日本7.0级地震

根据中国地震台网正式测定：03月20日17时09分在日本本州东岸近海（北纬38.43度，东经141.84度）发生7.0级地震，震源深度60千米。

众所周知，半导体对于生产环境要求非常的严苛，而大地震不仅可能会造成停电，还可能会造成生产环境污染、机台移位、设备管线内的化学药剂与气体发生渗漏等一系列问题。

日本是地震多发的国家，也是半导体产业重镇。所以每次地震，业界都颇为关心到底对产业有没有影响。而本次地震会对半导体产业产生多大影响，TrendForce集邦咨询将持续跟进关注。

事实上，在本次地震十几个小时前，日本瑞萨电子表示其位于茨城县的NAKA工厂N3楼的一楼12寸芯片生产线出现火灾，8：12该火灾被确认已扑灭，一些配套公用设施受损。火灾虽已扑灭，但瑞萨已决定将该12寸线临时停产。

Q2内闪存价格都涨价？

根据TrendForce集邦咨询最新调查，DRAM价格已正式进入上涨周期，第二季受到终端产品需求持续畅旺，以及资料中心需求回升的带动，买方急欲提高DRAM库存水位。因此，DRAM均价历经第一季约3~8%的上涨后，预估第二季合约价涨幅将大幅上扬13~18%。

其中，第二季PC DRAM合约价上涨相对明显，涨幅为13~18%；Server DRAM第二季将迎来采购高峰，估价格季增近20%；预期心理刺激买方扩大采购，Mobile DRAM价格将持续走扬；虚拟货币带动显卡需求所致，Graphics DRAM价格季增10-15%；consumer DRAM呈现罕见的重大缺货潮，部分颗粒第二季合约价将有单季逼近20%的涨幅。

NAND Flash方面，第二季NAND Flash供应端在三星（Samsung）、长江存储（YMTC）、SK海力士（SK Hynix）与英特尔（Intel）的带领下，仍维持积极的扩张态势，预估位元产出季增长可达近10%；需求端则是受惠自第一季以来持续有PC OEM、中国手机品牌厂的订单支撑，以及自第二季起资料中心客户将恢复采购动能的支撑。然而，目前NAND Flash控制器供给吃紧的问题仍存，进而刺激买方积极备货。

预期第二季NAND Flash价格将自第一季小幅下跌5~10%，转为上涨3~8%。而目前三星位于美国德州奥斯汀的工厂尚未完全复工，对接下来的控制器供给产生更大隐忧，将使得三星在client SSD的供货能力进一步受限。因此，不排除合约价上涨幅度有超过目前预测的可能。

中芯深圳153亿元扩产

3月17日晚间，中芯国际发布《关于自愿披露签订合作框架协议的公告》，宣布将在深圳扩充12英寸晶圆产能，项目的新投资额估计为23.5亿美元（约合人民币153亿元）。

公告显示，公司于本公告日期签订由深圳政府于2021年3月12日同意的合作框架协议。根据合作框架协议，公司和深圳政府（透过深圳重投集团）（其中包括）拟以建议出资的方式经由中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司（以下简称“中芯深圳”）进行项目发展和营运。

依照计划，中芯深圳将开展项目的发展和营运，重点生产28纳米及以上的集成电路和提供技术服务，旨在实现最终每月约40000片12吋晶圆的产能，预期将于2022年开始生产。

待最终协议签订后，项目的新投资额估计为23.5亿美元。各方的实际出资额将根据第三方专业公司对中芯深圳所作评估而定。预期于建议出资完成后，中芯深圳将由中芯国际和深圳重投集团分别拥有约55%和不超过23%的权益。

“十四五”提名第三代半导体

近日，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》（以下简称《纲要》）全文正式发布。

在事关国家安全和发展全局的基础核心领域，《纲要》提到制定实施战略性科学计划和科学工程。瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。

其中，集成电路攻关方面，《纲要》指出，集成电路设计工具、中电装备和高纯靶材等关键材料研发、集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等矿禁带半导体发展。

在打造数字经济新优势方面，《纲要》提到，聚焦高端芯片、操作系统、人工智能关键算法、传感器等关键领域，加快推进基础理论、基础算法、装备材料等研发突破与迭代应用。加强通用处理器、云计算系统和软件核心技术一体化研发。加快布局量子计算、量子通信、神经芯片、DNA存储等前沿技术。

灿芯半导体拟闯关IPO

近日，上海证监局披露了灿芯半导体（上海）股份有限公司（以下简称“灿芯半导体”）的辅导备案信息。信息显示，灿芯半导体已于3月3日与海通证券签署辅导协议，并于同日进行辅导备案。

