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【干货】二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用(2024-06-25)
来说，主要是由二极管构成，波形的形状取决于电路的配置和设计。
二、工作原理
基于二极管的限幅电路分为2种：
串联二极管限幅电路
并联二极管限幅电路
三、串联二极管限幅电路
在串联限幅电路中，二极管......
二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用，几分钟搞定(2024-12-19 17:54:04)
电路工作原理
基于二极管的限幅电路分为2种：
串联二极管限幅电路
并联二极管......
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
功率器件的开关损耗和主开关所需的电流容量也可以降低。因此，以碳化硅二极管为主开关的反并联二极管是提高功率逆变器效率的途径。与传统的快速恢复反并联二极管相比，碳化硅制成的反并联二极管可以显着降低反向恢复电流，提高......
永磁同步电机控制系统仿真—逆变器模型（1）(2024-08-27)
两电平逆变器是应用最广泛的电力电子拓扑之一：电机驱动器，光伏逆变器，风电变流器，静止无功补偿器，有源滤波器等，应用到各个行业。拓扑结构如下图所示，由6个全控开关器件和6个反向并联的续流二极管组成，每2个全控开关器件和2个反向并联的续流二极管......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
瞬间电流往往会有过冲，这是反并联二极管换流时产生的反向恢复电流。反向恢复电流叠加在IGBT开通电流上，增加了器件的开通损耗。IGBT的反并联二极管往往是Si PiN二极管，反向恢复电流比较明显。而......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
优良的阈值电压稳定性。
更强的体二极管能力
由于器件结构的原因，碳化硅MOSFET的体二极管是PiN二极管，器件的开启电压高，损耗大。在实际使用中，往往会通过并联肖特基二极管作续流，减小系统损耗。三安集成的碳化硅MOSFET......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
模块额外的反并联二极管面前被爆成渣。
上篇我们提了，SiC MOSFET在电动车电动模式下效率非常高，然而今天在发电模式下的VF被Si IGBT暴打，难道SiC 模块......
电机驱动电路的优选IGBT单管(2023-10-23)
FHF20T60A的IGBT单管的原因是除了高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性外，还拥有拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降以及正温度系数等特点。
从这一款20A、600V电流、电压......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采......
三电平电路原理及常见的电路拓扑分析(2024-01-15)
D5/D6仅存在导通损耗。
NPC2
在NPC2拓扑中，用一对共射极或共集电极的IGBT和反并联二极管代替NPC1二极管钳位的功能，减少了两个二极管器件，其中T1/T4管承受全母线电压，T2/T3......
具有反向阻断功能的新型 IGBT(2023-09-06)
用于主电流路径中功率半导体软开关的辅助谐振电路双向开关，如图 3 所示的矩阵转换器。
图 1 反激式
图2 逆变器
如果在电压、电流和频率方面都适用，那么迄今为止这种开关都是由不具有反向阻断能力的标准IGBT和串联二极管......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
相关的不同封装方面，从封装类型、芯片贴装到引线键合。
SiC二极管可以组装成分立封装，在混合模块中作为与硅基晶体管的反并联二极管使用，或者在与SiC晶体管的全SiC模块中作为反并联二极管......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和(2024-02-29)
，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括......
变频器的组成及分类(2023-05-18)
电压源的特性，属电压型变频器，在异步电动机的调速系统中，因电动机为感性负载，电容同时兼作缓冲无功功率的储能元件。
逆变部分采用为门极可关断晶闸管。逆变部分的每个桥臂均由一个门极可关断晶闸管和一个反向并联的续流二极管......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
品的稳定性或人的使用感受上影响还是比较大的。
2、对于上面提到的二极管的压降问题，有没有办法克服呢？看下面的电路：
上面的防反接电路采用了一个保险丝和一个反向并联的二极管，电源极性正确，电路正常工作时，由于负载的存在电流较小，二极管处于反向......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
有办法克服呢？看下面的电路。
上面的防接反电路采用了一个保险丝和一个反向并联的二极管，电源极性正确，电路......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
下面这张电路图：
上面的防接反电路采用了一个保险丝和一个反向并联的二极管，电源极性正确，电路正常工作时，由于负载的存在电流较小，二极管处于反向阻断状态，保险......
