资讯
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
总转换效率1%。使用快速IGBT后，由于开关速度的加快，整机转换效率可提高2%。当SiC反并联二极管与快速IGBT结合时，功率逆变器的效率将进一步提高。
3、软交换和多电平技术
利用谐振原理，软开......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
瞬间电流往往会有过冲，这是反并联二极管换流时产生的反向恢复电流。反向恢复电流叠加在IGBT开通电流上，增加了器件的开通损耗。IGBT的反并联二极管往往是Si PiN二极管，反向恢复电流比较明显。而......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
模块额外的反并联二极管面前被爆成渣。
上篇我们提了，SiC MOSFET在电动车电动模式下效率非常高，然而今天在发电模式下的VF被Si IGBT暴打，难道SiC 模块......
永磁同步电机控制系统仿真—逆变器模型（1）(2024-08-27)
图的关系整理放入下表：
表1 两电平H半桥输入输出关系表
注：
（1） v_open为 T_hs_x和T_ls_x为0状态，并且i_x无电流时的输入电压；
（2） Vce为IGBT的导通饱和压降；
（3） Vfd为反并联二极管......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采......
三电平电路原理及常见的电路拓扑分析(2024-01-15)
D5/D6仅存在导通损耗。
NPC2
在NPC2拓扑中，用一对共射极或共集电极的IGBT和反并联二极管代替NPC1二极管钳位的功能，减少了两个二极管器件，其中T1/T4管承受全母线电压，T2/T3......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
相关的不同封装方面，从封装类型、芯片贴装到引线键合。
SiC二极管可以组装成分立封装，在混合模块中作为与硅基晶体管的反并联二极管使用，或者在与SiC晶体管的全SiC模块中作为反并联二极管......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和(2024-02-29)
，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括......
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29 15:02)
有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。这款......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34......
I-NPC三电平电路的双脉冲及短路测试方法(2024-01-26)
个脉冲结束后，T3关断，电感电流通过T1、T2的反并联二极管D1、D2续流，T3第二个脉冲到来后，电流继续流经负载电感、T3、D6，T1反并联二极管D1被强迫关断，该工况下测试对象为T3与D1......
Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计(2024-11-15 09:26)
信号控制器 （DSC）和模拟器件集成，能够实现由一家供应商提供全面的系统解决方案。”更低的导通IGBT电压 （Vce）、改进的反并联二极管（Vf更低）和更高的电流能力可实现更低的功率损耗、更高......
Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，适用于可持续发展、电动出行和数据中心应用(2024-11-18)
实现由一家供应商提供全面的系统解决方案。”
更低的导通IGBT电压 （Vce）、改进的反并联二极管（Vf更低）和更高的电流能力可实现更低的功率损耗、更高的功率密度和更高的系统效率。低电感封装加上Tvj -175°C时更......
变频器的能量转换方式(2024-05-23)
每只IGBT上并联一个二极管，这六只二极管是反并的，也起到续流的作用，这在之前篇幅当中提及过。
开篇就说，变频器不同于开关、接触器，可以从电源直接获取能量，由于变频器的隔离，电机......
光伏逆变器系统设计从系统目标到解决方案，一次性讲透(2024-06-07)
时，外部 IGBT
是逆变器工作模式下应力最大的器件。介于两者之间的所有工作点都不太重要。因此，我们提出了 A-NPC 方案，用带有两个反并联二极管的
IGBT取代两个箝位二极管。通过......
一文详解音频信号压缩电路(2023-01-30)
以及输入100k欧姆电阻完成的。 根据电路设计，施加在串联二极管上下两端的电压极性相反，幅度相等。 输入信号通过100k电阻输入到二极管中间， 如果它的幅值没有超过二极管......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
其较低的导通电阻和传导损耗以及在高频下切换高压而不会损坏的能力，绝缘栅双极晶体管非常适合驱动电感负载，例如线圈绕组、电磁铁和直流电机。
17、为什么IGBT要用二极管我们知道MOSFET或IGBT是单向器件，它们只在正向偏置时导通电流，在反......
现代工业电机驱动中如何可靠地实现短路保护的问题(2022-12-19)
A电流探针进行测量，仅供参考。去饱和电压达到9 V跳变电平，栅极驱动器开始关断。显然，短路的整个持续时间不足400 ns。电流的长尾表示下方IGBT反并联二极管中的续流导致的感应电能。开启时，去饱......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
通过优化器件结构和布局，大大增强碳化硅体二极管的通流能力，不需要额外并联二极管，降低系统成本，减小系统体积。
优良的阈值电压稳定性
如何能够得到优质的碳化硅栅氧结构是目前业界普遍的难题。栅氧......
