资讯
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
瞬间电流往往会有过冲，这是反并联二极管换流时产生的反向恢复电流。反向恢复电流叠加在IGBT开通电流上，增加了器件的开通损耗。IGBT的反并联二极管往往是Si PiN二极管，反向恢复电流比较明显。而......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
模块额外的反并联二极管面前被爆成渣。
上篇我们提了，SiC MOSFET在电动车电动模式下效率非常高，然而今天在发电模式下的VF被Si IGBT暴打，难道SiC 模块......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采......
三电平电路原理及常见的电路拓扑分析(2024-01-15)
D5/D6仅存在导通损耗。
NPC2
在NPC2拓扑中，用一对共射极或共集电极的IGBT和反并联二极管代替NPC1二极管钳位的功能，减少了两个二极管器件，其中T1/T4管承受全母线电压，T2/T3......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
相关的不同封装方面，从封装类型、芯片贴装到引线键合。
SiC二极管可以组装成分立封装，在混合模块中作为与硅基晶体管的反并联二极管使用，或者在与SiC晶体管的全SiC模块中作为反并联二极管......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和(2024-02-29)
，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括......
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29 15:02)
有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。这款......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34......
I-NPC三电平电路的双脉冲及短路测试方法(2024-01-26)
个脉冲结束后，T3关断，电感电流通过T1、T2的反并联二极管D1、D2续流，T3第二个脉冲到来后，电流继续流经负载电感、T3、D6，T1反并联二极管D1被强迫关断，该工况下测试对象为T3与D1......
一文详解音频信号压缩电路(2023-01-30)
以及输入100k欧姆电阻完成的。 根据电路设计，施加在串联二极管上下两端的电压极性相反，幅度相等。 输入信号通过100k电阻输入到二极管中间， 如果它的幅值没有超过二极管......
现代工业电机驱动中如何可靠地实现短路保护的问题(2022-12-19)
A电流探针进行测量，仅供参考。去饱和电压达到9 V跳变电平，栅极驱动器开始关断。显然，短路的整个持续时间不足400 ns。电流的长尾表示下方IGBT反并联二极管中的续流导致的感应电能。开启时，去饱......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
通过优化器件结构和布局，大大增强碳化硅体二极管的通流能力，不需要额外并联二极管，降低系统成本，减小系统体积。
优良的阈值电压稳定性
如何能够得到优质的碳化硅栅氧结构是目前业界普遍的难题。栅氧......
超共源共栅简史(2023-03-29)
的导通电阻较高、效率较低，同时导电损耗显著，而且在能量回收水平较高时，其体二极管的用处不大。这里给出的解决方案，在外部并联二极管以实现 “第三象限” 操作，同时使用额外的低压阻断肖特基二极管......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
其较低的导通电阻和传导损耗以及在高频下切换高压而不会损坏的能力，绝缘栅双极晶体管非常适合驱动电感负载，例如线圈绕组、电磁铁和直流电机。
17、为什么IGBT要用二极管我们知道MOSFET或IGBT是单向器件，它们只在正向偏置时导通电流，在反......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
、功率MOSFET零电压的开通
功率MOSFET要想实现零电压的开通，也就是其在开通前，D、S的电压VDS必须为0，然后，栅极加上VGS驱动信号，这样就可以实现其零电压的开通。在实际的应用中，通常方法就是利用其内部寄生的反并联寄生二极管......
电动汽车电机控制器硬件功能安全(2023-07-19)
短路也有一定的学问，要避免产生过高的瞬态短路电流。
b. 续流Freewheeling
也即三相桥的六个管子均关闭，电机通过反并联二极管将自身的能量输送到直流端，相当于三相不控整流。直流......
2月新品推荐：电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管(2021-02-26)
和功率因数校正（PFC）。其常见应用包括：电池充电基础设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS），以及服务器和电信开关电源（SMPS）。
由于IGBT反并联SiC肖特基势垒二极管，在dv/dt和......
除了二极管，防反接电路还能用什么？(2023-09-12)
除了二极管，防反接电路还能用什么？;串联本文引用地址：以常用的5V/2A为例。常用串联在中，在电源时，承担所有的电压，有效防止电源损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管......
