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天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势，或降维打击超声波和红外方案(2023-01-08)
天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势，或降维打击超声波和红外方案;
随着集成度的提高，雷达模块成本不断下降，相比砷化镓工艺雷达，硅锗工艺雷达成本能下降一半，而加......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
低噪声放大器(lna)：尽管GaN和GaAs在噪声性能方面不分伯仲，但是GaN可以处理已经失真或失效的更大幅度信号。氮化镓在这些低噪声放大器领域不会很快取代砷化镓、硅锗(锗硅)或任何其他技术。然而......
清华团队探微揭秘：飞秒激光或可改写材料“基因”(2023-02-09)
凝聚态体系中的实验进展非常少，很多关键的科学问题，例如能否在具有电子和光电器件应用前景的半导体中实现能带结构的瞬时调控，仍然有待实验的证实。
据了解，当前学界的研究主要聚焦在材料的平衡态特性，而对......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga₂O₃），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
立了相对应的外延生长机理模型图。
在β-Ga2O3日盲光电探测器制备方面，研究团队基于II型能带结构制备的CuCrO2/β-Ga2O3 p-n异质结型的自供电日盲光电探测器具有6.5 pA的低暗电流、5.7×104的高......
功率半导体：锗和 SiGe 可能获得另一次机会(2023-01-12)
的硅压降被它的许多其他优点所抵消。
现在，当然，半导体世界主要基于硅。是的，我们有用于特殊应用的氮化镓 (GaN)、砷化镓 (GaAs)，甚至碳化硅
(SiC)，但绝......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
回程网络等相关组件，同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者，鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳，砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管，提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
元素的各类晶体材料具有优良的热电和制冷效应，是长期以来热电制冷器件领域的重要技术方向，具有广阔的应用前景。
在制备方面，锑化物窄带隙半导体与砷化镓、磷化铟等III-V族体系的结构特性、制备......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
-Ga2O3日盲光电探测器制备方面，研究团队基于II型能带结构制备的CuCrO2/β-Ga2O3 p-n异质结型的自供电日盲光电探测器具有6.5 pA的低暗电流、5.7×104的高光暗电流比、50 mA......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
%。
砷化镓器件应用于消费电子射频功放，是 3G/4G 通讯应用的主力，物联网将是其未来应用的蓝海；氮化镓器件则以高性能特点目前广泛应用于基站、雷达、电子战等军工领域，利润率高且战略位置显著，由于......
光电子先导院亮相第25届中国国际光电博览会(2024-09-11)
无源分立器件设计和流片，还具备集成了空气桥结构和背面通孔结构的砷化镓PIN二极管的设计和流片能力。”
光电子先导院总经理杨军红(右)向客户介绍业务概况
据了解，光电......
我国科学家实现极化激元晶体管(2023-02-10)
层厚的材料为高度压缩的光学模式提供基础，范德华堆垛满足了模式杂化的近场匹配，线性能带结构提供电栅压调制的平台。该研究大幅提高了纳米尺度光波的精确操控水平，为纳米尺度光操控提供新方法，有望......
日本大厂，布局汽车GaN器件，但高成本仍是障碍(2024-10-21)
业务开发部门负责人Kenji Fujito说：“氮化镓能否得到广泛应用，关键在于电动汽车是否采用它。”为此，需要开发大直径基板。
氮化镓半导体器件是通过在基板上生长氮化镓......
中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转(2021-09-27)
Functional Materials 2021, 31, 2103007]。
图1.器件工作原理示意图
基于前期的工作积累，研究人员从GaN基半导体p-n异质结能带结构设计，MBE外延......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动;随着第三代半导体锋芒毕露，第二代半导体材料砷化镓隐隐暗淡，但凭借耐热、抗辐射、发光效率等优良特性在微电子与光电领域被寄予厚望。近期，市场传来新动态：英国......
