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的变换线来代替。有学过射频的同学应该都清楚，1/4波长变换线特征阻抗确定后，其两端的阻抗是反比关系的，也就是一端阻抗由小变大那么另一端就是由大变小。 ......
端分压电阻，不会变的。充电器稳压分压不明白的可以看看开关电源方面的知识。 假如开通的N1，那么R5和R6会并联，阻值相比之前会变小，也就是输出电压稳压回路的下端分压阻值会变小，那么输出电压会变大，就到......
随着兴奋次数增多，随之变大。效果因人而异，这里的效果当然指的是你爱的人。比如：宋仲基~ 情况二：反而变小了 小编这里要着重强调一下，脂肪是胸部的主要成分，过于勤劳的揉啊揉，那么结果就是呵呵size变小......
大器的负端Vref是电源内部的参考电平（这个参考电平是恒定的）。放大器的输出Va连接到MOSFET的栅极来控制MOSFET的阻抗。 Va变大时，MOSFET的阻抗变大；Va变小时，MOSFET的阻抗变小......
流负半周比在正半周大； 下降沿的dv/dt在电流负半周内随电流绝对值变大逐渐变小，电流绝对值最大时dv/dt最小； 上升沿的dv/dt在电流负半周期内随电流绝对值变大而变大； 下降沿的dv/dt在电流正半周期内随电流变大而变大......
理或重新绕制电流线圈或零点平衡线圈。 (2)电流回路电阻发生改变，电阻值变小时指针超过零位；电阻值增大时指针达不到零位。对此，应更换电流回路中的电阻。 (3)电压回路电阻发生改变，电阻值变大时指针超过零位；电阻值减小时指针达不到零位。对此......
什么是液态透镜技术？液态透镜技术在工业镜头中有何应用？;什么是液态透镜技术传统的光学透镜由光学材料制造，无论使用哪种光学材料（光学玻璃、光学晶体或者光学塑料）制作的透镜都是固体，不能改变大......
方波信号，单片机通过检测该信号的低电平持续时间来决定输出数字量的大小。RP2向上滑动，555输出频率变低。低电平持续时间变长，单片机输出数字量变大，输出电压变小；反之输出电压变大。运放器U4输出......
程浮球液位计的机械结构较复杂，部件较多，检查的地方也多；转换器机构的活动部件或固定件在介质中易受腐蚀，如活动限位孔被腐蚀变大，限位螺栓被腐蚀变薄变小等。维修时应检查摆臂限位螺栓、摆臂坚固螺母的腐蚀程度，要对转换机构及轴套，螺栓......
片制造中由于灰尘或者切割或工艺等问题，会使同一片wafer中若干区域损坏，造成芯片报废。我们还是一下图为例。黑色点为损坏点。单个芯片面积越大良率越低。 那如我们同时将晶元的面积变大，这样......
为本设计资料展示图： 2.仿真结果 开始仿真 打开仿真工程，双击proteus中的单片机，选择hex文件路径，然后开始仿真。 开始仿真后，调整温度变大，当温度106℃大于温度上限值105℃后蜂鸣器报警，温度......
建立模糊规则表如表1 所示。 注: 表格中列CE 由0 到PB 表示照度从小变大， 由0 到NB 变化表示照度从大变小。 表格中行△E 由0 到PB 表示照度按一定速度向照度增大的方向变化，由0 到NB 变化......
分压VCC由大变小直至为0V。也就是红色波形从0开始跳变一瞬间，VCC已经是最大值，所以微分有超前预判的性质（反映的是输入信号的变化率）。 图9：微分电路波形 如图10为（反相）比例运算电路。 图......
详析Doherty功放设计之负载牵引原理（上）;管子是有膝点电压的。在输出特性曲线（图1-3）中，负载变大后负载线与输出特性曲线最左边的交点会变小，膝点电压左移，这样电压的摆幅就可以变大了（否则......
C51模拟PWM(2024-04-09)
}这一集合中取值。 　　 　　模拟电压和电流可直接用来进行控制，如对汽车收音机的音量进行控制。在简单的模拟收音机中，音量旋钮被连接到一个可变电阻。拧动旋钮时，电阻值变大或变小；流经......
磁钢厚度对电机性能的影响分析;磁路和电路类似，磁钢和电源是可以类比的，只增加厚度，剩磁对应的磁通不变，但是内磁阻变大，当外磁路磁阻不变时，外磁路的磁通会变大。   关于退磁：磁铁......
