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使用LX7720的电机驱动器：半桥驱动器简介;LX7720是一款经过辐射强化设计的航天器电机驱动器。它是空间FPGA的配套IC，例如Microchip的RTG4 FPGA和RT PolarFire®......
南芯科技发布支持跛行模式的车规级8通道半桥驱动器; 【导读】南芯科技 宣布推出车规级 8 通道半桥驱动器 SC77708Q，可驱动多达 16 个外部 N 沟道 MOSFET，支持 24 位......
南芯科技发布支持跛行模式的车规级8通道半桥驱动器; 2024年7月18日，中国上海——今日，南芯科技（证券代码：688484）宣布推出车规级8通道半桥驱动器SC77708Q，可驱动多达16个外部N......
南芯科技发布支持跛行模式的车规级8通道半桥驱动器;（2024年7月18日，上海）今日，南芯科技 宣布推出车规级 8 通道半桥驱动器 SC77708Q，可驱动多达 16 个外部 N 沟道 MOSFET......
列文章重点介绍LX7720的电机驱动器和电流检测电路，从FET驱动器和电流检测级内的模块理论开始，然后是外部元件的选择，最后是无刷直流、双极和单极步进电机的实际实现。 LX7720包含1个带浮动电流检测的半桥驱动器......
产品均旨在搭配瑞萨先进的DC/DC及无刷电机驱动系统中的微控制器而设计。 瑞萨电子工业与通信事业部副总裁Philip Chesley表示：“创新的HIP221x延续了我们在Harris智能电源（HIP）半桥驱动器......
南芯科技发布支持跛行模式的车规级8通道半桥驱动器;今日，南芯科技（证券代码：688484）宣布推出车规级 8 通道半桥驱动器 SC77708Q，可驱动多达 16 个外部 N 沟道 MOSFET，支持......
圣邦微电子推出 SGM42553，一款 45V 3A 峰值电流的三相半桥驱动芯片;圣邦微电子推出 SGM42553，一款 3A 峰值电流的三相半桥驱动芯片。该器......
ISL78434EVAL1Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器 评估板 | Renesas 瑞萨电子;ISL78434EVAL1Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器......
ISL78434EVAL1Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器 评估板 | Renesas 瑞萨电子;ISL78434EVAL1Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器......
煌全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品；新款......
Stage产品NSG65N15K，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。 NSD2621的亮点 NSD2621将隔离技术应用于高压半桥驱动......
数明半导体最新推出SiLM9714——带宽共模电流检测放大器的四路智能半桥门极驱动器; 【导读】SiLM9714是一款专为驱动多种电机或负载设计的高度集成多通道门极驱动器。产品集成了4路半桥驱动......
英飞凌推出全新 EiceDRIVER™ 1200 V 半桥驱动器 IC系列;英飞凌推出全新 EiceDRIVER™ 1200 V 半桥驱动器 IC系列，有源......
型氮化镓和1颗100V半桥驱动，采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封装，支持独立的高低边PWM信号输入，可与绝大多数控制器匹配。是48V功率系统，48V无刷电机驱动器，48V轻混......
ISL78424EVAL3Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器 评估板 | Renesas 瑞萨电子;ISL78424EVAL3Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器......
ISL78444EVAL1Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器 评估板 | Renesas 瑞萨电子;ISL78444EVAL1Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器......
ISL78444EVAL1Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器 评估板 | Renesas 瑞萨电子;ISL78444EVAL1Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器......
ISL78424EVAL3Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器 评估板 | Renesas 瑞萨电子;ISL78424EVAL3Z - 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器......
更高的效率与功率密度，以及更小的整体系统尺寸，并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。 TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器，经过特别设计，能与电压高达200V的增强模式GaN......
器电源等多种应用场景。本文引用地址： 其中，NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品，内部集成了高压半桥驱动器......
产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。 NSD2621产品特性： 01. SW引脚耐压±700V 02. 峰值驱动电流2A/-4A 03. 驱动输出集成内部稳压器，驱动......
产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。 NSD2621产品特性：01. SW引脚耐压±700V02. 峰值驱动电流2A/-4A03. 驱动输出集成内部稳压器，驱动......
管；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关......
应用而设计，集成了三个独立的半桥驱动器和一个检测放大器，以提供简单易用的栅极驱动器。该方案凭借其小封装尺寸和栅极驱动架构提供高功率密度且易于使用，是工业应用的理想选择。NCD83591的最大输入电压为60 V......
应用而设计，集成了三个独立的半桥驱动器和一个检测放大器，以提供简单易用的栅极驱动器。该方案凭借其小封装尺寸和栅极驱动架构提供高功率密度且易于使用，是工业应用的理想选择。NCD83591的最大输入电压为60 V......
纳芯微全新推出NSD1224系列120V半桥驱动; 【导读】纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列产品，该系列产品具备3A/-4A的峰值驱动电流能力，集成高压自举二极管，提供......
芯源系统的3相直流无刷电机驱动器; 【导读】MP6540 和 MP6540A  均为3相直流无刷电机驱动器，集成了3个半桥，由6个N-通道功率MOSFET、驱动电路、栅极驱动......
