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Silanna Semiconductor扩大在集成式有源钳位反激控制器市场的领先优势;Silanna Semiconductor扩展带有集成式有源钳位电路的反激PWM控制......
磁隔离功能的并且可配置主级+次级数字控制器。该器件是世界首款将ARM Cortex M0+ 内核可编程离线电源控制器、高压启动电路、有源钳位反激控制器、同步整流控制器和 USB协议芯片(USB- PD)在集......
东科​DK8607AD集成双氮化镓功率管的有源钳位反激电源管理芯片;​DK8607AD 是一款集成了两颗 GaN 功率器件的有源钳位反激控制AC-DC 功率开关芯片。DK8607AD利用......
集成在一个软件包中的具有二次侧数字离线控制器,通过USB-PD 3.1 PPS 认证。它针对基于新型非互补有源钳位反激拓扑的设计进行了优化,该拓扑在65 W以上的大功率设计中比其他拓扑具有更高的效率。专门用于采用智能充电解决方案(包括USB......
电源和充电器解决方案的尺寸。 TI推出的新款芯片组将UCC28780有源钳位反激式控制器和UCC24612同步整流器控制器相结合,工作频率高达1MHz,可帮助将AC/DC适配器和USB PD充电器的电源尺寸减半。对于......
-ONE架构,在一个封装内集成Arm® Cortex®-M0+ 微控制器、高能效非互补有源钳位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE 架构的初级侧和次级侧电路之间电流隔离,极大地简化了USB......
个封装内集成Arm® Cortex®-M0+ 微控制器、高能效非互补有源钳位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE 架构的初级侧和次级侧电路之间电流隔离,极大地简化了USB-PD电源......
非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计;  离线反激式电源在变压器初级侧需要有钳位电路(有时称为缓冲器),以在正常工作期间功率MOSFET开关关断时限制其两端的漏源极电压应力。设计钳位......
。 ST-ONEMP数字控制器基于市场首个ST-ONE架构,在一个封装内集成Arm® Cortex®-M0+ 微控制器、高能效非互补有源钳位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE......
。 ST-ONEMP数字控制器基于市场首个ST-ONE架构,在一个封装内集成Arm® Cortex®-M0+ 微控制器、高能效非互补有源钳位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE......
。 ST-ONEMP数字控制器基于市场首个ST-ONE架构,在一个封装内集成Arm® Cortex®-M0+ 微控制器、高能效非互补有源钳位反激......
初级侧和次级侧之间的高效通信与隔离。该产品通过支持创新的非互补有源钳位反激式(NCP-ACF)和零电压开关准谐振反激式(QR-ZVS)拓扑结构提高了效率,适用于高能效的USB-C适配器、充电......
峰值电流计算 总结,以上简要讨论了反激变换器拓扑应用于微逆变器中的一些典型特性,并讨论了反激有源箝位拓扑的基本工作原理。 参考文献:AN1444 Grid-Connected Solar......
品牌半导体都推出了自己相应的解决方案,目前市场上 受到市场的欢迎,安森美半导体也推出多种PD方案:有用于高功率密度跑高频的有源钳位反激方案NCP1568,因为此方案需要增加一个专用的MOSFET 及MOSFET Driver用来做反激......
适配器参考设计Transphorm的参考设计组合包括五款开放框架的USB-C PD参考设计,频率范围从140到300 kHz。其中包括Transphorm与Silanna Semiconductor合作开发的一款65W有源钳位反激......
适配器参考设计Transphorm的参考设计组合包括五款开放框架的USB-C PD参考设计,频率范围从140到300 kHz。其中包括Transphorm与Silanna Semiconductor合作开发的一款65W有源钳位反激......
适配器参考设计Transphorm的参考设计组合包括五款开放框架的USB-C PD参考设计,频率范围从140到300 kHz。其中包括Transphorm与Silanna Semiconductor合作开发的一款65W有源钳位反激......
时序 如下为典型的有源钳位电路,此电路里面采用2个TVS串联构成,其优点体现在可以耐受更高回路电压,同时可以吸收更大的浪涌能量。其工作原理为:在IGBT集电极电压过高时TVS被击穿,通过......