车载OBC的发展趋势(2023-05-04)
电路拓扑结构如下所示：
采用高效率的双电感设计，降低EMI和反向恢复时间
而在元器件选择上，应选择快速主开关和快速反并二极管来进行切换，
采用常规IGBT并不能满足高效率的部分要求，所以......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。
IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合......
电机为什么要用整流桥 电机整流桥的作用和原理是什么(2024-04-22)
电机为什么要用整流桥 电机整流桥的作用和原理是什么;电机为什么要用整流桥
电机使用整流桥的主要目的是将交流电转换为直流电，以便有效地驱动电机。
以下是为什么电机要使用整流桥的几个原因：
1. 电机......
具有反向阻断功能的新型 IGBT(2023-09-06)
用于主电流路径中功率半导体软开关的辅助谐振电路双向开关，如图 3 所示的矩阵转换器。
图 1 反激式
图2 逆变器
如果在电压、电流和频率方面都适用，那么迄今为止这种开关都是由不具有反向阻断能力的标准IGBT和串联二极管......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
操作，这也使得模块在并联时只需要一条直流母线即可实现。
4.5 kV XHP系列还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决3电平方案有多个单IGBT开关和一个半桥二极管......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化并联......
英飞凌推出全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器(2024-01-10)
）。
XHP™ 3 IGBT
XHP™系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管和TRENCHSTOP™ IGBT4 450A半桥IGBT......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
时效率高于99%的6个并联低 RDS(ON) SiC FET可能会取代 IGBT 及其并联二极管，从而使功率损耗减少3倍。在较轻负载、高频使用下，这种改进甚至更好，损耗比 IGBT 技术低 5 至 6 倍，并且......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
节中，我们将研究ANPC拓扑结构及其在功率模块设计内的相互作用。图4显示了光伏逆变器采用的典型ANPC拓扑结构。实验中使用了六个子系统，每个子系统由一个IGBT（T1至T6）和一个反并联二极管（D1至......
如何将电池储能系统的性能提升到更高水平？(2023-07-28)
V，而充放电功率不会超过 10 kW。降压-升压转换器是最常见的双向 DC-DC 拓扑，因为它需要的组件少且易于控制。两个 650 V IGBT 或 MOSFET 搭配并联二极管，例如......
如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
的电流需要过零，以便能够承担电压。从这点开始，IGBT可以将电压转移到二极管上，让自己的电压下降，直到达到饱和状态（Vcesat）。
由于芯片并联，最慢的二极管决定了整体开关速度。尽管......
全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25 17:11)
的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化并联......
英飞凌推出全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块(2023-12-27)
XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管......
通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统(2023-10-31)
种情况下，降压- 升压转换器是最常见的双向DC-DC 拓扑，因为它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650 V IGBT 或MOSFET 就足够了。例如，安森美的650 V......
如何通过SiC增强电池储能系统？(2024-03-25)
它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650V IGBT或MOSFET就足够了。例如，650V FS4 IGBT FGH4L75T65MQDC50集成了二极管，可在......
新手必看！单片机掉电检测与数据掉电保存方案(2022-12-09)
常的做法是，在这些系统中加入单片机掉电检测电路与单片机掉电数据保存。
用法拉电容可简单实现单片机掉电检测与数据掉电保存，电路见下图。这里用6V供电（如7806），为什么用6V不用5V是显而易见的。
电路中的二极管......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
的pn结本征双极体二极管。由于材料的宽带隙特性，碳化硅MOSFET的正向电压相对高于硅MOSFET，因为pn结的内置电压更高。一般来说，IGBT芯片在封装内有一个额外的独立二极管，称为共封装或反并联......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
极电容充电就快，开关时间短，开关损耗就小，但RG较小时使得IGBT开通时di/dt变大，从而引起较高的du/dt，增加续流二极管恢复时的浪涌电压，因此选择RG时需要折中考虑。RGE的作用是防止IGBT栅极......
变频器进线端加熔断器的作用和原理(2023-07-20)
变频器进线端加熔断器的作用和原理;在工作中经常会看到有的变频器或者软起动器在RST的进线端加装熔断器，如图所示：
我们知道变频器本身就有着各种保护，其中就有短路保护，所以多活人就特别好奇，为什么要......
