栅极驱动器自举

一种极限情况都是流行的，检验如下。如果 Vs 过冲持续时间超过10个纳秒，自举电容 CBOOT 被过充电，那么高端栅极驱动器电路被过电压应力破坏，因为 VBS 电压超过了数据表指定的绝对最大电压(VBSMAX

资讯

高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南 (2022-12-23)

一种极限情况都是流行的，检验如下。如果 Vs 过冲持续时间超过10个纳秒，自举电容 CBOOT 被过充电，那么高端栅极驱动器电路被过电压应力破坏，因为 VBS 电压超过了数据表指定的绝对最大电压(VBSMAX...

栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南 (2025-01-12 16:34:20)

如下。如果 VS 过冲持续时间超过 10 个纳秒，自举电容 CBOOT 被过充电，那么高端栅极驱动器电路被过电压应力破坏，因为 VBS 电压...

使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动 (2023-10-18)

还需要某种辅助电源，该电源可以浮动，并在源极升至输入电压时保持适当的导通偏置。否则，当 Q1 源极电压升高时，栅极驱动器将关断。这通常通过以下方式来实现：使用自举电路、隔离式辅助电源，或使用栅极驱动变压器将栅极驱动器...

在栅极驱动器 IC 方面取得的进步让开关电源实现新的功率密度水平 (2023-03-02)

级启动时间较短由于高边栅极驱动器 IC 的自举电源是一种非常经济高效的解决方案，因此该解决方案很常见。因此，高压 LLC 中的半桥和全桥（典型值 400 V 直流总线电压），或低压 DCDC 转换器（例如...

在栅极驱动器IC方面取得的进步让开关电源实现新的功率密度水平 (2022-12-23)

进步领域 UVLO 输出级启动时间较短由于高边栅极驱动器 IC的自举电源是一种非常经济高效的解决方案，因此该解决方案很常见。因此，高压 LLC 中的半桥和全桥（典型值 400 V 直流...

通过栅极驱动器提高开关电源功率密度 (2023-01-06)

电路。栅极驱动器 IC UVLO 启动时间较短，从多方面为自举式设计提供了优势： a. 快速正常系统启动。 b. 欠压保护后的 LLC 启动时间较短，例如超过 200...

MP653x系列产品的保护功能及正确的配置方法 (2024-07-16)

用说明将详细描述 MP653x 系列产品的保护功能及其正确的配置方法。适用器件本应用说明适用于以下器件：器件编号说明供电电压 MP6528 H 桥栅极驱动器 60V MP6528...

用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意 (2024-03-25 14:36)

要采用某种形式的电源调节。一般来说，栅极驱动器 IC 与单独的 DC-DC 偏置电源或自举二极管配对，以提供自举电压，以帮助驱动高压侧的 GaN 的栅极。但是，LT8418 集成了一个“智能开关”，可以...

用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意 (2024-03-22)

需要防止任何损坏，需要非常准确地向 GaN FET 提供电压，这就要采用某种形式的电源调节。一般来说，栅极驱动器 IC 与单独的 DC-DC 偏置电源或自举二极管配对，以提供自举电压，以帮助驱动高压侧的 GaN 的栅极...

英飞凌新推出的160V MOTIX™三相栅极驱动器IC (2023-02-06)

英飞凌新推出的160V MOTIX™三相栅极驱动器IC;英飞凌新推出的160V MOTIX™三相栅极驱动器IC集成了电源管理单元、电流感应放大器和过流保护功能【2023年02月06日，德国...

英飞凌新推出的160V MOTIX™三相栅极驱动器IC集成了电源管理单元、电流感 (2023-02-06)

英飞凌新推出的160V MOTIX™三相栅极驱动器IC集成了电源管理单元、电流感;英飞凌科技股份公司专为汽车和工业电机控制应用开发的MOTIX™系列能够提供具有不同集成度的丰富产品组合。为了...