现灵活的应用。利用有源钳位的工作方式,即使在开关频率增加的情况下仍能达到零电压开关和95%的高效率,进而缩小电源产品体积。可以说InnoSwitch4-Pro集成......
和EZ-PD PAG2S两款不同的型号组成,集成了USB PD、同步整流器和PWM控制器。它能够使用脉冲-边沿转换器(PET)CYPET121确保初级侧和次级侧之间的高效通信与隔离。该产品通过支持创新的非互补有源钳位反激......
初级侧和次级侧之间的高效通信与隔离。该产品通过支持创新的非互补有源钳位反激式(NCP-ACF)和零电压开关准谐振反激式(QR-)拓扑结构提高了效率,适用于高能效的USB-C适配器、充电器和旅行适配器。 本文引用地址:  EZ......
电器和电源适配器的开发设计。该转换器采用ST-ONE 架构,是一种非互补有源钳位反激式零压开关(ZVS) 拓扑,可确保应用在高功率输出和高开关频率下能效出色。芯片集成了次级整流器和 USB PD通信......
电器和电源适配器的开发设计。该转换器采用ST-ONE 架构,是一种非互补有源钳位反激式零压开关(ZVS) 拓扑,可确保应用在高功率输出和高开关频率下能效出色。芯片集成了次级整流器和 USB PD通信......
化最高额定功率 140W的充电器和电源适配器的开发设计。该转换器采用ST-ONE 架构,是一种非互补有源钳位反激式零压开关(ZVS) 拓扑,可确保应用在高功率输出和高开关频率下能效出色。芯片......
快充协议。 InnoSwitch4-Pro是一款支持数字控制的离线恒压/恒流零电压开关(ZVS)反激式IC。与ClampZero芯片搭配可以实现有源钳位反激设计。通过I2C总线......
称拓扑氮化镓功率产品MasterGaN2 本周,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,单个封装中包含两个适用于软开关和有源钳位反激拓扑的非对称GaN晶体......
基解决方案相比,我们的全新器件可帮助设计人员将典型 67W 电源适配器解决方案的尺寸缩小多达 50%。 该产品组合还针对交流/直流电源转换中常见的拓扑结构(如准谐振反激式、非对称半桥反激式、电感-电感转换器、图腾柱功率因数校正和有源钳位反激......
浪涌电流控制,过载保护等,以及一颗100V高压场效应晶体管。MP8017同时也集了成额外的两颗功率晶体管,基于有源钳位的控制结构和原边反馈的控制方式,在3mm x 4mm的QFN封装中提供了650kHz高频工作反激......
:“InnoSwitch4-ProIC可与Power Integrations的ClampZero系列有源钳位IC无缝衔接,在连续导通模式(CCM)和非连续导通模式(DCM)下实现ZVS。ZVS与我们的PowiGaN......
ClampZero系列有源钳位IC无缝衔接,在连续导通模式(CCM)和非连续导通模式(DCM)下实现ZVS。ZVS与我们的PowiGaN™技术相结合,几乎消除了开关损耗。其超过95%的效率,使设......
相近甚至更低。”用GaN 功率IC设计的65W参考设计NVE028A 采用有源钳位反激(ACF)拓扑结构的,开关速度比典型的转换器设计快了3至4倍,损耗降低40%,从而实现更小的尺寸和更低的成本。该设......
。 作为 ST-ONE 系列中的第三款控制器,ST-ONEHP的输出电压为28V,可简化最高额定功率 140W的充电器和电源适配器的开发设计。该转换器采用ST-ONE 架构,是一种非互补有源钳位反激......
的嵌入式控制器,支持离线可编程控制和同步整流功能。该器件与USB PD PHY一体封装,采用强化电流隔离的集成单片设计,能够高效地控制ZVS非互补有源钳位反激式转换器。ST-ONEHP拥有最高4kV的瞬......
提供可变输出电压能力。如图 1 所示的有源钳位反激式 (ACF) 拓扑和非对称半桥 (AHB) 拓扑有助于更大限度提高直流/直流级的效率和功率密度。ACF 和 AHB 拓扑不像准谐振 (QR) 反激......
初级侧和次级侧之间的高效通信与隔离。该产品通过支持创新的非互补有源钳位反激式(NCP-ACF)和零电压开关准谐振反激式(QR-ZVS)拓扑结构提高了效率,适用于高能效的USB-C适配器、充电器和旅行适配器。 EZ-PD_PAG2 EZ......
