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苹果MacBook Pro 16笔记本电脑的快充。此外USB-C2接口支持100W快充，USB-A口支持60W快充，多口共同使用时支持功率自动分配。能够满足手机，笔记本电脑和其他设备供电需求。 这款氮化镓......
最新氮化镓(GaN)器件可提供高达100W功率，PI InnoSwitch芯片销量突破10亿颗;深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations日前宣布，突破......
Integrations  今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术，可提供高达100W的功率，效率超过93......
实现更小巧的便携电源适配器的设计。 从工程师角度来看，InnoSwitch4-Pro采用氮化镓PowiGaN技术、集成I2C接口的数字控制器，支持多种USB-PD协议。再配合MinE-CAP缩减......
Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC;新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源，输出功率可高达100W深耕......
于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 推出900V氮化镓反激式开关IC，新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源，输出功率可高达100W......
达克股票代号：POWI）今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术，可提供高达100W的功率，效率超过93%，因而......
满足汽车中的不同电压和功率等级，PI已先后推出包括750V、900V硅功率开关以及1700V碳化硅产品，而900V氮化镓的推出，更是将功率提升至100W。 900V氮化镓的优势 最新的氮化镓......
提供900V氮化镓(GaN)选项。 新器件采用PI的PowiGaN技术，可提供高达100W的功率，效率超过93%，并且无需散热片。 更大的功率和更高的设计裕量特别适用于在基于400V母线......
GaN Systems推出第四代氮化镓平台;全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅......
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠......
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠......
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠......
靠性的快充产品。 特别是作为氮化镓快充控制器国产化先驱，率先实现氮化镓控制芯片的自主可控，至今已成功量产多款集成GaN直驱的控制器，凭借成熟的高集成度GaN解决方案，已与多品牌达成深度合作，得到......
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要• GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助......
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要 • GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助......
4-Pro系列可数字控制的离线恒压/恒流零电压开关(ZVS)反激式IC，可大幅缩减电源适配器的尺寸。这些高度集成的器件采用稳定耐用的PowiGaN氮化镓初级开关，稳态开关频率高达140kHz，可减......
大联大友尚集团推出基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案;9月20日，大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品以及氮化镓......
宣布推出InnoSwitch™4-Pro系列可数字控制的离线恒压/恒流零电压开关(ZVS)反激式IC，可大幅缩减电源适配器的尺寸。这些高度集成的器件采用稳定耐用的PowiGaN氮化镓初级开关，稳态......
二季度总收入增至1810万美元，比2022年第二季度的860万美元增长110%，比2023年第一季度的1340万美元增长35%。此外，纳微半导体累计已发货超过1亿颗氮化镓（GaN）和1200万颗碳化硅（SiC）功率......
在台北举办客户与合作伙伴新闻发布会，正式向全球发布GaNSafe™高性能宽禁带功率平台。纳微通过升级这一第四代氮化镓技术，以满足数据中心、太阳能/储能和电动汽车市场等要求苛刻的高功率应用场景需求，在这些目标应用中，效率、功率......
InnoSwitch3－AQ现已推出900V PowiGaN开关，可在电动汽车中提供高达100W的输出功率;符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC现在提供900V氮化镓......
-AQ器件可以从400V母线提供100W的输出功率，并且具备与800V电动汽车系统所用的广受欢迎的1700V碳化硅InnoSwitch3-AQ IC类似的性能和保护功能。 供货及相关资源 900V氮化镓......
PI推出数模结合的InnoSwitch4－Pro反激式氮化镓开关IC;深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（PI）近日推出了其InnoSwitch4......
光也给出了自己对市场的观察总结：目前在100W的电源市场中，氮化镓已经获胜，而在更多高功率，甚至到了100kW的应用，也在开始尝试氮化镓产品。而现在，PI的野心不止是与硅抢夺市场，还正打算“碰瓷”碳化......
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？;作为宽禁带半导体家族中的一员，氮化镓(GaN)功率器件近两年获得了比之前更高的关注度，正逐渐成为第三代半导体材料中最耀眼的一颗新星。 根据Yole......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统 加州......
全新MASTERGAN1，让GaN晶体管更具说服力和直观性;前不久意法半导体发布了全新MASTERGAN1产品，它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓（GaN）晶体管， 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统高可靠性、高性能氮化镓......
