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MOSFET 替代了全波桥式整流器中的全部 4 个二极管，以显著地降低功率耗散并增加可用电压。由于电源效率的提升免除了笨重的散热器，因此缩减了电源尺寸。通过免除二极管桥中固有的两个二极管压降......
。因此，在低导通电压降和关断时间之间存在权衡，较长的关断时间会导致较高的开关损耗。B-Tran 是一种晶体管，每侧都有两个控制开关，可提高其性能和可靠性。B-Tran 与......
, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。本文引用地址：自推出以来，绝缘栅双极晶体管（）由于其高电压、大电流、低损耗等优势特点，被广泛应用于马达驱动，光伏，UPS，储能......
驱动电机。所有这些电路均在各种电路配置中采用了 MOSFET 来处理所需的功率水平。第四代 SiC MOSFET 的重要性在于，它们能减小电路物理尺寸，提高额定电压，同时降低损耗和成本。总结......
Zhu分享了Qorvo SiC FET在ZVS（零电压开关）软开关技术应用中的卓越表现。 ZVS也无法避免的损耗是怎么来的？ 在传统的硬开关操作中，开关器件在高电压下导通，导致开关损耗显著，这不仅降低......
需要具有更高的短路耐受能力。在这种背景下，ROHM通过改进器件结构，并采用合适的封装形式，开发出支持高电压、并实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT新产品。 第4代1200V IGBT通过......
它们的效率，进而提高功率密度。在电源设计中，电容器在三个方面会对系统效率产生积极影响，每个方面对电容器的要求略有不同。   首先，缓冲器可能需要高dV/dT、高纹波电流、高电压、高温......
波动，从而影响正常的用电。 电力传输损耗增加 发电机无功补偿过高会导致系统中的传输损耗增加。无功功率的增加会导致电网中的电压降低，而电压降低会导致电流增加，从而增加了电力传输中的线路损耗，降低......
使用额外的低压阻断肖特基二极管来阻止电流流向 MOSFET 体二极管，但这会进一步增加成本，提高导电损耗。并联 MOSFET 可解决导电损耗问题，但这会使动态损耗更高，让电流监测变复杂，且额定电压仍会受限。 SiC 半导体固有的高电压......
的各种特性，其中有些参数是互相矛盾的。例如：降低导通损耗、降低开通和关断损耗、优化器件开关的特性、提高电流密度、提升耐压等级、减少半导体材料（同等电压和电流能力下，减少芯片厚度和面积）、提升......
直流/直流负载点降压转换器”。 • 要了解通过降压转换器降低输出电压纹波的其他方法，请阅读白皮书“实现高效率、无 LDO、低损耗电源的低噪声和低纹波技术”。 ......
模式，在负载为 5mA 时，以高达 86% 的效率运作，空载的静态电流仅为 22µA。 两者皆具有低损耗型线性稳压器，意即在输入电压降至接近输出电压时，可保持输出电压调整率。内建保护功能包含低电压......
模式，在负载为 5mA 时，以高达 86% 的效率运作，空载的静态电流仅为 22µA。 两者皆具有低损耗型线性稳压器，意即在输入电压降至接近输出电压时，可保持输出电压调整率。内建保护功能包含低电压......
动机设计角度来看，要降低损耗（铜耗、铁耗和杂散损耗），改善散热效果，优化电磁设计；从电机驱动角度来看，同样也要降低损耗（选择导通和开关损耗小的驱动器），优化常用工况下的电流矢量与通过桥电路提高电机控制器输入电压......
建同步整流器来代替次级侧二极管，则可以大幅度降低损耗，从而减轻充电器的冷却负担。例如，在工作电流为100A，占空比为50％的情况下，一个JBS二极管的传导损耗将近100W，而UF3SC065007K4S用作同步整流器，其传导损耗......
；此外，在GaN开通过程电流增大，由于di/dt会在Lcs上产生正向压降，降低了GaN的实际栅极电压，增大了开通损耗。 NSG65N15K减小杂散电感的影响 如上图所示，NSG65N15K通过......
的影响，主要是会限制GaN电流的di/dt，增加额外的开关损耗；此外，在GaN开通过程电流增大，由于di/dt会在Lcs上产生正向压降，降低了GaN的实际栅极电压，增大了开通损耗。 NSG65N15K......
