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指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶闸管为半控型器件，承受电压和电流容量在所有器件中最高；电力二极管为不可控器件，结构和原理简单，工作可靠；还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件......
通过其门极只能控制其导通，不能控制其关断，所以只能是半控型器件。70年代后期，以GTO、BJT、MOSFET为代表的全控型器件迅速发展，工作频率达到兆赫级，标志着第二代电力电子器件诞生。80年代后期，集合了MOSFET......
Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor......
加额外的以太网端口，包括 USXGMII（通常称为 NBaseT，通过双绞线支持 1G/2.5G/5G/10G 以太网），并在配备 GTY 收发器的 XCZU11EG 和更大型器件中......
东南亚地区疫情严峻，其位于马来西亚一处厂房在本月16日因疫情而短暂关闭，但事件影响有限，工厂也于昨(18)日重启运作。 功率器件——MOSFET的地位和角色 公开资料显示，功率器件是分立器件的一个重要分支，可分为功率分立器件......
中使用双数据指针，有一些特别的要求。 首先来看Keil C51是如何支持双数据指针的。 在Keil C51的编译器手册中指出：#pragma modp2可以打开Philips或Atmel WM系列器件中......
专为在电池供电型系统中使用而设计，30μA 的低静态电流使其成为一种理想的选择。静态电流处于良好受控状态；与其他许多稳压器不同，此系列器件的静态电流在压差情况下不会增大。 LT1962 稳压器的一个关键特点是低输出噪声。通过......
-level pinning）现象下，传统二维半导体器件很难实现互补逻辑电路的难题（仅表现N型或P型器件的特性）。利用这种新的电极材料，单个器件可以同时实现N型和P型器件的功能，从而形成一种高性能、低功......
够发出或吸收无功功率，并且其输出可以变化以控制电力系统中的特定参数。 目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作为开关。如IGCT其耐压可达6.5kV，通断电流可达4000A。但在......
Vishay推出的新款汽车级厚膜片式电阻可在减少系统元件数量的同时，提高精度和稳定性;Vishay推出的新款汽车级厚膜片式电阻可在减少系统元件数量的同时，提高精度和稳定性 节省空间型器件......
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
可替代分压应用中使用的多个分立电阻。这款节省空间型器件通过AEC-Q200认证，特别适合用于电动汽车（EV）和工业设备大功率DC/DC转换器和逆变器、车载充电器以及电池管理系统电压监控和过压保护。CDMA系列器件阻值范围500 kΩ至......
可替代分压应用中使用的多个分立电阻。这款节省空间型器件通过AEC-Q200认证，特别适合用于电动汽车（EV）和工业设备大功率DC/DC转换器和逆变器、车载充电器以及电池管理系统电压监控和过压保护。CDMA系列器件阻值范围500 kΩ至......
MAX6895数据手册和产品信息;MAX6895–MAX6899是小尺寸、低功耗、具有排序功能的电压监视电路。该系列微型器件具有可调的、低至0.5V的电压监视门限，以及......
40 A系列器件---SiC45x系列，扩充其microBUCK®同步降压稳压器，新型器件采用热增强5 mm x 7 mm PowerPAK® MLP34-57封装，输入电压为4.5 V~ 20 V......
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暗电流控制水平与国际先进水平对比图，Au掺杂长波器件R₀A值较常规汞空位n-on-p型器件提升了至少一个数量级，与p-on-n型器件R₀A值控制水平接近，昆明物理研究所Au掺杂长波器件暗电流控制接近国际先进水平，为高性能长波焦平面器件的......
持最新的MachXO5D-NX系列器件。 莱迪思半导体产品营销副总裁Dan Mansur表示：“在莱迪思，我们专注于满足客户不断变化的安全需求，并帮助他们提前应对系统数据和基础设施的网络威胁。在这个数字时代，基于硬件可信根器件的......
钟信号的驱动需要认真考虑。经过不同系列的器件传输时，占空比的变化是不同的。这主要是因为各个系列的器件的转换电平不同。比如，HC系列器件的转换电平为其电源电压的1/2，基本上在VIH/2；F系列等双极型器件的......
100,000 个周期的循环测试，需要耗时347 天。 另一值得注意的是：压接型器件的曲线显示“测试通过”是一项例行测试，可确保器件满足最低要求但并不意味着产品已达到寿命时间，100% 的压接型器件......
栅双极型晶体管） ，是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通......
解析三极管的电阻位置;用作开关时的常见电阻配置，如下图所示。本文尝试解析为何这些电阻要放置在这个位置，而不是那个位置。在其位，谋其职。本文引用地址： 电阻R1 1）产生基级电流Ib【是流控型器件......
