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研发客服随着电子产品日新月异的发展，越来越多的电子产品实现了小型化，便于携带，因此充电器市场爆发巨大潜能，各大品牌半导体都推出了自己相应的解决方案，目前市场上 受到市场的欢迎，安森美半导体也推出多种PD方案：有用于高功率密度跑高频的有源钳位反激方案NCP1568，因为此方案需要增加一个专用的MOSFET 及MOSFET Driver用来做反激电压尖峰的吸收，因此会增加成本； 高频准谐振方案NCP1342是一个简单的反激拓扑，可以在减小磁性器件的同时做高频驱动以减小体积；用于普通功率密度工作于低频的可以配合普通的磁性材料无需做小体积，采用此方案可以做到高性能低成本，适用于对于BOM成本较低的应用，下文主要介绍PD65WGEVB，可以覆盖目前市场流行的45W及60W产品。
本文引用地址：ON 65W PD方案主控芯片是Flyback拓扑控制芯片，副边整流电路搭配同步整流控制器NCP4306, 输出端采用控制芯片FUSB3307,具有过电流保护，过电压保护等保护方式，基于USB PD标准提供了5V/12V/20V多组输出电压标准,最大输出功率做到65W，输入电压从90Vrms到265Vrms，采用超结 MOSFET 低频率驱动实现低成本高效率，因工作于低频模式，普通MOSFET即可满足高效能特性，变压器不需要做的很小，因此降低绕制难度及成本。
NCP12601是多模式工作管理芯片，当电源工作在重载时NCP12601工作在CCM模式，当负载减少该控制器将进入非连续导通模式，频率折回，在空载条件下，控制器进入跳周期模式运行，以实现卓越的待机功耗性能。传统反激变换器工作模式是固定的，而NCP12601结合QR 模式和CCM 模式优化了电源效率，在同等输出电压工作条件下，此方案能达到更高的效率，以下图表有列出DEMO NCP12601PD65WGEVB在115Vrms, 230Vrms输入条件下，分别测试了在电源输出在5V/9V/12V/15V/20V下对应的10%/25%/50%/75%/100%负载状况，从图表中可看到5V条件下5点平均效率可达88%，20V输出条件下5点平均效率可达92.9%，此方案效率得到极大优化，真正解决了轻载条件效率低的问题。
NCP12601 还具有一个高达750V 的高压启动电源以实现自启动，而且HV还具有brown out保护功能，X电容放电机制，可以应用于更宽输入电压范围的应用场合。
►场景应用图
►产品实体图
►展示板照片
►方案方块图
►方案线路图
►核心技术优势
· 内部集成750V高压启动电源
· CCM/DCM多模式工作
· 主芯片集成X2电容放电机制
· 低待机功耗 <32mW @230Vrms
· 抖频技术改善EMI
►方案规格
· 输入电压：90Vrms - 265Vrms
· 输出电压：5Vdc-20Vdc
· 输出电流：5A Max
· 输出功率： 65W Max
· 输出纹波：<100mV
· 功率密度：10.7 W / inch3
· 效率： 92.4% @115Vrms 92.9%@230Vrms
· 工作温度：0-50℃
· 法规：遵从CoC5 Tier2法规
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