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车规功率器件千亿赛道，国产占比不到一成，如何突破？(2023-06-15)
中商业化较为成功的器件包括PiN功率二极管和肖特基势垒功率二极管，二者在开关速度、开关频率等方面呈现互补关系；晶闸管则是一种半控型功率器件，早期由于其较高的电压和应用电流，被广泛应用率高功率......
英飞凌推出带有集成自举二极管和OCP的1200V半桥栅极驱动器(2023-05-17)
英飞凌推出带有集成自举二极管和OCP的1200V半桥栅极驱动器;
【导读】英飞凌推出带有集成自举二极管和过流保护OCP的1200V SOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列，这个......
一文读懂功率半导体(2022-12-14)
器件的性能进一步提升。
对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、等分立器件产品由于其技术及工艺的先进性，还较大程度上依赖进口，未来......
瑞能半导体携多元成果打造全新“品牌基石” 驭领可持续篇章 为功率器件注入强劲动力(2024-07-19)
上下游产业链的共赢。”
根据市场调研机构Omdia的数据，瑞能半导体晶闸管产品在中国市占率排名第一，位居全球第二；碳化硅整流器产品在中国市场排名第一，排名全球第七。事实上，除了晶闸管和功率二极管等传统产品外，瑞能......
瑞能半导体携多元成果打造全新“品牌基石” 驭领可持续篇章 为功率器件注入强劲动力(2024-07-22)
上下游产业链的共赢。”
根据市场调研机构Omdia的数据，瑞能半导体晶闸管产品在中国市占率排名第一，位居全球第二;碳化硅整流器产品在中国市场排名第一，排名全球第七。事实上，除了晶闸管和功率二极管等传统产品外，瑞能......
瑞能半导体携多元成果打造全新“品牌基石”(2024-07-19)
产品在中国市占率排名第一，位居全球第二；碳化硅整流器产品在中国市场排名第一，排名全球第七。事实上，除了晶闸管和功率二极管等传统产品外，瑞能在碳化硅、IGBT和MOSFET等产......
瑞能半导体携多元成果打造全新“品牌基石”(2024-07-22 11:25)
产品在中国市占率排名第一，位居全球第二；碳化硅整流器产品在中国市场排名第一，排名全球第七。事实上，除了晶闸管和功率二极管等传统产品外，瑞能在碳化硅、IGBT和MOSFET等产线上进行了全面布局，这也......
多个碳化硅项目迎最新动态(2023-05-09)
平方米，主要建设6英寸车规级功率半导体晶圆生产基地，实现年产能12万片。
官方资料显示，瑞能半导体成立于2015年，专注于研发功率半导体产品组合，主要产品包括碳化硅器件、可控硅整流器和晶闸管、快恢二极管......
简析MOSFET产业供应现状（附国内外供应商盘点）(2021-08-19)
MOSFET，功率分立器件还包括IGBT、功率二极管、功率双极晶体管、晶闸管。事实上，功率分立器件发展史长达半个世纪，其应用史可以追溯到20世纪50年代，这里就不过多赘述。
从发展来看，最早的功率......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。
IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管......
英飞凌推出全新 EiceDRIVER™ 1200 V 半桥驱动器 IC系列(2023-05-08)
英飞凌推出全新 EiceDRIVER™ 1200 V 半桥驱动器 IC系列;英飞凌推出全新 EiceDRIVER™ 1200 V 半桥驱动器 IC系列，有源米勒钳位保护可提升高功率......
直流电机调速器的主电路形式及整机电路构成(2023-01-31)
制SCR1的导通角，即可实现可控整流。这种由二极管和晶闸管构成的整流桥电路，又称半控桥调压电路。假定两只晶闸管处于最大导通角，电路形同一个桥式整流器，输入AC220V，输出整流电压为220V×0.9......
Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块(2022-11-24)
配置表：
Vishay 提供全系列硅技术功率模块，包括Si和SiC二极管、 晶闸管、IGBT和 MOSFET， 以及电容器、分流器、NTC和PTC热敏电阻等被动元件。器件可用来配置各种拓扑结构，包括......
Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块(2022-11-24 13:42)
桥逆变器MOSFET
VS-ENZ025C60N
独立恢复二极管双向交错无桥PFC（四通道）
Vishay 提供全系列硅技术功率模块，包括Si和SiC二极管、 晶闸管......
英飞凌推出全新 EiceDRIVER 1200 V 半桥驱动器 IC系列，有源米勒钳位保护可提升高功率系统的耐用性;英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）继推......
