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保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07)
认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。
作为......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
传感器基于MOSFET或金属氧化物半导体FET，这是一个带有绝缘栅极的三端或四端FET。
图3显示了一个n沟道MOSFET或nMOS晶体管，具有四个端子：栅极、漏极、源极和体极（块体）。源极......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07 11:58)
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统;以实现更先进的自主式系统EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
Nexperia的USB4 ESD二极管件实现了保护和性能的出色平衡(2022-06-16)
保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统(2023-02-07)
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统;EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
Nexperia面向USB4标准接口推出极低钳位的双向ESD保护器件(2021-10-21)
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
转换效率和功率密度是设计成功的关键。本文引用地址：
为了满足这些要求，开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件，因为......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
大大减少铝片所散出的热量，从而进一步节省系统成本。
宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说："氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势，从而......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
大大减少铝片所散出的热量，从而进一步节省系统成本。
宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说："氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势，从而......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
大大减少铝片所散出的热量，从而进一步节省系统成本。
宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说："氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势，从而......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(2023-02-07)
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管;
【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
直流电机之所以既只用直流电，又不用电刷，是因为外部有个电路来专门控制它各线圈的通电。这个电流换向电路最主要的部件是FET(场效应晶体管，Field-EffectTransitor)。可以把FET看作......
TI推出业内最小、最快的GaN驱动器，扩展其GaN电源产品组合(2018-03-09)
）场效应晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频（RF）包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-10-30)
沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中......
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能(2020-10-22)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900......
基于FET的100W音频放大器电路图(2024-04-19)
基于FET的100W音频放大器电路图;该 100W 音频放大器设计采用两个 V-MOSFET 晶体管技术作为输出级，可在 4 Ω 负载下提供 100W 输出。重要的是，通过添加散热器或风扇等方式使输出级的晶体管......
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容(2021-06-18)
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容;宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推......
Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性(2021-07-29)
有符合行业标准的管脚尺寸。双极性晶体管应用广泛，如LED汽车照明系统；LCD显示器中的背光灯调光；线性稳压器；继电器替代产品、电机驱动和 MOSFET 驱动器。
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Nexperia的产......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-11-13)
栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断......
学子专区—ADALM2000实验：有源整流器(2023-05-12)
基二极管同样有一个内置的固定正向电压。利用FET较低的传导损耗，与输入交流波形同步地主动开关MOSFET器件以模仿二极管，可以实现更高的效率。有源整流常被称为同步整流，是指......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装(2020-05-08)
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET(2022-07-06)
-MOSFETs
关于Nexperia
Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET......
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
选择合适的集成度来满足电机设计要求(2023-06-13)
电机状态的反馈，并发送信号来调节电机的扭矩、位置和速度。栅极驱动器将来自 MCU 的信号放大，以驱动电机的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
图 1：基本电机控制方框图
您可以使用 BJT......
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%(2020-04-23)
关于Nexperia
Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管......
Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET(2022-07-27)
生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
正确选择MOSFET以优化电源效率(2023-03-27)
下找到电路中的最小损耗点。设计人员在选择 MOSFET 比率时必须牢记这些规范。
图 8：最佳效率的比较
结语 MOSFET 的选择与电路效率密切相关，而精确的数学模型可以简化 MOSFET 晶体管......
Qorvo宣布推出行业先进的高性能1200V第四代SiC FET(2022-05-17)
– 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
2nm工艺节点的生产，并从今天的FinFET过渡到新的全环绕栅极场效应晶体管（GAA-FET），但用GAA-FET取代FinFET的转变既昂贵又困难，必定......
扩产！安世半导体新8英寸晶圆生产线启动(2021-06-24)
（安世半导体）是闻泰科技的子公司，分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商，其生产的产品包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET(2021-01-12)
器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面......
Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合(2022-05-12)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年......
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30)
宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30 14:48)
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能;全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET......
大联大诠鼎集团推出Toshiba半导体应用于云端存储装置的完整解决方案(2013-08-01)
及通讯科技）产业。
晶体管
另外晶体管也是本次推出产品之一，包括高-VDSS MOSFET—TKxx系列，低-VDSS MOSFET—TPCA系列以及小信号MOSFET: SSM系列......
Nexperia将于2021年9月21日-23日举办“Power Live”(2021-08-30)
丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿件产品，产品......
新增SiC和IGBT模型,罗姆官网可提供超过3,500种LTspice模型(2023-10-12)
物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
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*3) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）
金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计(2024-01-30)
宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V 作为 全新引脚兼容 系列......
发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 将继续拓展产品线，向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。无论客户有什么样的设计需求，Transphorm都能......
安世半导体与电子器件供应商合作，生产车规GaN功率模块(2022-05-23)
二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。
而KYOCERA AVX公司成立于2021年4月，是由京瓷的“企业电子元件部门”和“AVX”合并......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
。
FET
Field Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音频设备等的模拟电路中，MOS型FET主要......
Nexperia推出采用小型无引脚耐用型DFN封装的符合AEC-Q101的分立半导体产品组合(2020-06-24)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
，是FET中最常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管......
Nexperia“Power Live”在线研讨会于2020年7月2日和3日正式上线(2020-06-29)
丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品......
TI推出业内最小、最快的GaN驱动器，扩展其GaN电源产品组合(2018-3-8)
: TXN) 近日宣布推出两款新型高速氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频（RF）包络......
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和FET,功率双极晶体管和FET, IGBT, etc） h. 二极管（整流、齐纳、开关二极管,SBD,变容二极管,etc） i. 晶闸管/可控硅 II 罗姆电子 a. ASSP（音视频用IC
;PULSE TECH CHINA PTE.LTD.;;**,航空品,工业品,停产IC,RF晶体管,MIL-STD-883测试
机、存储器、可控硅、通用逻辑IC、光耦、MOSFET、驱动IC、二极管、传感器、射频器件 二、ON-SEMI： 电源管理、双极晶体管、标准逻辑、电路保护、放大器和比较器、晶闸管 三
;思高捷科技有限公司;;Mosfet晶片组（IR）与FPGA（Xilinx） 、CPLD（Altera） 、特定应用IC（Intersil,TI）、晶体管（ROHM,ST）, 模拟IC（ADI
Rectifier)（不包括平面高压MOSFET）的产品线。
威世半导体的产品系列包括整流器、快速恢复二极管、高功率二极管和半导体闸流管、小信号二极管、齐纳二极管和抑制器二极管、RF晶体管、光电元件、电源块（功率
;丰泰电子（香港）公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管，场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管；二极管，肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关
电源、电焊机、仪器仪表、汽车电子等领域的推广，服务与销售。 代理产品线： ROHM（罗姆）半导体：电源管理IC；MOSFET；晶体管（包括：双极晶体管，复合晶体管，数字晶体管）；二极管（包括：肖特
管 晶体管 光电半导体 通用线性IC ◆FUJI（富士电机） 功率MOSFET 电源控制IC 功率半导体（IGBT） 整流二极管 ◆德国EPCOS（爱普科斯） 气体放电管 Surge Arresters
;易信通科技有限公司;;深圳市易信通科技有限公司是一家MOS-FET(场效应晶体管)销售的专家,现推出台湾茂钿半导体股份有限(WWW.MTSEMI.COM)公司全线产品.产品主要有MT2300