在半导体工艺技术进入10纳米节点之后，EUV光刻设备是工艺中不可或缺的步骤。不过，因为EUV光刻设备每台价格高达1.5亿美元，而且产量有限，这使得芯片的生产成本骤然升高。为解决这样的问题，日本存储器大厂铠侠现在联合了合作伙伴开发了新的工艺技术，可以不使用EUV光刻设备，使工艺技术直达5纳米。

根据日本媒体的报导，铠侠从2017年开始与半导体设备厂佳能，以及光罩、模板等半导体零组件制造商DNP合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影的量产技术。当前铠侠已掌握15纳米的制程量产技术，目前正在进行15纳米以下技术研发，预计2025年进一步达成。

相较于目前已商用化的EUV技术半导体制程，铠侠表示，NIL技术更加减少耗能，而且大幅降低设备成本。原因在于NIL技术的微影制程较为单纯，耗电量可压低至EUV技术的10%，并让设备投资降低至仅有EUV设备的40%。目前，EUV光刻设备由荷兰商ASML独家生产供应，其不但价格高，而且需要许多检测设备的配合。而虽然NIL技术有许多的优点，但现阶段在导入量产上仍有不少问题有待解决，其中包括更容易因灰尘而形成瑕疵。

报道指出，对铠侠来说，NAND零组件因为采取3D立体堆叠结构，更容易适应NIL技术制程。而铠侠也表示，当前已解决NIL的基本技术问题，正在进行量产技术的鸭画工作，希望能较其他竞争对手率先引入NAND生产当中。而一旦铠侠能成功率先引进NIL的量产技术，可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面，又能符合减少碳排放的需求。

另外，根据DNP的说法，NIL量产技术电路微缩程度可达5纳米节点，而DNP从2021年春天开始，就已经在根据设备的规格值进行内部的模拟当中。而对于这样的技术进步，DNP也透露，从半导体制造商对NIL量产技术询问度的增加，显示不少厂商对NIL技术寄予厚望。另外，另一个合作伙伴佳能，则是致力于将NIL量产技术广泛的应用于制作DRAM及PC用的CPU等逻辑芯片的设备上，以在未来供应多的半导体制造商，将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程上。

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