和电流检测电路的八部分系列文章中的第三篇，从FET驱动器和电流检测级内的模块理论开始，然后选择外部元件，最后是无刷直流、双极和单极步进电机的实际实现。 LX7720包含1个带浮动电流检测的半桥驱动器，用于电机线圈驱动，7720个用......
级端稳压LLC电源   在LLC级，S1和S2构成一个半桥。而谐振桥由电感Lr、电容Cr以及一个变压器构成。在电路中，采用NCP4390控制器控制应用中的六个MOSFET。初级端MOSFET由电隔离双半桥驱动器......
NCP4390控制器控制应用中的六个MOSFET。初级端MOSFET由电隔离双半桥驱动器NCP51561直接驱动。隔离结半桥驱动器NCP81705驱动次级端MOSFET，其隔......
（UL1577等级）电隔离栅极驱动器通道可用于任何配置中，如两个低边、两个高边开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器。并提供其他重要的保护功能，例如用于栅极驱动器和使能功能的独立欠压锁定。 图示3-大联......
MOSFET电源开关。NCP51561提供较短且匹配的传播延迟，两个独立的5KVrms（UL1577等级）电隔离栅极驱动器通道可用于任何配置中，如两个低边、两个高边开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器......
定电流分别为15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。本文引用地址：这三款集成电路能够承受100 V的最大电压和集成了GaN半桥功率级，内含采用半桥配置的对称FET、半桥驱动器、电平转换器、自举......
、半桥驱动器、电平转换器、自举充电和输入逻辑接口。 这三款器件采用热增强型QFN封装，尺寸仅为3.5 mm x 5 mm，顶部裸露以实现双面冷却和可润湿侧面。其封装兼容的特性使客户的设计得以升级，从而......
(EPC23103)。这三款集成电路能够承受100 V的最大电压和集成了GaN半桥功率级，内含采用半桥配置的对称FET、半桥驱动器、电平转换器、自举充电和输入逻辑接口。这三款器件采用热增强型QFN封装......
英飞凌推出全新 EiceDRIVER 1200 V 半桥驱动器 IC系列，有源米勒钳位保护可提升高功率系统的耐用性;英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）继推......
英飞凌推出全新 EiceDRIVER 1200 V 半桥驱动器 IC系列，有源米勒钳位保护可提升高功率系统的耐用性;英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）继推......
LED灯具。该产品的独有技术功能包括恒定导通时间PFC控制、谐振半桥时移控制以及硬开关防止，可节省外部元件成本，并确保动态性能和纹波抑制效果出色。在突发模式下，PFC和半桥驱动是同步的，使轻......
SiC MOSFET电源开关。NCP51561提供较短且匹配的传播延迟，两个独立的5KVrms（UL1577等级）电隔离栅极驱动器通道可用于任何配置中，如两个低边、两个高边开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器......
大电压和集成了GaN半桥功率级，内含采用半桥配置的对称FET、半桥驱动器、电平转换器、自举充电和输入逻辑接口。 这三款器件采用热增强型QFN封装，尺寸仅为3.5 mm x 5......
振桥由电感Lr、电容Cr以及一个变压器构成。在电路中，采用NCP4390控制器控制应用中的六个MOSFET。初级端MOSFET由电隔离双半桥驱动器NCP51561直接驱动。隔离结半桥驱动器NCP81705驱动......
的控制器芯片通常采用高性能的数字信号处理器（DSP）或控制器（MCU），能够实现高精度、高速度的电机控制和计算。 驱动电路：驱动电路负责将控制器芯片的输出信号转换为电机相应的电流和电压。无刷无环启动器通常采用全桥驱动电路或者半桥驱动......
组成栅源寄生电容泄放回路，栅极二极管提供一个低阻抗MOS管关断路径，加快MOS管关断。（电路中元件参数看根据实际PCB进行调整） 半桥驱动电路，当MOS管栅源电压高于阈值电压时MOS管开始导通，IRF3710的阈......
是一款用于车身控制模块的15A全桥电机驱动器。高度集成的H桥驱动模块由内含逻辑控制、门驱动和功能保护的两个半桥组成。通过PWM控制，集成上管电流采样功能，具有......
RS540电机），则不能使用这些集成的芯片（否则会导致芯片严重发热并烧毁）。 此时便需要自行用半桥/全桥驱动芯片和MOS管搭建合适的实现对大电流电机的驱动控制。 二、示例原理图和PCB展示 此原......
控制器控制应用中的六个MOSFET。初级端MOSFET由电隔离双半桥驱动器NCP51561直接驱动。隔离结半桥驱动器NCP81705驱动次级端MOSFET，其隔离电压额定值低于初级端PFC器件，但具......
振桥由电感Lr、电容Cr以及一个变压器构成。在电路中，采用NCP4390控制器控制应用中的六个MOSFET。初级端MOSFET由电隔离双半桥驱动器NCP51561直接驱动。隔离结半桥驱动器NCP81705......
独立的5KVrms（UL1577等级）电隔离栅极驱动器通道可用于任何配置中，如两个低边、两个高边开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器。并提供其他重要的保护功能，例如用于栅极驱动器和使能功能的独立欠压锁定。 图示3......
ADUM3223数据手册和产品信息;EVAL-ADuM3223AEBZ和EVAL-ADuM4223AEBZ分别支持隔离式精密半桥驱动器ADuM3223和ADuM4223。 由于......

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