英飞凌推出全新 EiceDRIVER 1200 V 半桥驱动器 IC系列，有源米勒钳位保护可提升高功率系统的耐用性;英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）继推......
英飞凌推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7(2013-05-20)
新发展之路，进一步巩固了英飞凌在高端功率转换领域的领导地位。”英飞凌高压功率转换产品负责人Jan-Willem Reynaerts指出，“凭借CoolMOS C7一流的品质因数（RDS(on)*EOSS），我们的客户可以设计出前所未有的具有更高功率密度和效率的新一代功率......
宏微科技今年IGBT汽车端订单饱满(2022-08-11)
至今，该公司已掌握了自主研发设计市场主流IGBT和FRED芯片的能力，公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品100余种，IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管......
电动汽车OBC分类及其大功率PFC技术分析(2024-04-19)
种类
SiC功率二极管有4种类型：PiN 二极管、肖特基二极管(Schottky Barrier Diode，SBD)，结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky......
利用表面贴装功率器件提高大功率电动汽车电池的充电能力(2024-02-22)
限度地利用半导体的能力，以及由于封装的低杂散电感导致的低电压过冲。
在启用定制拓扑方面具有更大的灵活性，包括晶闸管、功率二极管、MOSFET 和 IGBT。
由于背面隔离，所有功率半导体都可以安装在单个散热器上。
如图4......
变频器的组成及分类(2023-05-18)
电压源的特性，属电压型变频器，在异步电动机的调速系统中，因电动机为感性负载，电容同时兼作缓冲无功功率的储能元件。
逆变部分采用为门极可关断晶闸管。逆变部分的每个桥臂均由一个门极可关断晶闸管和一个反向并联的续流二极管......
电机控制逆变器的分类有哪些(2024-03-29)
可以是MOSFET、IJBT、BJT或晶闸管。带有晶闸管和BJT开关的半桥需要两个额外的二极管，纯电阻负载除外，而MOSFET具有内置体二极管。简而言之，两个开关足以满足纯电阻负载，而其他负载（电感......
整理常见电子元器件的等效电路(2024-10-08 16:05:06)
结构示意图和等效电路。
逆导晶闸管的等效电路
下图所示是逆导晶闸管的等效电路。
从等效电路中可以看出，逆导晶闸管相当于在普通晶闸管上反向并联一只二极管......
从华强北贸易商到设计原厂，萨科微“国产替代”发展秘笈(2022-04-06)
和军工等对高性能的苛求；（2）中低端为高中低压的场效应管、可控硅（晶闸管）、桥堆（整流桥）等消费类功率器件，肖特基二极管、ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、通用型二极管三极管，和电......
电驱系统三大核心之IGBT模块如何工作(2024-06-18)
省新型高频电力半导体器件工程技术研究中心等。
主营产品：
快恢复二极管芯片、分立器件（IGBT分立器件、MOSFET分立器件、FRED分立器件）、功率模块（IGBT模块、快恢复二极管模块、整流二极管模块、晶闸管模块、整流......
功率器件：新能源产业的“芯”脏(2023-02-03)
来源：Omdia
低端产品已实现部分，高端分立器件国产化空间广阔。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管、中低压 等分立器件产品部分已实现国产化，而功率MOSFET 特别是高压超级结MOSFET......
意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT(2023-01-16)
600V超快二极管整流桥、一个 1200V 半桥全波整流模块和一个1200V晶闸管半桥整流模块。所有器件均符合汽车行业要求，适用于电动汽车车载充电机(OBC) 和 DC/DC变换器,以及......
意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT(2023-01-16)
SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。本文引用地址：工程师有五款产品可选：两个 STPOWER 650V MOSFET半桥模块、一个 600V超快二极管整流桥、一个 1200V 半桥......
新能源汽车核心部件电控IGBT模块详解及供应商汇总(2023-10-12)
的产品是现代节能型电机驱动器和工业自动化系统中的核心器件
主营产品：
IGBT模块、SiC（全碳化硅功率模块、混合碳化硅功率模块）、分立元件（芯片、二极管、晶闸管）、MOSFET模块、晶闸管/二极管模块、桥式......
新能源汽车核心部件电控IGBT模块详解(2023-02-02)
的产品是现代节能型电机驱动器和工业自动化系统中的核心器件
主营产品：
IGBT模块、SiC（全碳化硅功率模块、混合碳化硅功率模块）、分立元件（芯片、二极管、晶闸管）、MOSFET模块、晶闸管/二极管模块、桥式整流器模块、IPM、IGBT驱动、热界......
