据最新对外公布的信息, 4nm芯片已准备投产,将用于包括Meteor Lake(14代酷睿流星湖)处理器、ASIC网络产品等。同时, 3nm、20A(2nm,其中A代表埃米,1nm=10埃米,下同)、18A(1.8nm)进展一切顺利,甚至还略有提前。其中Intel 3nm将在明年下半年投产,用于Granite Rapids和Sierra Forest数据中心产品。
本文引用地址:Intel 20A计划2024上半年准备投产,首发Arrow Lake(15代酷睿)客户端处理器,18A提前到2024下半年就绪,分别用在下一代酷睿和数据中心产品上。此前,18A规划是在2025年,如今来看,进展非常顺利,甚至要超前。
据悉,从Intel 3nm开始,将采用全新的RibbonFET晶体管取代当前的FiFET,引入革命性的PowerVias背面供电技术。所谓RibbonFET其实就是Inetl对于GAA(环绕栅极)晶体管的改进,后者已被三星3nm首发。
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