GD32 是国产单片机，据说开发人员来自ST公司，GD32 也是以 STM32 作为模板做出来的。所以 GD32 和 STM32 有很多地方都是一样的，不过 GD32 毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用 STM32，有些自主开发的东西还是有区别的。不同的地方如下：

1、内核

GD32 采用二代的 M3 内核，STM32 主要采用一代 M3 内核， ARM 公司的 M3 内核勘误，GD 使用的内核只有 752419 这一个 BUG。

2、主频

使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M

使用HSI(高速内部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M

主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，GD 是一个不错的选择。

3、供电

外部供电：GD32 外部供电范围是 2.63.6V，STM32 外部供电范围是2.0 3.6V或1.65~ 3.6V。GD 的供电范围比 STM32 相对要窄一点。

内核电压：GD32 内核电压是 1.2V，STM32 内核电压是 1.8V。GD 的内核电压比 STM32 的内核电压要低，所以 GD 的芯片在运行的时候运行功耗更低。

4、Flash差异

GD32 的 Flash 是自主研发的，和 STM32 的不一样。

GD Flash 执行速度：GD32 Flash 中程序执行为 0 等待周期。

STM32 Flash 执行速度：ST 系统频率不访问 flash 等待时间关系：0 等待周期，当 0

Flash 擦除时间：GD 擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的：GD32F103/101 系列 Flash 128KB 及以下的型号， Page Erase 典型值 100ms， 实际测量 60ms 左右。对应的 ST 产品 Page Erase 典型值 20~40ms。

5、功耗

从下面的表可以看出 GD 的产品在相同主频情况下，GD 的运行功耗比 STM32小，但是在相同的设置下 GD 的停机模式、待机模式、睡眠模式比 STM32 还是要高的。

6、串口

GD 在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个 Bit 的 Idle，而 STM32 没有，如下图：

GD 的串口在发送的时候停止位只有 1/2 两种停止位模式。STM32 有 0.5/1/1.5/2 四种停止位模式。

GD 和 STM32 USART 的这两个差异对通信基本没有影响，只是 GD 的通信时间会加长一点。

7、ADC 差异

GD 的输入阻抗和采样时间的设置和 ST 有一定差异，相同配置 GD 采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在 72M 的主频下，ADC 的采样时钟为 14M 的输入阻抗和采样周期的关系：

8、FSMC

STM32 只有 100Pin 以上的大容量（256K及以上）才有 FSMC，GD32 所有的 100Pin 或 100Pin 以上的都有 FSMC。

9、103 系列 RAM&FLASH 大小差别

GD103 系列和 ST103 系列的 ram 和 flash 对比如下图：

10、105&107系列STM32和GD的差别

GD的105/107的选择比ST的多很多，具体见下表：

11、抗干扰能力

GD 的抗干扰能力不如 STM32，还需要一定打磨。

总结：STM32 和 GD32 是同质化产品，区别一个是国外，一个是国产；就像目前的国产车和进口车，可能在底盘 驾驶感受等方面还有些差异 但是我们相信，假以时日，国产一定能够进步，一定能够媲美进口器件。最近流行国产化替代，所以 GD32 还是很有发展前景的。