新能源汽车核心部件电控IGBT模块详解及供应商汇总(2023-02-02)
的产品是现代节能型电机驱动器和工业自动化系统中的核心器件
主营产品：
IGBT模块、SiC（全碳化硅功率模块、混合碳化硅功率模块）、分立元件（芯片、二极管、晶闸管）、MOSFET模块、晶闸管/二极管模块、桥式整流器模块、IPM、IGBT驱动......
英飞凌在PCIM Europe 2023以创新的半导体解决方案推动低碳化和数字化(2023-04-26)
升了可再生能源的竞争力。英飞凌的电源产品组合提供了可行的存储解决方案，并且已成为实现经济可行性的关键因素。另外，英飞凌专家还将介绍英飞凌为可持续氢能技术所提供的产品，例如用于氢气电解的各种IGBT和晶闸管......
全新650 V CoolMOS™ CFD7A系列为汽车应用带来量身定制的MOSFET性能(2020-05-08)
%。凭借其固有的快速体二极管和采用TO和SMD封装的丰富的产品系列，CFD7A器件非常适合用于PFC和DC-DC级。该产品系列支持以较低栅极损耗达到更高开关频率，从而实现更高功率密度，确保......
用于氢气电解的各种IGBT和晶闸管产品组合。
电动汽车充电解决方案：英飞凌为牵引逆变器、车载充电器、DC-DC转换......
发力新能源汽车和储能市场，威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET(2024-09-03)
双极晶体管（BJT）和晶闸管等分立器件作为电力系统的核心元件，承载着推动技术创新与市场拓展的重要使命。
根据WSTS预测，2024年全球半导体市场较2023年增长16%，其中分立器件规模达10%。中国功率......
中达VDF-B型22kW变频器主电路原理及检修(2023-01-31)
荡器DU2由3脚输出的脉冲信号输入晶体管DQ14的基极，经复合放大器DQ14、DQ15进行功率放大，由二极管DD16、DD30、DD31将触发脉冲信号分为3路，输入至晶闸管VT1~VT3等3只晶闸管......
详细解析汽车发电机工作原理(2023-06-15)
同的是整流器。9管交流发电机的整流器是由6只大功率整流二极管和3只小功率励磁二极管组成的交流发电机。
其中6只大功率整流二极管组成三相全波桥式整流电路，对外负载供电，3只小功率管二极管与三只大功率负极管......
总投资10亿元，江苏皋鑫电半导体芯片项目开工(2023-08-21)
建成后，预计年产1200万片器件芯片用硅扩散片、8亿支特种高压二极管和4亿支汽车用高功率二极管。
消息显示，江苏皋鑫电子项目落户高新区沪苏科创产业园，其母......
英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度(2024-03-13 14:43)
英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度;英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出......
走廊多处开关，延时电路原理分析(2024-01-03)
这个图展示的就是一种多处可以延时的开关电路，这个电路主要由桥式整流器、指示灯，延时网络控制单元、多处按钮以及晶闸管等多部分构成。
下面具体分析电路：
整流
如上图，整流二极管VD1-VD4构成......
的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。
英飞凌......
已成为实现经济可行性的关键因素。另外，英飞凌专家还将介绍英飞凌为可持续氢能技术所提供的产品，例如用于氢气电解的各种IGBT和晶闸管产品组合。
电动汽车充电解决方案：英飞凌为牵引逆变器、车载充电器、DC-DC转换......
英飞凌在PCIM Europe 2023以创新的半导体解决方案推动低碳化和数字化，助力实现更绿色的未来(2023-04-26 11:42)
已成为实现经济可行性的关键因素。另外，英飞凌专家还将介绍英飞凌为可持续氢能技术所提供的产品，例如用于氢气电解的各种IGBT和晶闸管产品组合。电动汽车充电解决方案：英飞凌为牵引逆变器、车载充电器、DC-DC转换......
英飞凌推出全新CoolGaN™ Drive产品系列， 包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥(2024-08-14)
Schoiswohl表示：“多年来，英飞凌一直专注于加快GaN领域的创新，为现实的功率难题提供有针对性的解决方案。全新CoolGaN™ Drive产品系列再次证明了我们如何通过GaN帮助客户开发具有高功率......
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度;【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4......