；此外，在GaN开通过程电流增大，由于di/dt会在Lcs上产生正向压降，降低了GaN的实际栅极电压，增大了开通损耗。 NSG65N15K减小杂散电感的影响 如上图所示，NSG65N15K通过......
-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。 其中，瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损耗的下一代功率半导体产品。报道指出，按照计划，瑞萨......
如何在电压降低时保持驱动重负载？;自举这项技术适用于大部分，可以在转换器的电压降低时保持。许多要求将低电池电压转换为更高电压，但是，随着电池电压逐渐衰减，对FET的驱动力会降低，有时候会降低......
/48=31.25 安培 (A) 的电流。我们可以通过提高电压来提供相同的功率，从而降低电流要求，随之便降低了电压降和功率耗散。例如，使用 800 伏电源时需要的电流仅为 1500/800 = 1.9......
，因此当结温升高时，其导通损耗将高于IM105-M6Q1B。同样地，当二极管加正向偏压时，IPD60R280PFD7S的压降低于IM105-M6Q1B。 图3：IM105......
IKD04N60RC2低64%。在这个测试中，将IM105-M6Q1B的栅极电压增至Vgs＝18V，使损耗相对于栅极电压Vgs＝15V时降低了14%，这是IM105-M6Q1B可实现的最低损耗......
的系统，UF3SC65007K4S能够在充电电路中实现比IGBT效率高很多的系统。如果使用SiC FET来构建同步整流器来代替次级侧二极管，则可以大幅度降低损耗，从而减轻充电器的冷却负担。例如，在工作电流为100A，占空比为50......
散热器可以更小、更便宜。由于 SiC 能够在高达 175°C 的结温 (Tj) 下工作，因此进一步降低了对散热器的需求。 为了进一步提高效率，应用正在转向更高电压，以减小电流，从而降低损耗。例如......
使电动车车主获得燃油车一般的补能体验。根据“功率=电压×电流”，为了降低损耗，“升压降流“的技术受到了广大厂商的欢迎，此外SiC技术使得800V的发展更进一步。 　　 我们见到的第一个配备800V快充的车型是Taycan......
的任何一个参数就可以让另一个参数达到无限大。 由于电阻的存在，在长距离输电时会产生巨大的损耗，因此目前的解决方案就是选取电阻较低的材料来降低损耗，以及提高电压来降低损耗。但是超导材料就解决了电阻的问题，因此能够极大地降低长距离输电的损耗，如果......
电缆采用了特殊的设计和材料，可以降低电缆损耗和电压降低，提高传输效率。使用这些特殊电缆可能会增加成本，但可以解决电缆长度超长带来的问题。2.5 重新布线：当电缆长度超出变频器标准后，可以考虑重新布线来减小电缆长度。通过......
是会限制GaN电流的di/dt，增加额外的开关损耗；此外，在GaN开通过程电流增大，由于di/dt会在Lcs上产生正向压降，降低了GaN的实际栅极电压，增大了开通损耗......
di/dt会在Lcs上产生正向压降，降低了GaN的实际栅极电压，增大了开通损耗。 NSG65N15K减小杂散电感的影响。 如上图所示，NSG65N15K通过将驱动器和GaN合封在一起，消除......
使得器件-40度下耐压大于1200V，大大降低了器件的饱和压降和关断损耗；其低 VCE(sat)特性使该模块具备正温度系数，具有较低的静态损耗，以及低开关损耗，可以增大模块的输出能力，提高整个电控系统的效率；采用......
左右@1A），TPS65R01Q的正向电压更低，这意味着在相同条件下，热损耗显著减少。这种改进不仅提升了系统的可靠性，还有助于降低系统设计和运行的成本。 低静态功耗TPS65R01Q常温......
左右@1A），TPS65R01Q的正向电压更低，这意味着在相同条件下，热损耗显著减少。这种改进不仅提升了系统的可靠性，还有助于降低系统设计和运行的成本。 低静态功耗TPS65R01Q常温......
导率、低损耗的金属材料 高精度积层的薄膜积层电感器 超小型形状、高电感 磁通流与GND平面平行，所以噪声低 主要规格 型号 PLEA67BBA2R2M-1P 产品尺寸 1.0(L) x 0.6......