整理常见电子元器件的等效电路(2024-10-08 16:05:06)
所示是四极晶闸管结构示意图和等效电路。
逆导晶闸管的等效电路
下图所示是逆导晶闸管的等效电路。
从等效电路中可以看出，逆导晶闸管相当于在普通晶闸管上反向并联一只二极管......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
极电容充电就快，开关时间短，开关损耗就小，但RG较小时使得IGBT开通时di/dt变大，从而引起较高的du/dt，增加续流二极管恢复时的浪涌电压，因此选择RG时需要折中考虑。RGE的作用是防止IGBT栅极......
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29 15:02)
恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。这款......
如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
的电流需要过零，以便能够承担电压。从这点开始，IGBT可以将电压转移到二极管上，让自己的电压下降，直到达到饱和状态（Vcesat）。
由于芯片并联，最慢的二极管决定了整体开关速度。尽管......
一文详解音频信号压缩电路(2023-01-30)
下端。
▲ 图1.3.11 音量控制电路的改进
为了避免输入电压小于零时造成跟随放大器输出饱和负电压， 对三个二极管反向并联一个二极管，可以......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34......
比亚迪e5高压电控总成内IGBT模块技术分析(2024-09-25)
，再将上桥臂和下桥臂串接起来，如图右侧所示。连接T1、T2的是热敏电阻（温度传感器）。
五、IGBT的检查 1.未触发导通性检查 测量上桥臂IGBT的二极管的导通性（反向不导通），在IGBT......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
保护两部分来讲。
MOS管 作为反向电池保护可能并不常见，最常见的方法是使用二极管。然而，二极管压降很高，这将在低压电路中产生问题。这就是许多使用 MOSFET 作为电池反向......
超共源共栅简史(2023-03-29)
的导通电阻较高、效率较低，同时导电损耗显著，而且在能量回收水平较高时，其体二极管的用处不大。这里给出的解决方案，在外部并联二极管以实现 “第三象限” 操作，同时使用额外的低压阻断肖特基二极管......
聊聊永磁同步电机的一种安全状态：FreeWheel(2024-08-09)
情况下，IGBT绝对不会导通，分析的时候可以不用考虑IGBT，但是IGBT反并联的二极管存在导通的可能，此时系统的主回路拓扑如下：
这时候逆变器其实等效为三相不控整流电路，当电机转速较低时，电机......
变频器的能量转换方式(2024-05-23)
每只IGBT上并联一个二极管，这六只二极管是反并的，也起到续流的作用，这在之前篇幅当中提及过。
开篇就说，变频器不同于开关、接触器，可以从电源直接获取能量，由于变频器的隔离，电机......
资深工程师分享7种常见二极管应用电路解析(2024-11-30 17:23:02)
路中的直流工作电压+V，VD3的负极接地，这样在3只串联二极管上加有足够大的正向直流电压。由此分析可知，3只二极管VD1、VD2和VD3是在直流工作电压+V作用......
二极管的7种应用电路解析，图文并茂太详细了！(2025-01-03 22:03:30)
谐振电路的谐振频率不同。所以，VD1在电路中的真正作用是控制LC并联谐振电路的谐振频率。
关于二极管......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
时效率高于99%的6个并联低 RDS(ON) SiC FET可能会取代 IGBT 及其并联二极管，从而使功率损耗减少3倍。在较轻负载、高频使用下，这种改进甚至更好，损耗比 IGBT 技术低 5 至 6 倍，并且......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理(2024-12-03 11:23:44)
硬件工程师入门基础元器件与电路原理;
本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨了三极管作......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
) 切换氮化镓FET。在MOSFET中，体二极管具有高零反向恢复特性，限制了开关 di/dt 和 dv/dt，并导致额外的损耗和相节点电压振铃。对于IGBT，即使添加优化的反并联二极管，仍然会造成与反向......
