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研发客服今日（4月1日），国内高功率半导体激光芯片知名厂商长光华芯正式登陆科创板，发行价格80.80元/股，对应的上市时市值为109.56亿元；截至今日下午收盘，长光华芯股价小幅下跌1.49%，报收79.6元/股，总市值107.94亿元。
资料显示，长光华芯成立于2012年，聚焦半导体激光行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造及销售，产品可应用于激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、3D传感、人工智能、高速光通信等领域。
华为哈勃为第七大股东，长光华芯业绩稳步增长
近年来，长光华芯业绩快速稳步增长，数据显示，2018年至2021年
，长光华芯分别实现营收9243.44万元、1.39亿元、2.47亿元、及4.29亿元，净利润分别为-1439.57万元、-1.29亿元、2617.91万元、及1.15亿元。
对于2021年营收及净利润大幅增长，长光华芯表示，主要是受益于半导体激光芯片整体市场规模扩大、公司业务开拓进展良好、以及进口替代进程加快等因素。
当前，激光器等产品市场需求增加，全球激光产业规模持续扩张，预计2020至2025的全球激光市场将从145亿美元增长到183亿美元，年复合增长率可达4.77%。反观国内市场，近年来，中国制造商在全球激光器市场的竞争力逐渐增强。数据显示，2019年，我国激光设备市场销售收入为658亿元，较上年增长了8.76%。
值得一提的是，长光华芯曾于获得华为旗下哈勃投资青睐，本次发行前，哈勃投资持有长光华芯4.98%的股份，本次发行后，持股比例将变为3.74%，为长光华芯第七大股东。
据悉，长光华芯已建经成了3吋、6吋激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。
目前3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格，而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。
超额募资约14亿，国内发展未来可期
凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累，长光华芯构建了GaAs（砷化镓）和InP（磷化铟）两大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术平台，纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品，横向扩展VCSEL芯片及光通信芯片领域。
据披露，长光华芯此次发行募集资金总额为27.39亿元，募集资金净额为25.36亿元，超额募资约13.91亿元（原计划募资13.48亿元）。据披露，长光华芯本次募集资金将用于高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目、垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通讯激光芯片产业化项目、研发中心建设项目、及补充流动资金。
长光华芯表示，募投项目的实施有利于扩大高功率半导体激光芯片系列产品的生产，扩大公司在消费电子、激光雷达及光通信领域的激光芯片输出，并进一步加强技术研发能力、完善技术研发体系、提高高功率半导体激光芯片相关技术的储备量。
当前，半导体激光器产品正在从工业应用领域向消费应用领域扩展，而3D感测成为手机品牌厂旗舰机在规格竞赛中的重要指标，VCSEL市场规模有望迎来爆发性增长。据TrendForce集邦咨询此前的数据，随着5G的带动，预估2021年3D感测用VCSEL总产值将达18亿美元，年成长达53%。
随着市场对高功率半导体激光芯片及相关产品需求的提升，激光行业已成为国家政府重点扶持和鼓励的国家战略新兴产业。未来，在工业、通信、医疗、国防等多个应用领域的持续推动下，国内激光产业的需求与发展空间依然可期。
封面图片来源：拍信网
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