磁钢厚度对电机性能的作用分析;磁路和电路类似，磁钢和电源是可以类比的，只增加厚度，剩磁对应的磁通不变，但是内磁阻变大，当外磁路磁阻不变时，外磁路的磁通会变大。 关于退磁：磁铁对应磁动势增大，内磁......
磁钢厚度对电机性能起到什么作用？;磁路和电路类似，磁钢和电源是可以类比的，只增加厚度，剩磁对应的磁通不变，但是内磁阻变大，当外磁路磁阻不变时，外磁路的磁通会变大。 关于退磁：磁铁对应磁动势增大，内磁......
为电阻，虚部为电抗(有功功率为实，无功功率为虚)。 · 电抗 电抗分为电容产生的容抗与电感产生的感抗，都随电路的电流频率而变化，但是电阻不会。 *容抗，容抗=1/2πfC，低频时变大高频时变小，直流......
入信号增大时，则Ib增大，Ic电流增大，则电阻R2的电压U2=Ic×R2会随之增大，Uce=VCC-U2会变小。U2最大理论上能达到等于VCC，则Uce最小会达到0V。这是说，在输入信增加时，Uce最大变......
之减小，Uce=VCC-U2，会变大。在输入信减小时，Uce最大变化是从1/2的VCC变化到VCC。这样，在输入信号一定范围内发生正负变化时，Uce以1/2VCC为准......
）OSPEEDR速率后异常现象消失，GPIO速率调整后CLK信号斜率变大，tCLQV跟随变小，软件抓到错误数据的现象消失，这个实验结果也与上述tCLQV这个怀疑点相匹配。下面是不同GPIO速率......
，所以可以看出最高频率与频谱分辨率是相互矛盾的，提高频谱分辨率f的同时，在N确定的情况下必定会导致最高频率fh的减小;同样的，提高最高频率fh的同时必会引起f的增大，即分辨率变大。 2、栅栏......
电阻的阻值也跟着一起变化。        在温度范围内，由于温度变化不同，热敏电阻分为正温度系数热敏电阻（简称PTC热敏电阻）和负温度系数热敏电阻（简称NTC热敏电阻）。温度升高，PTC热敏电阻阻值变大，而NTC热敏电阻阻值变小......
线圈中的电阻非常小，而电感较大，从而产生一个较大的电感电压。由于电容器中存储着电能，当电感电压达到一定值时，电容器便会开始放电，电流通过电容器开始流动，从而实现轻负载的启动。当电机的转速逐渐提高时，电感电压会随之变小......
器的对被测电路影响大所致，因此测量晶体一定要使用×10档位，此档位使示波器输入阻抗变大。另外，Rin和Cin组成了低通滤波器，因此高频信号会有一定程度衰减，被测信号的频率越高衰减的越厉害。 3、×10档位......
： 功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细......
电机无法旋转。当我们用外力使电动机向某一方向旋转时（如顺时针方向旋转），这时转子与顺时针旋转方向的旋转磁场间的切割磁力线运动变小；转子与逆时针旋转方向的旋转磁场间的切割磁力线运动变大。这样......
三角波信号电压低于参考电压，则将开关元件导通，如果高于参考电压，则将开关元件关闭。为了增加电机电流，需要增加参考电压。这意味着开关元件占空比变大，并且由于平均电压增加，电机电流增加。如果降低参考电压，则开关元件占空比变小......
路电压高于压敏电阻的电压时，阻值变小，压敏电阻开关处于闭合状态，电路中的电流变大，经过压敏电阻时，压敏电阻吸收多余电流，将电压钳位到固定值起到保护电路和其它电子元件作用。 智旭电子压敏电阻 可以看出其实TVS管和......
可以测试到的交流RMS值随之变小。要测试到探头额定最大交流 RMS值，其对应的最大频率范围与之标称的最大测试频率范围相差甚远。 　　 　　N2871A+N2872A+N2873A+N2875A+N2894A 只能......
以使用。 输入的三相交流电进入变频器后，被整流成直流，不管是三相还是两相，均会变成直流。 唯一区别在于，如果缺相了，整流出来的直流纹波会变大，当带的电机负载较重时，变频器可能会报警，一般是报欠压。 变频......
顺时针旋转），顺时针旋转时转子与旋转磁场之间切割磁力线的运动变小；转子和逆时针方向的旋转磁场之间的切割磁力线的运动变大。这样平衡被打破，转子产生的总电磁力矩将不再为零，转子将沿推动方向旋转。 单相......