更有优势。 简而言之，通过以高电压、低电流方式传输AC电压，可以减少传输损耗（能量损耗）。然而，在实际家庭中，由于不能直接使用高电压，所以需要通过几个变电站分阶段进行变压（降压），最后转换成100V或200V......
用2种改进形式输出电路，如图7(b)和图7(c)所示。图7(b)是能快速开通的改进电路，当TTL输出高电平时，输出点通过晶体管T1获得电压和电流，充电能力提高，从而加快开通速度，同时也降低......
环境下性能表现都非常优异的罗姆 EcoSiC™。产品支持200VAC～480VAC的世界各国三相电源，有助于提高各种工业设备的电源效率。 科索 新产品开发二部 部长 内田 润表示：“‘HFA/HCA系列’通过搭载罗姆的低损耗......
姆发布了第4代的沟槽SiC MOSFET产品。其第4代碳化硅产品具备低损耗、使用简单、高可靠性三大特点。 　　第一是低损耗。第3代与第4代新产品对比，罗姆通过把标准导通阻抗降低，目前实现40%的降低，同样......
能电感体积降至0805封装，降低PD充电开关电源主芯片的电压应力，可将PN8213 供电范围控制在11-40V，同时大幅提高15-20V输出电压下的轻载效率及降低待机损耗。 65W PD快充方案demo......
温度范围宽，无长时间高温老化问题  ●   高饱和特性  ●   超低RDC，同时拥有更低损耗，实现更高电源转换效率  ●   宽频......
是限制在大约0.8至1 V范围内。 不难看出，在整个负载范围内，基于SiC的MOSFET解决方案的功率损耗低很多。由于导通电压降较低，这些MOSFET在100％负载时的导通损耗也从125 W降低......
降压启动：自耦降压启动是通过自耦变压器实现的，可以减缓电机起动时的电流冲击，降低起动时的功率因数，同时不会引起电压降低。但是由于自耦降压器本身的损耗，降压幅度不能太大，对其滞留时间也有一定要求。 3. 变频......
为设计人员带来以下优势： 高效、快速地管理高开关频率以及高电压和高电流的热条件：提供快速响应时间，通过减少能量损失和耗来提供关键保护并提高效率。 能够实现稳定安全的控制并减少电磁干扰：温度......
。” 解决“最后一公里”的供电 已经有不少电源厂商都推出了包括48V以及垂直供电技术，从而降低损耗并提高瞬态响应速度。 比如Vicor就推......
因数校正（PFC）拓扑结构 有源前端： ■ 无桥接导通损耗 ■ 电路简单，易于控制，元件少 ■ 开关需要耐受全母线电压和尖峰电压 ■ 宽禁带（WBG）元件更受青睐，以降低总谐波失真（THD） ■ 减小......
封装 常用 AC-DC 功率因数校正（PFC）拓扑结构 有源前端： ■ 无桥接导通损耗 ■ 电路简单，易于控制，元件少 ■ 开关需要耐受全母线电压和尖峰电压 ■ 宽禁带（WBG）元件更受青睐，以降低......
到750V。在高温的条件下同样能够实现业内超小的低导通RonA。低损耗、使用简便、高可靠性是罗姆第4代产品的代表特征。 首先介绍低损耗的情况，第4代跟罗姆的第3代新产品的对比，通过把标准导通阻抗降低......
大于15V后，即使门极电压再升高，VCE饱和压降变小得不多了。所以IGBT选用15V驱动是一个不错的选择。 对开关损耗的影响 另外，门极的正压对降低开关损耗也是有帮助的。因为......
时间高温老化问题 高饱和特性 超低RDC，同时拥有更低损耗，实现更高电源转换效率 宽频谱范围    应用领域 尤其适用于某些超薄大功率应用，以及对散热和可靠性有较高要求的场景。其拥......
时，也可设定较低的输入电压。 通过低电位差工作，可使能量损耗较少，可进行抑制散热等设计。 压降 在线性稳压器的内部，从VIN到VO间加入了晶体管，使此晶体管稳定工作所需的输入输出间最低电位差称为压降......

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