英飞凌MOTIX™系列再添新成员：推出适用于电池供电应用的160 V双通道栅极驱动器IC (2023-12-21)

的轻型电动汽车等。 MOTIX_2ED27xxS01G 英飞凌的SOI技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性，以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举...

英飞凌推出适用于电池供电应用的160V双通道栅极驱动器IC (2024-01-11)

2ED27xxS01G 英飞凌的SOI技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性，以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举...

英飞凌MOTIX™系列再添新成员：推出适用于电池供电应用的160 V双通道栅极驱 (2023-12-21)

机和电池电压高达120 V的轻型电动汽车等。本文引用地址： _2ED27xxS01G 的SOI技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性，以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举...

基于Richtek RT7081AGQW直流无刷电机控制的蜗牛排气扇方案 (2024-07-17)

板照片 ►方案方块图 ►RT7081AGQW内部方框功能图 ►核心技术优势 RT7081AGQW 是针对 PMSM/BLDC 电机控制应用的专用集成电路，内部集成有三相电机控制器、栅极驱动器、自举...

英飞凌推出-1A/2A，160V MOTIX三相SOI栅极驱动器 (2023-01-31)

MOTIX™ 6ED2742S01Q是一款基于SOI的160V栅极驱动器，用于三相无刷直流电动机驱动应用。集成的自举二极管用于为三个外部高边充电自举...

英飞凌推出带有集成自举二极管和OCP的1200V半桥栅极驱动器 (2023-05-17)

英飞凌推出带有集成自举二极管和OCP的1200V半桥栅极驱动器; 【导读】英飞凌推出带有集成自举二极管和过流保护OCP的1200V SOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列，这个...

英飞凌推出适用于电池供电应用的160 V双通道栅极驱动器IC (2023-12-22)

型电动汽车等。 MOTIX_2ED27xxS01G 英飞凌的SOI技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性，以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举...

英飞凌新推出的160V MOTIX 三相栅极驱动器IC集成了电源管理单元、电流感应放大器和过流保护功能 (2023-02-06 10:35)

英飞凌新推出的160V MOTIX 三相栅极驱动器IC集成了电源管理单元、电流感应放大器和过流保护功能;英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）专为...

英飞凌MOTIX 系列再添新成员：推出适用于电池供电应用的160 V双通道栅极驱动器IC (2023-12-21 14:32)

机和电池电压高达120 V的轻型电动汽车等。 MOTIX_2ED27xxS01G 英飞凌的SOI技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性，以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举...

英飞凌MOTIX 系列再添新成员：推出适用于电池供电应用的160 V双通道栅极驱动器IC (2023-12-21 14:32)

基于Richtek RT7083GQW的直流无刷电机控制之空气净化器方案 (2022-11-30)

应用的特制 IC，内含三相器、三相栅极驱动器、三个自举二极管、一个 5V 线性稳压器和一个 Buck 转换器。 · RT7083 内置 32 位 ARM Cortex-M0 MCU 内核...

麦瑞半导体推出85V半桥MOSFET驱动器MIC4604 (2013-10-08)

麦瑞半导体推出85V半桥MOSFET驱动器MIC4604;麦瑞半导体公司今天推出了85V半桥MOSFET驱动器MIC4604。MIC4604具有集成的85V阴极负载二极管和业内最宽广的可编程栅极驱动...

Allegro MicroSystems推出新型隔离栅极驱动器IC，可实现领先的功率转换密度 (2023-07-12)

Allegro MicroSystems推出新型隔离栅极驱动器IC，可实现领先的功率转换密度;AHV85110为Power-Thru产品系列中的首次发布，能够提供2倍功率密度，以及更简单、更高...

Allegro MicroSystems推出新型隔离栅极驱动器IC (2023-07-12)

Allegro MicroSystems推出新型隔离栅极驱动器IC; 【导读】运动控制和节能系统传感和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（以下...