、OPPO等厂商积极发力氮化镓快充产品相比，苹果在充电功率方面一直较为“保守”。去年10月，伴随新款MacBook Pro的发布，苹果推出了140W USB-C电源适配器（下图），这是苹果首款采用氮化镓......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型; 【导读】高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm......
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域，我们为客户提供全面的产品组合与支持，包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。” 充电解决方案仅是一个开端，未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓......
双方已经在充电领域展开了深度的合作，产品和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域，我们为客户提供全面的产品组合与支持，包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”   充电......
可谓是最佳之选。 PI新推出的设计范例DER-953Q是一款紧凑型100W电源，该电源采用集成了900 V PowiGaN氮化镓的InnoSwitch3-AQ器件设计而成。这款设计演示了一种在400V电动......
简要讨论了的优势及其设计挑战。然后，介绍了Power Integrations的三个带有内部氮化镓功率开关的集成离线反激式转换开关 IC 平台，并说明如何使用它们来制作高效率的。最后讨论了互补的MinE-CAP大容......
插座还有独特的“小魔吸”吸盘底座，可固定在桌面避免位移。 另一款充电器产品，100W安全快充采用第三代GaN（氮化镓）半导体材料，减少了体积，更为高效节能；三口独立输出，智能识别设备，动态分配功率。采用......
NVIDIA的GH200）功耗高达1,000W。集成氮化镓功率芯片有巨大的潜力和机会来满足所需功率、效率和功率密度的显著增加。纳微全新3.2kW基于GaN IC的服务器电源平台提供了业界领先的100W......
满足了在灵活性、高功率密度以及低成本等方面的挑战。 阎金光表示，InnoSwitch 5-Pro转换效率可达95%，最主要原因是采用了氮化镓（GaN）的功率开关。值得注意的是，此次InnoSwitch 5-Pro......
ST VIPERGAN5065100系列高压氮化镓转换器，支持最高100W输出功率; VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列......
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域，我们为客户提供全面的产品组合与支持，包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。” 充电解决方案仅是一个开端，未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓......
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域，我们为客户提供全面的产品组合与支持，包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”充电解决方案仅是一个开端，未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓......
x 5mm QFN40和6mm x 6mm QFN48封装），ZGM230S模块和配套套件（xG23/ZGM230射频板和Z-Wave 800 Pro套件）现已开始供货。 氮化镓（GaN）射频......
韩国专业晶圆代工厂DB Hitek加大SiC、GaN研发; 【导读】韩国专业IC代工厂DB Hitek（东部高科）加大了在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体领域的研发力度，以支......
为该系列充电器的名称：G35 Pro 氮化镓快速充电器。 包装盒背面为充电器的基本参数信息，并拥有低碳电源认证标识。 产品名称：G35 Pro 氮化镓快速充电器（以下简称：航嘉G35 Pro 安全......
亿像素单镜变焦相机，支持 100W 快充，售价 1999 元起，Realme 11 Pro 设计及配置与真我 11 Pro+ 近似，相机为一亿像素，售价 1699 元起。 官方......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路; 【导读】如今的消费类电源市场，要说「几乎人手一个氮化镓快充充电器」并不过分吧？从 2018 年前后开始，氮化镓快充充电器进入国内市场，随后......
环旭电子投资氮化镓公司，加码功率电子战略;11月24日，环旭电子宣布，公司全资子公司环鸿电子股份有限公司与氮化镓系统有限公司（GaN Systems Inc.，以下简称“氮化镓公司”）签订......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用 未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！;9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。 英飞凌表示，公司......

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manufacturing in Taiwan. ; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
东莞中和光电有限公司
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
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(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
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;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
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;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
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子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
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;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头，集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
深圳市港晟电子有限公司
兆龙； 【氮化镓】： 英诺赛科、GaN systems； 【单片机】： GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
深圳市瑞光科技有限公司
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过
江苏苏州谷邦（等离子氮化）表面技术有限公司
;江苏苏州谷邦（等离子氮化）表面技术有限公司;;谷邦公司拥有多台国内最先进的金属表面离子渗氮设备-真空＊辉光＊脉冲-等离子氮化炉（可承载直径2000mm氮化工件），炉内气压、气体气氛、温度