据最新对外公布的信息， 4nm芯片已准备投产，将用于包括Meteor Lake（14代酷睿流星湖）处理器、ASIC网络产品等。同时， 3nm、20A（2nm，其中A代表埃米，1nm=10埃米，下同）、18A(1.8nm)进展一切顺利，甚至还略有提前。其中Intel 3nm将在明年下半年投产，用于Granite Rapids和Sierra Forest数据中心产品。

Intel 20A计划2024上半年准备投产，首发Arrow Lake（15代酷睿）客户端处理器，18A提前到2024下半年就绪，分别用在下一代酷睿和数据中心产品上。此前，18A规划是在2025年，如今来看，进展非常顺利，甚至要超前。

据悉，从Intel 3nm开始，将采用全新的RibbonFET晶体管取代当前的FiFET，引入革命性的PowerVias背面供电技术。所谓RibbonFET其实就是Inetl对于GAA（环绕栅极）晶体管的改进，后者已被三星3nm首发。