资料显示，灿芯半导体成立于2008年7月，是一家定制化芯片（ASIC）设计方案提供商及IP供应商，定位55nm/40nm/28nm/14nm以下的高端系统级芯片（SoC）设计服务与一站式交钥匙（Turn-Key）服务。2010年，灿芯半导体和中芯国际结盟成战略伙伴，其基于中芯国际工艺研发了自主品牌的“YOU”系列IP和硅平台解决方案。

2020年8月，灿芯半导体宣布完成3.5亿人民币D轮融资，由海通证券旗下投资平台和临芯投资领投，元禾璞华投资基金、小米产业基金、火山石资本、泰达投资、金浦投资及多家原股东跟投。本轮融资资金将用于进一步推动公司在中芯国际先进工艺上的ASIC一站式设计方案及SoC平台技术和产品的研发。

辅导备案情况报告显示，灿芯半导体股权结构分散，不存在控股股东及实际控制人。截至申请提交日，灿芯半导体的第一大股东为中芯国际控股有限公司（持股23.48%），后者是中芯国际旗下全资子公司。

美光将出售3D Xpoint晶圆厂

当地时间3月16日，存储器大厂美光宣布从即日起将停止对3D XPoint的开发，并出售其在犹他州Lehi的3D Xpoint晶圆厂，预计可在2021年底之前完成。

据悉，3D Xpoint技术是美光与英特尔共同开发的一种非易失性存储技术，双方于2006年合资成立IMFT公司共同研发生产NAND Flash，并在2015年推出3D XPoint技术。后因技术理念分歧，2018年英特尔结束了和美光关于NAND Flash和3D XPoint的合作关系，将其在Lehi共同拥有的IMFT工厂股份出售给了美光。

美光在新闻稿中指出，未来会将重点转移到开发支持Compute Express Link（CXL）标准的内存产品上。CXL作为一个开放的内存标准，美光计划将3D XPoint技术上的研发成果和资源投入其中。据媒体报道，美光表示，放弃3D XPoint技术、出售该工厂将帮助其提高每年4亿美元的盈利能力。

汇顶科技迎新任总裁

3月15日，汇顶科技发布公告，为满足公司发展的需要，经公司首席执行官提名、董事会提名委员会资格审核，于2021年3月15日召开第三届董事会第二十八次会议，审议通过了《关于聘任胡煜华女士为公司总裁的议案》。

汇顶科技董事会同意聘任胡煜华女士为公司总裁，全面负责公司的整体运营管理并直接向公司董事长兼首席执行官张帆先生汇报，任期自董事会审议通过之日起至第三届董事会任期届满时止。

资料显示，胡煜华拥有香港科技大学的工商管理硕士（MBA）学位以及南华大学计算机科学学士学位。自2000年7月起，胡煜华在德州仪器半导体公司（TI）历任多个不同的销售管理岗位，中国区市场和销售总经理，公司副总裁及中国区总裁，负责TI在中国的整体运营。2021年3月15日加入深圳市汇顶科技股份有限公司，现任公司总裁，

公告指出，胡煜华将全面负责公司的整体运营管理，专注于带领团队实现公司短期和长期的业务发展目标，以及建立全球化的运营体系和流程以不断提升运营和管理效率。

立昂微筹划扩产硅片

3月12日，立昂微披露其《2021年非公开发行股票预案》。根据预案，立昂微本次拟向不超过35名特定对象非公开发行股票数量不超过1.2亿股，拟募资不超过52亿元，扣除发行费用后的募集资金净额将用于年产180万片集成电路用12英寸硅片、年产72万片6英寸功率半导体芯片技术改造项目、年产240万片6英寸硅外延片技术改造项目、补充流动资金。

立昂微表示，本次募集资金投资项目符合国家相关的产业政策以及公司整体战略发展方向。本次募集资金将投向于公司主业，有利于公司实现业务的进一步拓展，巩固和发展公司在行业的领先地位，符合公司长期发展需求。本次发行后，公司的主营业务范围保持不变，经营规模进一步扩大，市场份额进一步提升。本次非公开发行是公司保持可持续发展、巩固行业领先地位的重要战略措施。

据了解，立昂微专注于半导体材料、半导体芯片及相关产品的研发及制造领域。2020年9月，立昂微正式登陆上交所，当时上市募投项目为衢州金瑞泓“年产120万片集成电路用8英寸硅片项目”。如今上市半年后，立昂微再次定增募资筹划扩产，从各项目的投资资金规模来看，12英寸硅片是其本次募投重点。

封面图片来源：拍信网