峻的挑战     英飞凌功率......
英飞凌与赛米控丹佛斯签订电动汽车芯片供货协议;英飞凌在近日表示，与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要用于逆变器的功率......
英飞凌与美超微通力协作，利用英飞凌高效的功率级半导体，减少数据中心耗电量，共同推动绿色计算的发展;数字化开创了新纪元，未来随着视频流、线上会议、云服务、加密货币等大量数字应用投入使用，全球......
）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。 CoolSiC™ MOSFET 400 V TO-Leadless 英飞凌功率系统业务线负责人Richard Kuncic......
硅(SiC)功率二极管，可有效满足数据中心、工业电机驱动、太阳能和消费电子等要求严格的应用需求。 专有的“低门槛电压”技术......
）专为汽车应用开发了高度集成的IRS9103A垂直腔表面发射激光器（VCSEL）驱动器集成电路（IC）。结合英飞凌的REAL3™图像传感器，这款车规级激光二极管驱动器IC可实现尺寸更小、成本更低、性能......
最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出......
）以及住宅建筑固态断路器。 CoolSiC™ MOSFET 400 V TO-Leadless 英飞凌功率系统业务线负责人Richard Kuncic 表示：“英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和......
机和电池电压高达120 V的轻型电动汽车等。 MOTIX_2ED27xxS01G 英飞凌的SOI技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性， 以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举二极管......

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