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE(2024-10-14)
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE;
电子技术的飞速进步伴随着集成电路和微型化技术的日新月异，小型开关二极管作为电子元件中的关键一环，尤其在高压、恶劣环境下，其性......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
恢复损耗可以表示为如下：
体二极管反向恢复损耗
体二极管反向恢复波形
为降低反向恢复损耗，可以选择低Qrr的体二极管，或者通过并联肖特基二极管......
干货！工程师必备的二极管常用电路(2024-11-03 22:32:33)
上称单向脉动性直流电压。
3、稳压作用
具备稳压作用的二极管叫做稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向......
变频器中的器件选取(2023-08-25)
如下图：
二极管的基本特性就是单向导通，下图中改进的模块驱动保护电路中二极管D5、D3就是起反向隔离的作用，D5和IGBT的C极相连用于VCE保护，耐压是1000V，防止......
BLDC电机常用IGBT：适用各类家电优选IGBT单管(2024-07-30)
、FHF20T60A单管具备高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性
2、具有20A, 600V, VCEsat典型值：1.49V-typ ，＜1.7V；ID (Tc=100℃)：20A；BVCES：600V......
MOSFET驱动电路中的误开通咋应对？(2024-12-30 14:11:28)
.采用反并联二极体
使电感中的电流能够通过二极体回路消失，从而避免产生反向电势。
......
Littelfuse推出IGBT模块和整流器二极管模块(2014-05-27)
Littelfuse推出IGBT模块和整流器二极管模块;Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块......
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE(2024-10-12)
技术的飞速进步伴随着集成电路和微型化技术的日新月异，小型开关二极管作为电子元件中的关键一环，尤其在高压、恶劣环境下，其性能的稳定性和可靠性对于保障设备正常运行至关重要，因此......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
节中，我们将研究ANPC拓扑结构及其在功率模块设计内的相互作用。图4显示了光伏逆变器采用的典型ANPC拓扑结构。实验中使用了六个子系统，每个子系统由一个IGBT（T1至T6）和一个反并联二极管（D1至......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
：
功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点：
当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管......
通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统(2023-10-31)
种情况下，降压- 升压转换器是最常见的双向DC-DC 拓扑，因为它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650 V IGBT 或MOSFET 就足够了。例如，安森美的650 V......
如何通过SiC增强电池储能系统？(2024-03-25)
它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650V IGBT或MOSFET就足够了。例如，650V FS4 IGBT FGH4L75T65MQDC50集成了二极管，可在......
电动汽车用非车载充电桩后级DC模块设计与实现(2024-07-15)
英飞凌IMZ120R060M1H 型号开关管作为功率管。
2）Buck 功率管：选择1 200 V 的耐压等级，选用英飞凌IMZ120R045M1 型号开关管作为功率管。
3）Buck、Boost 续流二极管......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
由6个二极管并联组成，总电流可达1410A，与模块说明书中的1400A基本持平。二极管芯片的厚度和IGBT一样，也是200um。更详细的二极管芯片参数请参考官方手册。
芯片类型
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IFn......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本文引用地址：
本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升。
损耗......
FHF20T60A型号IGBT适用于破壁机马达驱动(2024-08-12)
，那究竟国产中有比较好可以替换的IGBT单管吗？
从需要方面，我们要选择高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性的IGBT单管来替换NCE20TD60BF型号。
这里对于国产IGBT单管而言，可以......
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快捷。 长期供应2CL系列高压二极管电压范围从4千伏到20千伏；电流范围从5毫安到450毫安；反向恢复时间小于100毫微秒;2CLZ系列高压二极管整流组件电压范围从30千伏到200千伏；电流范围从0.1安到2安
;深圳市福田区欣和科电子展销部;;代理经销以下著名品牌功率半导体器件A;日本SanRex公司可控硅模块、整流桥；焊机专用可控及快速二极管。B;德国SEMIKRON公司IGBT模块、可控硅模块、单三
;北京通广利达科技有限公司;;2003年成立，西门康 三社：可控硅 二极管模块 IGBT,inpower 数字化IGBT驱动