加码功率半导体芯片，这家半导体公司IPO申请获受理(2022-03-09)
微电子等多家知名半导体芯片制造企业。
资料显示，芯微电子成立于1998年5月，是一家专注功率半导体芯片、器件及材料研发、生产和销售的高新技术企业，产品以晶闸管为主，同时涵盖MOSFET、整流二极管和肖特基二极管及上游材料（抛光片、外延......
瑞能半导体亮相2023慕尼黑上海电子展，加速升级创领功率器件新浪潮(2023-07-12)
瑞能的工程师在展台上凝神聚力地分别以《瑞能高性能SIC器件助力低碳产业发展》、《瑞能Si MOSFET产品及其应用介绍》、《瑞能晶闸管和硅基二极管在功率电源中的应用》和《瑞能高性能IGBT产品......
英飞凌科技：专注电机驱动三大市场 迎接电机市场新挑战(2023-03-23)
SiC 的IPM 智能功率模块和高压大电流晶闸管以及电机驱动芯片iMOTION™ 等；应用领域包括大小家电、通用变频器、伺服驱动等比较通用的工厂自动化设备、机车牵引、电动汽车等。
在应用层面上，英飞凌......
瑞能半导体拟持5000万元入股中电化合物，确保SiC衬底和外延供应稳定性(2023-07-07)
权，资金来源为公司自有资金。
资料显示，瑞能半导体成立于2015年，专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合，主要产品包括SiC器件、可控硅整流器和晶闸管、快恢二极管、TVS、ESD......
英飞凌推出全新CoolGaN Drive产品系列，包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥(2024-08-14 15:29)
Schoiswohl表示：“多年来，英飞凌一直专注于加快GaN领域的创新，为现实的功率难题提供有针对性的解决方案。全新CoolGaN™ Drive产品系列再次证明了我们如何通过GaN帮助客户开发具有高功率......
相关企业
Rectifier)（不包括平面高压MOSFET）的产品线。
威世半导体的产品系列包括整流器、快速恢复二极管、高功率二极管和半导体闸流管、小信号二极管、齐纳二极管和抑制器二极管、RF晶体管、光电元件、电源块（功率二极管
、CDE等国外知名公司生产的IGBT可控硅、晶闸管、GTR、IPM、PIM、快恢复二极管、整流桥、电解电容、 驱动电路、MOSFET等 。。。大功率平板式晶闸管、二极管、IGBT，品牌如EUPEC、西门
司已在香港、台湾和东南亚销售。主要销售世界各地电力电子器件，主要包括功率模块、IGBT模块、可控硅模块、整流桥模块、二极管模块、IGBT单管和驱动板、单三相整流桥模块、快恢复二极管、肖特基二极管、保险丝、熔断
和东南亚销售。主要销售世界各地电力电子器件，主要包括功率模块、IGBT模块、可控硅模块、整流桥模块、二极管模块、IGBT单管和驱动板、单三相整流桥模块、快恢复二极管、肖特基二极管、保险丝、熔断
单管IGBT驱动电路和驱动板、单三相整流桥模块、IPM模块、PIM模块、GTR达林顿模块快恢复二极管、肖特基二极管、保险丝、熔断器、气动元件平板可控硅、ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶闸管
硅、二极管、IGBT， 品牌如EUPEC、西门康、西码、三菱、ABB、三社、IR、 明纬开关电源等国外功率模块。 在国内严格按照国际标准生产：ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶闸管、 KS
反向并联模块1600V/150A PAT20016 二晶闸管反向并联模块1600V/200A PDH308 二极管与晶闸管同向串联模块800V/30A PDH608 二极管与晶闸管同向串联模块800V/60A
、KG型高频晶闸管、桥式整流器。主要经营品牌包括:英飞凌、欧派克、日本三社、IXYS艾赛斯、西门康、富士、三菱、新电源、东芝、IR、摩托罗拉、西门子、美国巴斯曼、法国罗兰等功率模块。 我们
;江苏昆山隆诚翔电子科技有限公司;;企业：江苏省昆山隆诚翔电子科技有限公司 主要: 生产自有品牌的整流管，晶闸管、快速晶闸管、电力模块等产品。 模块：功率模块、可控硅模块、整流桥模块、二极管
;三瑞达(襄樊)电力半导体有限公司;;三瑞达(台湾)电力半导体有限公司是专业生产半导体器件的生产型企业。主要从事制造普通整流二极管、快恢复整流二级管、肖特基整流二极管、普通晶闸管、快速晶闸管和双向晶闸管