LTC4444-5数据手册和产品信息 (2024-11-11 09:18:49)

LTC4444-5数据手册和产品信息;LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极...

采用Power Thru技术简化电源模块设计 (2023-04-10)

这些电源需要占用宝贵的工程时间。在设计中添加组件会增加电源模块的成本、尺寸和复杂性，这会体现在设计和BOM等层面，更高的复杂性会增大设计验证和应用中出现意外问题的风险。传统的栅极驱动器也通常需要采用自举...

英飞凌推出具备出色耐用性的1200 V电平转换三相SOI EiceDRIVER (2020-12-04)

阵容，推出1200 V三相栅极驱动器。该器件基于英飞凌独具特色的绝缘体上硅（SOI）技术，具备领先的负瞬态电压抗扰性、出色的闩锁抗扰性、快速过电流保护特性，并实现了真正的自举二极管的单片集成。这些...

英飞凌推出具备出色耐用性的1200 V电平转换三相SOI EiceDRIVER (2020-12-04)

Allegro MicroSystems推出新型隔离栅极驱动器IC，可实现领先的功率转换密度 (2023-07-12 14:50)

意法半导体新演示板帮助先进工业和消费电子厂商加快双电机设计 (2024-05-31)

和一个外接的STDRIVE101栅极驱动器来控制两个三相逆变器，最大输出电压高达74V，最大输出电流10A。两个栅极驱动器都有自己的自举电路和安全保护功能，包括漏极-源极...

ADUM6132数据手册和产品信息 (2024-11-11 09:20:00)

ADUM6132数据手册和产品信息;ADuM6132是一款隔离式半桥栅极驱动器，采用ADI公司iCoupler®技术，提供集成275 mW高端电源的隔离式高端驱动器。该电源由内部隔离式DC/DC转换...

英飞凌推出新一代双通道隔离栅极驱动器IC，提升SMPS设计的系统性能 (2023-05-15)

了有源输出钳位功能，即使在通道“未工作”的情况下也能快速抑制输出噪声。这种多用途的方法能够在栅极驱动器电源仍低于UVLO开启阈值的情况下，防止自举启动过程中出现危险的半桥直通事件。新一代栅极驱动器IC在硬...

英飞凌推出新一代双通道隔离栅极驱动器IC，提升SMPS设计的系统性能 (2023-05-15 15:09)

况下也能快速抑制输出噪声。这种多用途的方法能够在栅极驱动器电源仍低于UVLO开启阈值的情况下，防止自举启动过程中出现危险的半桥直通事件。新一代栅极驱动器IC在硬件中内置了可配置的击穿保护（STP）和死区时间控制（DTC...

意法半导体新演示板帮助先进工业和消费电子厂商加快双电机设计 (2024-05-31)

和一个外接的STDRIVE101栅极驱动器来控制两个三相逆变器，最大输出电压高达74V，最大输出电流10A。两个栅极驱动器都有自己的自举电路和安全保护功能，包括漏极-源极电压监测、交叉导通预防、多个...

意法半导体新演示板帮助先进工业和消费电子厂商加快双电机设计 (2024-05-31)

器等模拟设备。 EVSPIN32G4-DUAL演示板是利用STSPIN32G4内部的先进的三相栅极驱动器和一个外接的STDRIVE101栅极驱动器来控制两个三相逆变器，最大输出电压高达74V，最大输出电流10A。两个栅极驱动器都有自己的自举...

希荻微推出适用于高性能功率变换应用的新型100V三相半桥栅极驱动器 (2024-11-01 13:10)

于推动高效节能及智能系统的应用。近日，希荻微推出的新产品HL9611，是一款高端的100V三相半桥栅极驱动器，旨在驱动半桥高边和低边N沟道功率MOSFET。 HL9611利用集成自举...