超共源共栅简史(2023-03-29)
的导通电阻较高、效率较低，同时导电损耗显著，而且在能量回收水平较高时，其体二极管的用处不大。这里给出的解决方案，在外部并联二极管以实现 “第三象限” 操作，同时使用额外的低压阻断肖特基二极管......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
、功率MOSFET零电压的开通
功率MOSFET要想实现零电压的开通，也就是其在开通前，D、S的电压VDS必须为0，然后，栅极加上VGS驱动信号，这样就可以实现其零电压的开通。在实际的应用中，通常方法就是利用其内部寄生的反并联寄生二极管......
【干货】二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用(2024-06-25)
来说，主要是由二极管构成，波形的形状取决于电路的配置和设计。
二、工作原理
基于二极管的限幅电路分为2种：
串联二极管限幅电路
并联二极管限幅电路
三、串联二极管限幅电路
在串联限幅电路中，二极管......
电动汽车电机控制器硬件功能安全(2023-07-19)
短路也有一定的学问，要避免产生过高的瞬态短路电流。
b. 续流Freewheeling
也即三相桥的六个管子均关闭，电机通过反并联二极管将自身的能量输送到直流端，相当于三相不控整流。直流......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
) 切换氮化镓FET。在MOSFET中，体二极管具有高零反向恢复特性，限制了开关 di/dt 和 dv/dt，并导致额外的损耗和相节点电压振铃。对于IGBT，即使添加优化的反并联二极管，仍然......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
截止，没有电流流过二极管。这就是所说的二极管的单向导通特性。下面解释为什么二极管......
2月新品推荐：电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管(2021-02-26)
和功率因数校正（PFC）。其常见应用包括：电池充电基础设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS），以及服务器和电信开关电源（SMPS）。
由于IGBT反并联SiC肖特基势垒二极管，在dv/dt和......
除了二极管，防反接电路还能用什么？(2023-09-12)
除了二极管，防反接电路还能用什么？;串联本文引用地址：以常用的5V/2A为例。常用串联在中，在电源时，承担所有的电压，有效防止电源损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管......
车载OBC的发展趋势(2023-05-04)
电路拓扑结构如下所示：
采用高效率的双电感设计，降低EMI和反向恢复时间
而在元器件选择上，应选择快速主开关和快速反并二极管来进行切换，
采用常规IGBT并不能满足高效率的部分要求，所以......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
器件都是按照结温小于绝对最大额定结温80％确定器件尺寸。硅 IGBT方案使用4个并联的650V/200A IGBT和额定值相同的相关续流硅二极管；基于SIC MOSFET的方案设计采用7个并联的650V/100A SiC......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。
IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合......
电机为什么要用整流桥 电机整流桥的作用和原理是什么(2024-04-22)
电机为什么要用整流桥 电机整流桥的作用和原理是什么;电机为什么要用整流桥
电机使用整流桥的主要目的是将交流电转换为直流电，以便有效地驱动电机。
以下是为什么电机要使用整流桥的几个原因：
1. 电机......
具有反向阻断功能的新型 IGBT(2023-09-06)
用于主电流路径中功率半导体软开关的辅助谐振电路双向开关，如图 3 所示的矩阵转换器。
图 1 反激式
图2 逆变器
如果在电压、电流和频率方面都适用，那么迄今为止这种开关都是由不具有反向阻断能力的标准IGBT和串联二极管......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
操作，这也使得模块在并联时只需要一条直流母线即可实现。
4.5 kV XHP系列还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决3电平方案有多个单IGBT开关和一个半桥二极管......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化并联......
从燃油车到电动汽车，空调压缩机也在“新能源化”(2024-07-02)
1200V IGBT器件以及反并联二极管开关损耗特性较差，SiC MOSFET方案的优势更为明显。轻载情况下整体损耗仅为传统IGBT IPM方案的11%～17%，而在重载工况下则变为23%～27%左右。所以......
英飞凌推出全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器(2024-01-10)
）。
XHP™ 3 IGBT
XHP™系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管和TRENCHSTOP™ IGBT4 450A半桥IGBT......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
时效率高于99%的6个并联低 RDS(ON) SiC FET可能会取代 IGBT 及其并联二极管，从而使功率损耗减少3倍。在较轻负载、高频使用下，这种改进甚至更好，损耗比 IGBT 技术低 5 至 6 倍，并且......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
节中，我们将研究ANPC拓扑结构及其在功率模块设计内的相互作用。图4显示了光伏逆变器采用的典型ANPC拓扑结构。实验中使用了六个子系统，每个子系统由一个IGBT（T1至T6）和一个反并联二极管（D1至......
