传HBM良率仅为65%,存储大厂力争通过英伟达测试

发布时间:2024-03-07  

【导读】HBM高带宽存储芯片被广泛应用于最先进的人工智能(AI)芯片,据业界消息,英伟达的质量测试对存储厂商提出挑战,因为相比传统DRAM产品,HBM的良率明显较低。


传HBM良率仅为65%,存储大厂力争通过英伟达测试


HBM高带宽存储芯片被广泛应用于最先进的人工智能(AI)芯片,据业界消息,英伟达的质量测试对存储厂商提出挑战,因为相比传统DRAM产品,HBM的良率明显较低。


台积电、三星代工等公司,此前在加工单一硅晶圆时一直面临将良率维持在最佳水平的挑战,但当前这一问题蔓延到了HBM行业。


消息称美光、SK海力士等存储厂商,在英伟达下一代AI GPU的资格测试中将进行竞争,似乎差距不大,而良率将是厂商们的阻碍。


据悉,HBM制造过程中,多层堆叠的复杂性导致良率变低,小芯片之间通过硅通孔(TSV)工艺相连,这种复杂性增加了制造过程中出现缺陷的机会。如果HBM中的一层被证明有缺陷,那么整个堆叠都会被丢弃,因而造成良率难以提升。


消息人市场称,目前HBM存储芯片的整体良率在65%左右,其中美光、SK海力士似乎在这场竞争中处于领先地位。据悉,美光已开始为英伟达当前最新的H200 AI GPU生产HBM3e存储芯片,因为其已通过Team Green设定的认证阶段。


SK海力士副社长Kim Ki-tae曾在2月21日的官方消息中指出,虽然外部不稳定因素仍然存在,但今年存储芯片市场有望逐渐回温,PC、智能手机等应用,不仅会提升HBM3e销量,也能带动DDR5、LPDDR5T等产品需求增加。这名高管表示,旗下HBM已全部售罄,公司已开始为2025年准备。


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