立昂微：加码微波射频芯片，拟斥5亿设立海宁子公司(2021-01-04)
公司”)，注册资本为5亿元人民币，专项负责推进、实施所投资项目。
据介绍，微波射频集成电路芯片项目总投资约43亿元人民币，其中设备投资36.05亿。建成后，年产36万片6英寸砷化镓/氮化镓......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗(2024-04-10)
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗;我们都知道，半导体材料对5G、人工智能、物联网等新兴电子信息产业有着举足轻重的作用。其中，有一种叫的半导体材料，以它制成的，还有着更强大和广阔的应用。本文......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津;由北京、天津、河北三省市联合举办的2024京津冀产业链供应链大会于10月24日至25日在国家会展中心（天津）举办。
京津......
Power Integrations收购Odyssey Semiconducto(2024-05-08)
Integrations将在成本、电压电流以及在充分利用氮化镓能力的系统级产品设计方面，继续引领行业并推动技术向前发展。”......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
%，而阴极面积仅占10%；基区空穴-电子寿命很长，门-阴极之间的水平距离小于一个扩散长度。上述两个结构特点确保了该器件在开通瞬间，阴极面积能得到100%的应用。此外，该器......
高通PA杀入供应链，大补贴抢市场吓慌Skyworks(2017-08-02)
供应商采用砷化镓（GaAs）工艺不同。但是由于CMOS的性能问题始终没能得到有效解决，于是在今年早期，高通开始转向GaAs工艺。
高通更宣布与日系零组件大厂TDK合资，拟在......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读;
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2010 年起因为从2G 进入3G 时代(2010~2013......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工(2024-02-29)
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。
据悉，菏泽市牡丹区砷化镓......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。
项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
正式落户宜兴经济技术开发区。
据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
华为再次投资半导体企业，这次瞄准它(2020-12-11)
华为再次投资半导体企业，这次瞄准它;华为将又一次出手投资半导体企业，这次瞄准的是一家砷化镓及磷化铟衬底生产商。
12月10日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（以下简称“云南锗业”）公告披露，公司......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机(2024-08-06)
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机;据珠海高新区消息，8月3日上午，格创·华芯半导体园区落成暨设备进机仪式举行。
格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元，是格......
苹果自研MicroLED，欧司朗或成主要受益厂商(2023-01-26)
情况下，产率应该达到99.999%。
他还认为，苹果需要培育几乎整条供应链，在源头上需要解决8英寸蓝宝石和砷化镓晶圆供应问题。
此外......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10 14:07)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-29 09:49)
于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、D类音频。
在激光雷达领域，氮化镓器件的Qg、Qoss等参数相比硅器件提升1.5~3倍；与早期激光雷达产品相比，采用氮化镓能......
Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产(2024-05-08)
Odyssey团队都很高兴能加入Power Integrations，共同加速他们的氮化镓技术产品的研发过程。作为首家实现高压氮化镓商业化的公司，Power Integrations将在成本、电压电流以及在充分利用氮化镓能......
Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产(2024-05-08 10:33)
Integrations，共同加速他们的氮化镓技术产品的研发过程。作为首家实现高压氮化镓商业化的公司，Power Integrations将在成本、电压电流以及在充分利用氮化镓能力的系统级产品设计方面，继续......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。
北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产
招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓......
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶(2023-06-09)
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶;据广东国资消息，近日，广晟集团控股上市公司中金岭南所属韶关冶炼厂在稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队的努力下，韶冶厂成功自主合成第一炉砷化镓......
总投资超100亿，多个化合物半导体项目签约浙江台州(2021-07-29)
端制造业和顶尖人才领衔项目签约，总投资额达227亿元，其中包括锗硅、砷化镓第三代半导体和化合物半导体衬底片制造两个半导体项目，两大项目合计投资达105亿元。
锗硅、砷化镓第三代半导体项目
项目......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
科技关联方供应有保障
资料显示，鑫耀半导体成立于2013年，是云南锗业旗下控股子公司，主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）的研发和生产，产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器（VCSEL......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-30)
光雷达领域，氮化镓器件的Qg、Qoss等参数相比硅器件提升1.5~3倍；与早期激光雷达产品相比，采用氮化镓能够将开关速度提升13倍，脉冲宽度减小五分之一。当前，L2辅助驾驶使用MOS方案......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料开始崭露头脚。GaAs、InP等材料适用于制作高速、高频......