初级侧和次级侧之间的高效通信与隔离。该产品通过支持创新的非互补有源钳位反激式(NCP-ACF)和零电压开关准谐振反激式(QR-ZVS)拓扑结构提高了效率,适用于高能效的USB-C适配器、充电器和旅行适配器。 EZ-PD_PAG2 EZ......
的全新器件可帮助设计人员将典型 67W 电源适配器解决方案的尺寸缩小多达 50%。该产品组合还针对交流/直流电源转换中常见的拓扑结构(如准谐振反激式、非对称半桥反激式、电感-电感转换器、图腾柱功率因数校正和有源钳位反激式)进行......
的全新器件可帮助设计人员将典型 67W 电源适配器解决方案的尺寸缩小多达 50%。该产品组合还针对交流/直流电源转换中常见的拓扑结构(如准谐振反激式、非对称半桥反激式、电感-电感转换器、图腾柱功率因数校正和有源钳位反激式)进行......
适配器解决方案的尺寸缩小多达 50%。 该产品组合还针对交流/直流电源转换中常见的拓扑结构(如准谐振反激式、非对称半桥反激式、电感-电感转换器、图腾柱功率因数校正和有源钳位反激式)进行了优化。 长期......
的嵌入式控制器,支持离线可编程控制和同步整流功能。该器件与USB PD PHY一体封装,采用强化电流隔离的集成单片设计,能够高效地控制ZVS非互补有源钳位反激式转换器。ST-ONEHP拥有最高4kV的瞬......
个转换器在低损耗区域以低频率运行。通过这一巧妙设计,使MAX15258成为-48 VDC转换的先进解决方案。 有源钳位正激拓扑限制了实现占空比的能力,使得某些VIN和VOUT组合难以工作。随着电信OEM在同......
的先进解决方案。 有源钳位正激拓扑限制了实现占空比的能力,使得某些VIN和VOUT组合难以工作。随着电信OEM在同一平台上组合不同频段,支持不同PA输出电压范围的能力已成为一项硬性要求。有源钳位......
Lokhandwala表示:“ZVS与GaN(氮化镓)相结合,能为电源注入神奇魔力。开关损耗几乎为零,并且我们可以利用GaN的低导通损耗来实现超紧密的适配器布局,其元件数量远少于非对称半桥(AHB)电路或有源钳位......
独有的创新的零电压开关技术,实现了在开关导通之前将电压降至零,从而消除了开通损耗。据介绍,是通过控制初级主开关和次级同步整流开关来完成的,不像传统的有源钳位工作,初级侧需要增加额外的高压开关管及相应的控制电平移动电路。这样......
镓)相结合,能为电源注入神奇魔力。开关损耗几乎为零,并且我们可以利用GaN的低导通损耗来实现超紧密的适配器布局,其元件数量远少于非对称半桥(AHB)电路或有源钳位方案。例如,我们......
纳微第三代氮化镓功率芯片,针对现代电源转换拓扑结构进行了优化,包括高频准谐振反激式(HFQR)、有源钳位反激式(ACF)和PFC升压,这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。 目标......
损耗几乎为零,并且我们可以利用GaN的低导通损耗来实现超紧密的适配器布局,其元件数量远少于非对称半桥(AHB)电路或有源钳位方案。例如,我们曾展示过一款设计出为140W/28V的USB PD适配......
损耗几乎为零,并且我们可以利用GaN的低导通损耗来实现超紧密的适配器布局,其元件数量远少于非对称半桥(AHB)电路或有源钳位方案。例如,我们曾展示过一款设计出为140W/28V的USB PD适配......
的PowiGaN初级开关,稳态开关频率高达155kHz。与HiperPFS-5功率因数校正(PFC) IC搭配使用时,可以实现简单的反激式设计,提供高达220W的输出功率,适用于不需要有源钳位......
导通损耗来实现超紧密的适配器布局,其元件数量远少于非对称半桥(AHB)电路或有源钳位方案。” 其中非对称半桥类似于LLC谐振变换器,但是AHB要加PFC,因此考虑两级电路模式转换都会有损耗,因此整体效率也并不高。 而对于有源钳位......

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