如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
的电流需要过零，以便能够承担电压。从这点开始，IGBT可以将电压转移到二极管上，让自己的电压下降，直到达到饱和状态（Vcesat）。
由于芯片并联，最慢的二极管决定了整体开关速度。尽管......
如何将电池储能系统的性能提升到更高水平？(2023-07-28)
V，而充放电功率不会超过 10 kW。降压-升压转换器是最常见的双向 DC-DC 拓扑，因为它需要的组件少且易于控制。两个 650 V IGBT 或 MOSFET 搭配并联二极管，例如......
安森美新一代混合功率模块探秘：平衡性能与成本的创新(2024-11-08 10:10)
适合用于提高大型太阳能组串式逆变器或储能系统 (ESS)的功率。F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT和1200V D3 EliteSiC二极管，实现高电压和大电流转换的同时降低功耗并提高可靠性。FS7 IGBT 关断损耗低，可将......
全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25 17:11)
的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化并联......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
电源防反接电路笔记;
1.防反接对元件的要求
单向导通特性
这个二极管就能实现。但是二极管有管压降，一般都大于0.7V。而且电流越大，管压降越大，二极管......
英飞凌推出全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块(2023-12-27)
XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管......
详解电机控制中的电压重构(2024-07-26)
空比发生变化；
2、IGBT导通和关断延迟影响：
IGBT硬件本身的开通延迟和关断延迟造成了PWM波占空比发生变化；
3、管压降影响：
IGBT导通管压降和续流二极管管压降造成了PWM波幅......
聊聊永磁同步电机的一种安全状态：FreeWheel(2024-08-09)
情况下，IGBT绝对不会导通，分析的时候可以不用考虑IGBT，但是IGBT反并联的二极管存在导通的可能，此时系统的主回路拓扑如下：
这时候逆变器其实等效为三相不控整流电路，当电机转速较低时，电机......
变频器主电路由什么组成？变频器主电路图讲解(2024-06-14)
在电路结构上具有其特殊性。
1、全波整流电路
在SPWM变频器中大多采用桥式全波整流电路，在中、小容量的变频器中整流器件采用不可控的整流二极管或二极管模块，如下图所示变频器交-直变换电路中的VD1......
通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统(2023-10-31)
种情况下，降压- 升压转换器是最常见的双向DC-DC 拓扑，因为它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650 V IGBT 或MOSFET 就足够了。例如，安森美的650 V......
如何通过SiC增强电池储能系统？(2024-03-25)
它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650V IGBT或MOSFET就足够了。例如，650V FS4 IGBT FGH4L75T65MQDC50集成了二极管，可在......
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模块1600V/150A PAT20016 二晶闸管反向并联模块1600V/200A PDH308 二极管与晶闸管同向串联模块800V/30A PDH608 二极管与晶闸管同向串联模块800V/60A
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：BSM（带反并联续流二极管（F.W.D）的IGBT模块），BYM（二极管模块）， FZ（一单元模块），FF（两单元模块（半桥模块）），FP（七单元模块（功率集成模块））FD/DF（斩波模块），F4（四单
;武汉罗氏电子科技股份公司;;为什么个人不能注册啊
企业可以突破的地方在哪里？ 为什么你的公司赢利这么低？ 如何改变现状，突飞猛进？ 为什么给高薪水还是留不住人才？ 业务员素质管理培训如何开呢？ 网址：http://www.juzhihui.cn/
手机：13553068481 联系人：邵德升 专业代理一下产品： SEMIKRON：IGBT模块 整流桥 可控硅模块 二极管模块 驱动板 EUPEC： IGBT模块 整流桥 可控硅模块 二极管 三菱
;第一家公司;;第一家公司 老板：兔兔，今天工作忙不忙？ 兔兔：不忙。 下班时老板对兔兔说：你明天不用来了。 兔兔：为什么？ 老板：因为你不能多为公司干事，所以才会不忙，公司
;宏业科技;;手机，电脑，及其配件，我主要是在这个网上采购的，不卖东西，如果有什么要咨询的可以留言大家互相讨论！
）电子元件的推广，IGBT模块、SPM模块、IGBT单管、MOSFET、快恢复二极管、肖特基二极管、驱动IC、控制IC等全线无铅产品。我公司专业为UPS电源、逆变电源、变频电源、通信电源、逆变
、责任”的经营理念，专业研发制造销售肖特基二极管、快恢复二极管、整流桥及开关三极管的电子元件。如此美丽的工厂环境，高档的设备仪器，凝聚的企业团队，热诚的服务态度，怎不能铸就您对我们的信赖呢！ 2.你们都是什么