Allegro MicroSystems－隔离式栅极驱动器－AHV85110 (2023-10-12 10:53)

Allegro MicroSystems－隔离式栅极驱动器－AHV85110; AHV85110针对驱动多种应用和拓扑中的GaNFET进行了优化。一个隔离式输出偏置电源集成在驱动器器件中，无需任何外部驱动辅助偏置电源或自举...

使用MD7120 MOSFET驱动器的D类功率音频放大器电路设计 (2024-04-30)

关两侧运行的四个 N 沟道 MOSFET 晶体管。它由控制器逻辑电路、电平转换器、两个自举供电的高侧栅极驱动器、两个 VDD 供电的低侧栅极驱动器和过流保护电路（不使用电流检测电阻）组成。高侧...

英飞凌推出新一代双通道隔离栅极驱动器IC，提升SMPS设计的系统性能 (2023-05-15)

阈值的情况下，防止自举启动过程中出现危险的半桥直通事件。新一代栅极驱动器IC在硬件中内置了可配置的击穿保护（STP）和死区时间控制（DTC）。这两...

意法半导体推出集成化高压功率级和节省空间的评估板让电机驱动器变得更小、更可靠 (2024-09-23)

意法半导体推出集成化高压功率级和节省空间的评估板让电机驱动器变得更小、更可靠;意法半导体推出集成化高压功率级和节省空间的评估板让电机驱动器变得更小、更可靠栅极驱动器、功率 MOSFET...

Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器，进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率 (2024-11-21 10:12)

Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器，进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率;Nexperia（安世半导体）近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC，可用于驱动...

使用隔离式栅极驱动器的设计指南（三）：设计要点和PCB布局指南 (2023-02-14)

使用隔离式栅极驱动器的设计指南（三）：设计要点和PCB布局指南;本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离器，并介绍实战经验。上两...

EPC新推采用ePower芯片的2 kW、48 V/14 V双向稳压转换器参考设计 (2022-02-14)

转换、自举充电、栅极驱动缓冲电路和栅极驱动器输出以驱动外部低侧eGaN FET。集成驱动器可进一步简化设计和减少寄生电感。 EPC9170演示板採用EPC2302 eGaN FET，具有...

EPC新推采用ePower芯片的2 kW、48 V/14 V双向稳压转换器参考设计 (2022-02-14)

Allegro MicroSystems－隔离式栅极驱动器－AHV85110 (2023-10-12)

Allegro MicroSystems－隔离式栅极驱动器－AHV85110; 【导读】AHV85110针对驱动多种应用和拓扑中的GaNFET进行了优化。一个隔离式输出偏置电源集成在驱动器...

GaN Systems HD半桥双极驱动开关评估板在贸泽开售 (2022-06-14)

、60 A GaN增强模式晶体管。HEY1011是一款隔离式栅极驱动器，专为驱动具有快速传播延迟和高峰值拉/灌能力的GaN FET进行了优化，适用于需要隔离、电平移位或接地隔离以实现抗噪性的高频应用。由于...

e络盟开售Littelfuse完整解决方案 (2023-10-17)

LF2181NTR：LF2181NTR是一款高压、高速栅极驱动器，能够驱动半桥配置中的N通道MOSFET和IGBT。这项处理技术使LF2181NTR的高压侧能够在自举操作中切换至600V...

e络盟开售Littelfuse完整解决方案 (2023-10-17)

供应的畅销产品包括： •高压侧/低压侧栅极驱动器LF2181NTR：LF2181NTR是一款高压、高速栅极驱动器，能够驱动半桥配置中的N通道MOSFET和IGBT。这项处理技术使LF2181NTR的高压侧能够在自举...

e络盟开售Littelfuse完整解决方案 (2023-10-17)

LF2181NTR：LF2181NTR是一款高压、高速栅极驱动器，能够驱动半桥配置中的N通道MOSFET和IGBT。这项处理技术使LF2181NTR的高压侧能够在自举操作中切换至600V。LF2181NTR逻辑输入与标准TTL...

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