渠道端早已传出手机应用处理器价格松动，仅有部分高端应用处理器价格没有太大变大。 手机功率放大器的价格走势也是持续下行。有观点认为，手机功率放大器成去库存“重灾区”。近年国内的手机功率放大器厂商多达三四十家，但仅......
的变化。现在我们假设一种情况：即输入电压UI不变，但负载电阻RL变小时是如何稳压的。 由于负载电阻RL变小会直接导致负载通路的电流IR变大，所以流过限流电阻的电流IR会增大，导致限流电阻压降增大，所以......
谢仲辉所说：“工艺尺寸变小让开发者在面积上更有把握，但与过去（平面工艺）相比，现在工艺升级带来的功耗降低与性能提升效果甚微，没那么线性了。” 立体封装（3D封装）流行的另一个原因是集成电路不同模块对工艺要求差异变大......
们用外力使电动机向某一方向旋转时(如顺时针方向旋转)，这时转子与顺时针旋转方向的旋转磁场间的切割磁力线运动变小; 转子与逆时针旋转方向的旋转磁场间的切割磁力线运动变大。 这样平衡就打破了，转子......
）  检查微晶板表面与线盘表面之间间距是否在正常范围10-11mm； （6）  检查线盘是否变形，表面是否变黑； （7）  检查PWM滤波电容EC8是否漏电； （8）  检查C11 (5uF)高压滤波电容容量是否变小......
同等芯片面积下宽禁带的器件导通损耗要小得多。而相同材料下耐压越高的器件就会越厚，导通损耗就会变大。这种由芯片厚度引起的导通损耗不受门极电压影响，所以器件耐压越高，门极电压即使进一步增大对导通损耗贡献是有限的。 我们......
信号线在表层由于贴了扫码标签纸导致系统跑不起来，其实就是和防静电袋的影响差不多，这种防静电袋主要为了使塑料能遮罩电磁波，要对塑料进行金属化处理，使用一种叫抗静电剂的复合材料，导致相对介电常数变大，从阻抗线来看，阻抗变小很多，且比......
倒置电容和3端子电容，相比传统的2端子电容也有明显的优势。“电流通路的长短决定了ESL的大小。长宽倒置电容将电极位置倒了过来，电流通路也就更短；并且Pad变大以后，从整体上来看ESL也就变小了；3端子电容有4......
化，所以请注意，在敝公司标准电路板上的测量值很多时候不适合客户的电路板。 作为例子，显示了随着电路板集电极land面积的变大Rth(j-c)变小的示例。（除了集电极land的面积、厚度、材质......
管低效，如三极管放大倍数降低，或导通内阻变大，二极管正向电阻变大，反向电阻变小等； 2、用万用表不能测出的电容的相关介质损耗、频率损耗等； 3、晶体管、芯片器件的老化和参数漂移，如光......
以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口;作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门半导体工艺与整合高级工程师王青鹏博士 持续的器件微缩导致特征尺寸变小......
iPhone 8 传采无边框设计、屏幕变大？; 日本苹果情报网站 iPhone Mania 12 日转......
锂离子电池快充和慢充电路上的区别;电动汽车充电快慢与充电机功率、电池充电特性和温度等紧密相关。当前电池技术水平下，即使快充也要30分钟充电到电池容量的80%，超过80%后，为保护电池安全，充电电流必须变小......
上升的时间，也就是在D、S并联外加电容，降低VDS上升的斜率，VDS和ID交叠区的面积减小，从而降低关断损耗，如图5所示。VDS2为外部D、S并联电容的波形，VDS2上升斜率小，和ID电流的交叠区的面积也变小......
才能充分滤除高低频。 电容频率越高时候则衰减越大，电容像一个水塘，几滴水不足以引起它的很大变化，也就是说电压波动不是你很大时候电压可以缓冲，如图C2： 图C2 温度补偿：针对......
进行的就是压缩冲程；当汽缸容积小到接近临界值时，火花塞点火，引燃缸内混合气体，气体急速膨胀，推动转子继续顺时针方向转动，随后汽缸容积变大，当扫气条运动到排气口时，做功完成；扫气条扫过排气口以后，排气口与汽缸相通，此时......
电路中的主要元器件，并分别假设它们出现开路、短路、阻值变大和变小等故障，分析这种故障对直流电路和交流电路的影响，从而推理出可能的故障根源。 修理识图的关键是找出电路中关键测试点： 1.单级放大器关键测试点 如图......

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