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提升其键合力，实现高像素性能；同时，为实现更好的BSI光电二极管结构，藉由思特威开发优化的晶圆减薄技术，可在晶圆研磨减薄中最大程度减少硅的损耗，保障超高精度并将硅衬底厚度成功减薄，而且对于850nm与940nm的近红外增强也做了工艺......
先进传感器中试线成功通线。 该中试线以国产设备为主，具备晶圆键合、晶圆减薄、干湿法刻蚀、物理和化学气相沉积、原子层沉积、化学机械研磨、湿法清洗、自动化量测等先进传感器和晶圆级3D集成技术的核心工艺能力，同时......
往某客户大生产线。 图片来源：华海清科 官方介绍称，这款设备能满足3D IC制造、先进封装等制程的超精密晶圆减薄工艺需求，可提供超精密磨削、抛光、后清洗等多种功能配置，具有高刚性、高精度、工艺......
推进客户端导入工作，发往存储、先进封装、CIS等不同工艺的客户端进行验证。近日，公司12英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300完成首台验证工作。 公告显示，Versatile-GP300机台......
显示，12英寸超精密晶圆减薄机是业内首次实现12英寸晶圆超精密磨削和CMP全局平坦化的有机整合集成设备，Versatile-GP300量产机台可稳定实现12英寸晶圆片内磨削总厚度变化＜1um和减薄工艺......
英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300 机台通过创新布局，集成超精密磨削、抛光及清洗单元， 配置先进的厚度偏差与表面缺陷控制技术，提供多种系统功能扩展选项，具有高 精度、高刚性、工艺......
足芯片封装厚度尺寸和表面粗糙度的要求。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，对应装备就是晶片减薄机，而该设备此前长期被国外垄断。 电科装备依托国家科技重大专项技术成果，完成了8英寸全自动晶圆减薄......
学腐蚀与磨削移除的交互作用下进行平坦化。在化学机械研磨工艺之后，研磨液中的颗粒成为缺陷微粒存在于晶圆表面，因此必须从晶圆表面完全除去才能保持半导体器件的可靠性和生产线的清洁度。鉴于此，实有必要提出一种晶圆......
清科表示，Versatile–GM300超精密晶圆减薄机，在技术上突破了超薄片减薄工艺技术壁垒，依托先进的厚度均匀性控制技术，可实现片内均匀性TTV＜1.0μm，达到了国内领先和国际先进水平。该产......
、先进封装等芯片制造大生产线，满足12英寸晶圆超精密减薄工艺需求。 图片来源：清华新闻网 据悉，12英寸超精密晶圆减薄机是集成电路制造不可或缺的关键装备。该装备复杂程度高、技术......
装机量也基本上超过50台。 华海清科股份有限公司磨划装备事业部总经理刘远航带来的题目是《面向先进封装的晶圆减薄装备及工艺解决方案》，讲述了先进封装减薄技术应用领域与发展趋势、以及公司晶圆减薄......
这家A股厂商实现重要突破，国内半导体设备领域佳音频传;5月21日，半导体设备厂商华海清科发布公告称，公司新一代12英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300量产......
思特威自研先进BSI工艺平台首批落地量产的产品，通过该平台晶圆键合技术、晶圆减薄技术以及硅表面钝化技术三大关键工艺技术，可为当下智能手机前摄、后置主摄以及后置辅摄应用提供优异的成像性能。 创新影像技术与12英寸晶圆工艺......
进节点的CMP设备开发及工艺突破。 华海清科称，除了CMP之外，公司平台化拓展也取得了积极成效，减薄设备、湿法设备和膜厚检测设备等均有布局，其中12英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300......
思特威自研先进BSI工艺平台首批落地量产的产品，通过该平台晶圆键合技术、晶圆减薄技术以及硅表面钝化技术三大关键工艺技术，可为当下智能手机前摄、后置主摄以及后置辅摄应用提供优异的成像性能。 智能......
键合、晶圆减薄等BSI晶圆特殊加工工序。 格科微表示，现阶段公司在关键工艺验证及生产环节尚未形成自主产能，未来，公司将通过自建部分12英寸BSI晶圆后道产线、12英寸晶圆......