使用绿光和双层电池，“哈利·波特”光传感器实现200%高效率(2023-02-20)
应该尽量减少在没有光的情况下产生的电流，即所谓的暗电流，暗电流越小，二极管越灵敏；其次，它应该有从红外光中区分出背景光（噪音）的水平。不幸的是，这两件事通常不会同时发生。
研究团队为此创造了一种串联二极管，这是......
Littelfuse推出IGBT模块和整流器二极管模块(2014-05-27)
Littelfuse推出IGBT模块和整流器二极管模块;Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块......
万用表各种功能挡位的使用方法图解(2022-12-27)
反向阻值很小，在没有小阻值元器件并联时，pn结可能击穿短路。若正反两次阻值均很大，说明已开路。
必须指出：由于二极管的伏安特性是非线性的，用万用表的不同电阻挡测量二极管的电阻时，会得出不同的电阻值，例如r×100......
芯能半导体推出1200V600A C2模块(2024-04-09)
。封装兼容62mm。该产品具有超低的饱和压降、超低开关损耗的特点，内置全电流正温度系数续流二极管，利于多并联使用，主要应用在光伏、储能、电机控制器等领域。
芯能......
一种新的软件时序偏差校准方法加速双脉冲测试进程(2023-11-03)
速度显著加快，缩短了测试时间。
该技术适用于使用场效应晶体管或 IGBT 的功率转换器。在本篇文章中，我们将使用 FET 术语，来使得描述简单明了。
为什么要消除时序偏差（deskew）？
在设......
【泰克应用分享】一种新的软件时序偏差校准方法加速双脉冲测试进程(2023-11-03)
速度显著加快，缩短了测试时间。
该技术适用于使用场效应晶体管或 IGBT 的功率转换器。在本篇文章中，我们将使用 FET 术语，来使得描述简单明了。
为什么要消除时序偏差（deskew）？
在设......
交-直变频器内部主体电路分析(2024-04-11)
在电路结构上具有其特殊性。
1、全波整流电路
在SPWM变频器中大多采用桥式全波整流电路，在中、小容量的变频器中整流器件采用不可控的整流二极管或二极管模块，如下图所示变频器交-直变换电路中的VD1~ VD6。当三......
中国银联正式推出银联二维码支付标准(2016-12-12)
：中国银联有关负责人就银联二维码支付标准发布答记者问
一、问：中国银联为什么要推出“二维码支付标准”？
答：中国银联作为卡组织，一直以来都在联合境内外产业各方积极研究、探索包括NFC、二维码、蓝牙......
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT(2023-05-18)
提高了逆变器系统的性能和可靠性。
续流二极管是快恢复的发射极可控制的二极管，具有高效和软开关特性。
产品......
新能源汽车车载充电机（OBC）拓扑结构分析(2024-03-06)
利于提升系统的效率。对自带反并联二极管的开关器件来说，Q1Q2可以共用一个驱动信号。
该拓扑结构控制简单，但是电流采样困难。且输出的直流电压的端点是浮地的，产生的共模干扰会被隔离，所以电路中会有很严重的EMI问题......
逆变器非线性在电机中产生的谐波及其补偿方法(2024-01-02)
），此时电流从电源负极端经过反并联二极管向绕组续流，经过S1旁二极管时压降为- Vd 。因此上管关闭时a点电压为Va0 =- Vdc /2- Vd 。
图1 A相电流为正时的非线性分析
图2......
振荡电路设计原理与设计(2024-04-26)
滤除高频信号。
输出波形如下所示:
三角波发生电路:
为什么要改变输入方向呢，原因是当第一级输出高电平时，积分电路的输出电压是在往下降的，具体可以列出方程就知道了。
这样，如果......
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、责任”的经营理念，专业研发制造销售肖特基二极管、快恢复二极管、整流桥及开关三极管的电子元件。如此美丽的工厂环境，高档的设备仪器，凝聚的企业团队，热诚的服务态度，怎不能铸就您对我们的信赖呢！ 2.你们都是什么