发布的片式电阻分压器在单体封装中集成两个电阻，爬电距离5mm，一个器件可替代分压应用中使用的多个分立电阻。这款节省空间型器件通过AEC-Q200认证，特别适合用于电动汽车（EV）和工业设备大功率DC/DC转换器和逆变器、车载......
能源汽车中的应用 IGBT是一种由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点。在新......
Bipolar Transistor)即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高频率、高电压、大电流、易于......
IGBT可以通俗的理解为是带阀门控制的能控制电子双向（多向）流动的晶体管。IGBT是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET金氧......
Vishay最新推出的卡扣式功率铝电容器可提高功率密度，节省电路板空间并降低成本;小型器件纹波电流提高至5.05 A，85℃条件下使用寿命达5,000小时日前，Vishay......
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有（Metal-Oxide......
据线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装，触发电压为6.3 V TLP，典型器件鲁棒性和电容分别为25 A 8/20 µs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供的钳位电压在16......
据线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装，触发电压为6.3 V TLP，典型器件鲁棒性和电容分别为25 A 8/20 µs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供......
具有较好的牢固性。此外，插件元件通常用于功率型器件，对散热要求较高，其性能远高于贴片元件，更能保持产品的性能稳定、持久。然而，插件元件的抗震能力相对较差，且在生产过程中可能存在引脚变形、通孔......
有功分器、耦合器、衰减器、滤波器、合路器、负载、电桥和双工器等。连接路由型射频无源器件主要包括合路器、电桥等。分配调控是指将一路信号等分成多路或分成不同频段不同大小的射频信号，以满足设计施工要求。分配调控型器件......
敏捷和先进的RoT功能 —莱迪思半导体（NASDAQ：LSCC），低功耗可编程器件的领先供应商，今日宣布推出两款全新解决方案，进一步巩固其在安全硬件和软件领域的领先地位，帮助......
有集成电路中均存在此二极管。它是器件的集电极或漏极的二极管。在双极性器件中还附加了一个肖特基二极管对线路反射的下冲信号进行限幅。在CMOS电路中附加了二极管以增加防静电功能。 电流倒灌产生的原因： 当使用CMOS型器件......
发布的片式电阻分压器在单体封装中集成两个电阻，爬电距离5mm，一个器件可替代分压应用中使用的多个分立电阻。这款节省空间型器件通过AEC-Q200认证，特别适合用于电动汽车（EV）和工业设备大功率DC/DC转换器和逆变器、车载......
igbt在电动汽车上的作用;　　igbt在电动汽车上的作用 　　IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体；由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件......
耗时347天。另一值得注意的是：压接型器件的曲线显示“测试通过”是一项例行测试，可确保器件满足最低要求但并不意味着产品已达到寿命时间，100%的压接型器件都需要达到这个结果。相较之下，焊接键合模块的PC......
器同时调压调频的控制方式的特点： 在这类装置中，用不控整流，则输入功率因数不变；用（PWM）逆变，则输出谐波可以减小。PWM逆变器需要全控型电力半导体器件，其输出谐波减少的程度取决于PWM的开关频率，而开关频率则受器件......
Intertechnology, Inc. （NYSE股市代号：VSH）宣布，推出节省空间的小型0402外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。 Vishay Draloric......
, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出温度系数（TCR）低至2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列......
E-mode增强型器件的方案选择控制HEMT内部的2DEG—但这样的设计会对2DEG优势有负面影响。 Normally-off E-mode增强型氮化镓器件限制了2DEG的天然优势 在工......
、TSOP4xxx、TSOP57xxx、TSOP6xxx和 TSOP77xxx系列器件采用新一代控制IC提高光性能 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年3月1日 — 日前，Vishay......
器学习模型。MCX N系列器件提供丰富的外设。MCX N94x带有各类先进模拟和电机控制外设，而MCX N54x也包含高速USB（具备PHY），SD或智能卡接口等适用于物联网和消费者应用的外设。该系列新型器件......
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Vishay推出升级版红外接收器，降低供电电流，提高抗ESD和阳光直射的可靠性;增强型TSOP2xxx、TSOP4xxx、TSOP57xxx、TSOP6xxx和 TSOP77xxx系列器件......
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2.8mm LGA 封装。LTM4607 是无铅型器件，并符合 RoHS 标准。 应用......
节点实现突破 近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅（subthreshold swing......
不可少的，如果都掌握在别人手里，那就会对发展造成影响。 我们先从什么是IGBT说起。 所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型......
汽车应用领域的需求将超越计算机和数据存储领域，占总体需求市场的22%。 IGBT是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和双极型三极管（BJT）的低......

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