长光华芯拟投资10亿元新建先进化合物半导体光电子平台项目，计划2023年开工(2022-12-28)
是综合性激光半导体公司，有三大材料体系（砷化镓、磷化铟、氮化镓），边发射和面发射两种芯片结构，覆盖的波段450nm-2000nm可见光和近红外，以及特殊领域应用的波段。主要产品高功率半导体激光芯片、VCSEL......
“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
”。
部分公司影响稍大
根据公告显示，我国决定对镓、锗相关物项实施出口管制，并从今年8月1日起正式实施。据了解，镓相关物项包括金属镓（单质）、氧化镓、氮化镓、磷化镓、砷化镓等，而锗相关物项包括金属锗、磷锗......
除了功率和射频，化合物半导体还有哪些发展契机？(2021-03-29)
面部识别、车用激光雷达（LiDAR）等。
按照激光芯片结构，半导体激光器可以分为两类：边发射激光器和垂直腔面发射激光器(VCSEL)。半导体激光器的常用材料主要有砷化镓(GaAs)、硫化......
英国格拉斯哥大学将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性表面(2022-07-19)
英国格拉斯哥大学将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性表面;据科技日报7月17日报道，英国格拉斯哥大学科学家找到一种新方法，可以将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性塑料表面，所得......
电子新材料产业园项目封顶，将新建20余条第三代半导体材料应用等生产线(2023-08-15)
新材料产业园项目是市、区重点项目，总占地面积88亩，计划建设10万平方米生产厂房及技术研发大楼等辅助设施，新建20余条第三代半导体材料应用、封装测试等生产线。主要生产半导体氮化镓、碳化硅、砷化镓......
机械增加与涡轮增压的结构特点与工作原理(2023-12-18)
机械增加与涡轮增压的结构特点与工作原理;随着现代科学技术的发展，很多零部件在汽车上得到了更广泛的应用，汽车的科技感也变得越来越强。技术不断革新，新技术层出不穷，使得汽车发动机的动力日渐增强。增压......
ESP系统中常用传感器的结构特点及信号特性分析(2024-07-04)
ESP系统中常用传感器的结构特点及信号特性分析;一、引言
电子稳定程序(ESP)是现代汽车安全系统中的重要组成部分，它通过实时监测车辆的运动状态，并在必要时自动调整车辆的行驶轨迹，从而......
HMC554A-DIE数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:11)
HMC554A-DIE数据手册和产品信息;HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属......
感应电机设计方法_感应电机结构特点(2023-05-31)
感应电机设计方法_感应电机结构特点; 感应电机设计方法
感应电机的设计方法通常包括以下几个步骤：
确定设计参数：首先需要确定电机的功率、额定电压、额定频率、极数等设计参数，这些......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
Asahikasei SDC MELEXIS等。 经营品种有：电源管理IC，马达驱动IC，砷化镓霍尔元件，锑化铟霍尔元件，双极型霍尔IC，光电器件。 我们的产品广泛应用于微型电机、DC-FAN、开关
造价低等优点。不锈钢装饰塔工程根据建筑本身的结构特点和用户的要求或建筑进行外观设计、制作效果图，使之与建筑和二为一，外形美观多样、具有标志性的装饰外观，深受广大工矿、企事业单位的赞誉，产品
务范围包括：磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术，匹配全套芯片和后道封装生产设备，以完善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓
;上海瑞通实业公司;;专营珐琅电阻我们的产品主要用途:普通/民用电子信息产品 环保类别:无铅环保型 功率分类:大功率（＞5W） 精度类别:普通型 外形结构特征:圆柱体型 引出线类型:无引出线 包装