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研发客服【导读】4月14日，据韩国媒体The Elec报导，消息显示，三星导入更先进制程以降低DRAM成本的速度进一步趋缓，这或许也是三星不得不跟进美光、SK 海力士减产的一个原因。因为，如果能快速引入先进制程，那么降低成本的速度就能快一些，三星或许就不必减产，还可趁著产业景气衰退之际扩大市占率。
据报导，三星抢在对手之前采用极紫外光（EUV）光刻设备，可能也是重创利润的原因。EUV制程昂贵，目前还无法发挥最大潜能。不过，三星提早采用EUV，未来提升生产力的速率也会比对手快。
对于10nm范围的DRAM，存储厂商一般不会披露精确的制程节点，而是称之为1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）纳米。其中，1z大约介于13~11纳米。业者也于最近发表第四代的1a纳米。
根据集邦科技统计，2022年第四季美光的1a纳米DRAM市占率为45.9%、SK海力士为20.8%、三星为5.7%。同期间内，1z纳米DRAM市占排名则依序为三星（46.1%）、SK海力士（32.3%）、美光（29.9%）。美光制造的1a纳米 DRAM比竞争对手多，主要是因为该公司并未采用EUV，而是使用多重图案化（multiple patterning；MP）技术。美光预定2024年才会在1c纳米使用EUV。
The Elec引述消息人士指出，三星过去都能抢在对手前克服挑战、维持领导地位，如今却频频提及EUV和摩尔定律已死，这些其实都是“借口”。部分内部人甚至说，过去五年三星在研发新技术方面有点懈怠；该公司刚开始制造双栈（double-stack）NAND Flash（V7）时也遇到困难。
三星电子4月7日发表2023年第一季初步财报时曾宣布削减存储芯片产量，理由是全球需求低迷，客户因库存充足而放慢采购。
SK海力士副董事长Park Jung-ho 3月29日在股东大会上宣布下砍营业支出计画，为十年以来头一遭。他说，该公司过去曾积极投资扩产，但现在准备以更具弹性的方式调整产能策略。他表示，“我们去年的资本支出多达19兆韩元（相当于146亿美元），今年准备删减一半以上”。
Park以囚徒困境（prisoner‘s dilemma，指个人的选择不符团体最佳利益）来形容DRAM产业持续衰退的现象。他说，“即便我们一再重申不跟进，客户参与赛局的方式依旧犹如囚徒困境。每当产业景气下滑，过剩的芯片供给终将导致价格跌势恶化。”
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