IR推出25V FastIRFET创新功率MOSFET系列

发布时间:2013-09-25  

IR推出25V FastIRFET创新功率MOSFET系列,适用于先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 和笔记本电脑等DC-DC同步降压应用。

全新FastIRFET系列配备IR新一代硅技术,采用符合行业标准的PQFN封装,为分立式DC-DC转换器提供基准功率密度。该系列包括能够提供低至0.7 mΩ导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH4201,以及旨在降低鸣震和进一步提升系统效率的IRFH4210D和IRFH4213D单片式FETKY组件。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“这款先进的25V FastIRFET MOSFET为高性能分立式DC-DC开关应用提供行业领先的功率密度。这些器件与IR旗下的集成式SupIRbuck、PowIRstage和电源模块平台相辅相成,为设计人员提供一系列高性能DC-DC转换器。”

IR FastIRFET器件为5V栅极驱动应用作出优化,可与各种控制器或驱动器共同操作,从而使设计更灵活,并且以小占位面积实现高电流、效率和频率。新器件采用符合行业标准的5x6mm和3.3x3.3mm PQFN封装,环保物料清单不含铅,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

规格

封装

器件编号

在25°C 下的Id max

典型/最高RDSon

4.5V下的典型QG (nC)

4.5V下的典型QGD (nC)

@ 10V

@ 4.5V

(mΩ)

(mΩ)

PQFN     5x6

IRFH4201

100A

0.70 / 0.95

1.00 / 1.25

46

16

IRFH4210D (FETKY)

0.85 / 1.10

1.10 / 1.35

36

13

IRFH4210

IRFH4213D (FETKY)

1.10 / 1.35

1.5 / 1.9

26

9.2

IRFH4213

1.10 / 1.35

1.5 / 1.9

26

9.2

IRFH4234

3.5 / 4.6

5.6 / 7.3

8.2

3.1

PQFN 3.3x3.3

IRFHM4226

40A

1.7 / 2.2

2.6 / 3.3

16

5.8

IRFHM4234

3.5 / 4.6

5.6 / 7.3

8.2

3.1

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