12GB、16GB 两种容量版本。 在制造该内存封装的过程中，三星电子优化了 PCB 和环氧树脂模塑料（IT之家注：Epoxy Molding Compound，简称 EMC）技术，并结合了晶圆背面研磨工艺......
正面及背面的高效率清洗提供技术保障。该机型将广泛应用于大硅片等制造领域。 此前5月，华海清科新一代12英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300量产机台出机发往集成电路龙头企业。12英寸超精密晶圆减薄......
的器件也可采用 TO-247 三引脚封装。该系列器件采用先进的银烧结芯片贴装和晶圆减薄工艺，通过良好的热性能管理实现了出色的可靠性。 此外，免费在线设计工具支持所有 1200V SiC FET；可以......
之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续......
之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续......
竣工投产后，预期可实现开票销售3亿元。 资料显示，晶汇半导体成立于2000年8月，主要从事于专业4-12寸各类晶圆加工，通过不断引进先进的半导体设备和技术，为客户提供晶圆测试(CP)，晶圆研磨（减薄），晶圆......
验证，并积极开拓先进封装、大硅片、第三代半导体等市场。同时华海清科还开发拓展了Versatile系列减薄设备、HSDS/HCDS系列供液系统，以及晶圆再生、关键耗材与维保服务等技术服务。 华海......
阳和成都分别设有芯片设计中心，在贵阳建有单片集成电路（国军标）、后膜混合集成电路（国军标）和高可靠塑封3条生产线和1个检测中心，具备6英寸晶圆减薄、背面金属化、芯片划片、封盖等工艺能力。 根据......
涉及与半导体制造过程中的最终产品相对应的“后端”设备，主要包括晶圆切割成芯片的划片机（切割设备）和用于减薄芯片的研磨机等。 作为半导体量产所需的晶圆切割机（Dicer）、研磨机（Grinder......
收购也使我们有机会继续开发新型复合半导体生产技术，成为南威尔士复合半导体集群的一个重要组成部分。”  新港半导体生产工厂最初于1982年创立，当时命名为INMOS。目前每月产能为超过35,000片200 mm晶圆，涵盖各类半导体技术，从使用晶圆减薄......
于1982年，当时命名为INMOS，目前每月产能为超过35000片200mm晶圆，涵盖各类半导体技术，从使用晶圆减薄方法的MOSFET和沟槽栅极(Trench) IGBT到CMOS、模拟......
开发 300mm 硅片单面抛光机，开始了 CMP 设备的研发。2014 年，四十五所作为“300mm 超薄晶圆减薄抛光一体机研发与产业化”子课题“去应力抛光系统研发与产业化”的责任单位，成功突破承载器、抛光......
。 公司主营业务为晶圆减薄、切割、成品切割及表面处理。QFN即方形扁平无引脚封装，是一种焊盘尺寸小、体积小，以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术。QNF技术与传统封装技术相比，PCB......
图像传感器产品的生产将从直接采购BSI晶圆转变为先采购标准CIS逻辑电路晶圆，再自主进行晶圆键合、晶圆减薄等BSI晶圆特殊加工工序。 △图片来源：格科微招股书注册稿截图 对于......
了更多客户的认可，市场占有率不断提高。全新抛光系统架构CMP机台Universal H300已实现小批量出货，并获得多家头部客户的批量销售订单；12英寸超精密晶圆减薄机Versatile–GP300已实......
，涵盖各类半导体技术，从使用晶圆减薄方法的MOSFET和沟槽栅极(Trench) IGBT到CMOS、模拟和化合物半导体。 新港工厂，再加上目前在曼彻斯特和汉堡晶圆厂进行的200mm晶圆投资，将助......
清科以CMP产品为主，该公司新的抛光系统架构CMP机台已实现小批量出货，并获得多家头部客户的批量销售订单；12英寸超精密晶圆减薄机已实现首台验证，其性能获得客户认可，满足客户批量化生产的需求；应用于4/6/8......
加工服务，晶圆减薄在集成电路堆叠封装技术 的提升及功率器件电学特性的提升方面起到了关键作用。公司拥有行业领先的技 术研发团队和量产平台，具备突出的晶圆背面加工能力，特别在 IGBT......
