三星将在ISSCC展示280层3D QLC NAND

发布时间:2024-01-31  

【导读】媒体报道,在2024年IEEE-SSCC上,三星除了37Gbps GDDR7内存外,还准备展示其它几项内存创新。


媒体报道,在2024年IEEE-SSCC上,三星除了37Gbps GDDR7内存外,还准备展示其它几项内存创新。


首先,该公司将展示新型280层3D QLC ,密度为1Tb,可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为28.5Gb/mm²,速度为3.2GB/s。

三星将在ISSCC展示280层3D QLC NAND

即将到来的2024年 ISSCC日程表概述了高速内存的展示计划,其中包括基于三星和SK海力士GDDR7规格的37Gb/s和35.4 Gb/s变体。两家公司都打算利用创新的PAM3和NRZ信号技术,在图形存储器领域取得进步。

虽然GDDR7内存(速度高达32Gb/s)已经正式发布,但三星和海力士正在以更快的内存开发速度进一步突破界限。美光也加入了这场竞争,宣布致力于开发36Gb/s的GDDR7内存,预计最早将于2026年投放市场。在这种竞争态势下,三星和海力士将首先推出速度稍低的模块,很可能在稍后阶段逐步推出35Gb/s模块。

接下来是新一代DDR5内存芯片,其数据传输率为DDR5-8000,密度为32Gbit(4GB)。该芯片采用对称马赛克DRAM单元架构,基于三星专为DRAM产品优化的第5代10纳米级代工节点制造。

该芯片令人印象深刻的是,它允许PC内存供应商以DDR5-8000的速度构建32GB和48GB DIMM(单排配置),以及64GB和96GB DIMM(双排配置)(前提是平台能很好地使用双排的DDR5-8000)。


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