装测试。公司攻克了存储芯片面临的高I/O密度基板设计与仿真、晶圆减薄后翘曲、晶圆厚度均一性、超薄Die金属离子迁移污染、超薄Die切割和取放、多层堆叠应力分布、低压力模流、超低线弧引线键合、高精......
成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争对手的Si MOSFET或SiC MOSFET技术。第4代技术中所包含的其他优势，则是通过先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻。这些......
cells）中的轨道数。除了 imec 的方法外，还有另外两种背面功率传输方案，工艺复杂度不断提高。这三者都面临将晶圆减薄至 ̴10µm 的挑战。他们需要将背面与正面连接对齐，并且担心串联电阻——尤其......
方正证券签署了辅导协议。 1IC卡封装产能全球第二，与知名芯片设计厂商合作 公开信息显示，新恒汇成立于2017年12月，注册资本1.79亿元，是集引线框架、模块封装、晶圆减薄......
仅增加了生产成本，也限制了产能。”项目负责人介绍，传统方法在切割环节的材料利用率仅为50%，而经过抛光研磨后的材料损耗高达75%。 为了克服这些挑战，南京大学的技术团队采用激光切片设备，显著......
) 、石墨( 碳) 等材料，因此，防止氧、碳等元素在长晶过程中被晶体吸收是一个非常重要的工艺控制环节。 切断和外径滚磨是晶锭研磨成具有精确直径的单晶棒，再沿单晶棒的晶轴方向滚磨出主、次参考面，为了......
就是由台积电独立研发生产。 而中段制程需要的通孔填充、晶圆减薄与键合等工艺需要用到刻蚀、沉积等前道设备 ，这必然意味着大规模的资本支出。台积电 2016 年预计仅 InFO 资本投入达 9.5 亿美元，而日......
机、划片机、研机等设备的研发生产和销售，覆盖4英寸、6英寸、8英寸和12英寸晶圆的材料加工、芯片制造和封装等工艺段。 封面图片来源：拍信网......
产品包括CMP设备、减薄设备、供液系统、晶圆再生、关键耗材与维保服务等，已广泛应用于集成电路、先进封装、大硅片、第三代半导体、MEMS、MicroLED等制造工艺。 华海......
天目先导共同成立江苏三合，聚焦于电解质涂布膜，获得业内关注。 回到湖南恩捷硫化物技术上，针对微纳化过程球磨介质对粉体表面结构破坏、颗粒团聚等会影响粉体质量问题，湖南恩捷开展了针对性的研发设计，通过大量的溶剂筛选以及研磨工艺......
加工设备（晶片研磨机、减薄机、抛光机）、CVD设备（外延设备、LPCVD设备等）、叠瓦组件设备等；在碳化硅领域，公司的产品主要有碳化硅长晶设备及外延设备；在蓝宝石领域，公司可提供满足LED照明......
出，是对技术的新要求，也是对封装工艺中材料和设备的全新考验。 挑战二 晶圆要求更高，亟需更高纯度和质量的创新材料 半导体材料犹如支撑半导体产业链条中的重要“血脉”，是晶圆......
周末分享：晶圆的生产工艺流程; 版权声明：本文转载自泰科天润，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢！ 工程师们平时都见过芯片，也有很多工程师见过晶圆，但是你们知道晶圆......
在耐磨性及表面塑料手感方面也是急需再改善的课题。而UTG柔性玻璃的优势在于可减薄到具有可弯折的特性，同时具有普通玻璃的性质，透光好、硬度高，可以有效隔绝外界气体，减薄后弹性模量和硬度不变，折痕......
及第三代半导体等全系列离子注入机产品格局，实现了28nm工艺制程全覆盖，300mm化学机械抛光设备进入主流产线，高性能晶圆清洗干燥技术达到国际先进水平，湿法整线设备再上新台阶，减薄设备成功实现碳化硅晶圆100微米以下的超精密磨削，重要......
鼎龙股份：目前已在28nm节点HKMG制程的铝制程抛光液产品上取得了突破;近日，鼎龙股份在接受机构调研时表示，公司 CMP 抛光垫产品已经深度渗透国内各家主流晶圆厂的供应链，成为......

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