资讯
stm32 flash写数据怎么存储的(2024-07-23)
扇区可以独立进行擦除和写入操作，这使得STM32 Flash存储器非常灵活和易于使用。Flash存储器的每个单元通常被称为“页”，一个页大小通常为1KB到2KB。这些页可以独立进行写入操作，并且无需进行整个扇区的擦除。这个特......
89C51单片机结构框图(2023-03-27)
机内部结构如图所示：
下面介绍的是mcs-51
MCS-51单片机存储器的配置特点
① 内部集成了4K的程序存储器ROM；
② 内部具有256B的数据存储器RAM；
③ 可以外接64K的程序存储器ROM和 数据存储器RAM......
89C51单片机的结构框图及原理解析(2023-05-10)
机内部结构如图所示：
下面介绍的是mcs-51
MCS-51单片机存储器的配置特点
① 内部集成了4K的程序存储器ROM;
② 内部具有256B的数据存储器RAM;
③ 可以外接64K的程序存储器ROM和 数据存储器......
80C51虚拟指令执行系统的设计(2024-03-12)
空间和寄存器，并提供了虚拟指令执行器访问虚拟存储器的接口。
图1是虚拟80C51指令执行系统的总体结构图，同时图1也显示了系统运行的三个基本过程：
(1)加载二进制文件到虚拟存储器的......
NOR Flash全球市场回暖，国产代码型存储器厂商机遇到来！(2020-06-28)
物联网的发展，很多新型市场兴起，NOR Flash的需求增加，推动代码存储器市场规模上涨到30亿美金。可以预见的是，伴随几个高速增长市场对代码存储器的需求增加，2021年代码存储器的......
STM32存储器映射(2023-02-27)
设计成内部FLASH，Block1 用来设计成内部RAM，Block2 用来设计成片上的外设，下面我们简单的介绍下这三个Block 里面的具体区域的功能划分。
存储器Block0 内部区域功能划分
Block0 主要......
STM32单片机中C语言操作寄存器的原理(2023-01-04)
STM32单片机中C语言操作寄存器的原理;映射的概念
存储器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片厂商或用户分配，给存储器分配地址的过程就称为存储器映射，如下图所示的4GB空间（从block0......
基于单片机的导盲拐杖设计(2023-03-03)
良好的性价比和功能消耗较低的优点[12]。
AT89C51RC单片机：
AT89C51RC单片机是Atmel公司生产的低功耗高性能CMOS 8位单片机，其中它具有32k Bytes Flash只读程序存储器(ROM)，512......
基于MCS-51单片机的三个存储空间及划分解析(2023-07-19)
基于MCS-51单片机的三个存储空间及划分解析;1.前言
MCS-51的存储器有片内RAM、片外RAM 和 ROM 三个空间。
MCS-51单片机在物理结构上有四个存储空间
1、片内程序存储器......
STM32F207内部Flash编程详解(2023-09-19)
的flash是指STM32F207内部集成的Flash
Flash存储器有以下特点
最大1M字节的能力
128位，也就是16字节宽度的数据读取
字节，半字，字和双字写入
扇区擦除和批量擦除
存储器的......
关于STM32F103C8T6内部Flash划分的详细说明(2023-07-11)
：
用于擦除整个Flash存储器的位掩码。CR_MER_Set将FLASH- >CR寄存器的MER位设置为1，表示启用Flash全片擦除。CR_MER_Reset将FLASH- >CR寄存器的......
三、编写 s3c24x0 的 bootloader——重定位（一）(2024-08-26)
寄存器需要设置 MODE（NAND Flash 控制器运行模式），要使能 nandflash；Reg_nCE（NAND Flash 存储器的 nFCE 信号控制），我们是引导期间，所以要使能片选；InitECC......
恩智浦首个FD-SOI芯片，意味着什么？(2017-04-18)
业界在电阻式RAM方面取得更多进展，作为嵌入式存储器替代微控制器flash存储器的一种选择。他说：“我们需要一些独特的方式来跨越flash存储器的门槛。MRAM尚且处于‘早期阶段’。”
恩智浦确定了40种不同类型的嵌入式非易失性存储器......
stm32f103 flash模拟eeprom(2024-08-19)
同于Flash存储器的主要特点是可以对单个字节进行随机读写操作。而STM32F103的Flash存储器是一种基于NOR Flash技术的存储器，具有较大的存储容量和较快的读写速度。
Flash存储器的......
80C51单片机片内与片外程序存储器的选择(2023-03-23)
80C51单片机片内与片外程序存储器的选择;大多数51系列单片机内部都配置一定数量的程序存储器ROM。如80C51芯片内有4KB掩模ROM存储单元，AT89C51芯片内部配置了4KB Flash......
AT89S51单片机的内部硬件结构组成及特点介绍(2023-09-01)
如下功能部件和特性：
（1）8位微处理器（CPU）。
（2）数据存储器（128B RAM）。
（3）程序存储器（4KB FLASH ROM）。
（4）4个8位可编程并行I/O口（PO口、Pl口、P2口和P3口......
FLASH存储器测试程序原理和几种通用的测试方法(2023-06-13)
，只能把整个扇区或整个存储器的数据擦除，而擦除操作要花费大量的时间。FLASH存储器还有其他特性，比如读写速度慢、写数据之前要先写入状态字、很多FLASH只适于顺序读写而不适于跳转操作等，这些特点......
MCS-51单片机最大的时序定时单位是多少(2023-10-19)
个可寻址64KB外部数据存储器、还可以寻址64KB外部程序存储器的三总线的控制电路。
MCS-51单片机最大的时序定时单位
4个时序单位从小到大为：节拍，状态周期，机器周期，指令......
STM32F7x6的系统架构(2023-03-07)
Flash执行的时候零等待的一个执行性能，一个是ST的ART加速器，一个是M7内核独有的可用于内部和外部存储器的一级缓存，在STM32F7里拥有4KB的指令缓存和4KB的数据缓存。
第二......
STM32启动详细流程分析(2023-07-21)
动仅适合于从代码区开始（典型地从 Flash 启动）。STM32F10xxx 微控制器实现了一个特殊的机制，系统可以不仅仅从 Flash 存储器或系统存储器启动，还可以从内置 SRAM 启动。
根据......
详细的STM32启动配置流程解析(2024-08-09)
动仅适合于从代码区开始（典型地从 Flash 启动）。STM32F10xxx 微控制器实现了一个特殊的机制，系统可以不仅仅从 Flash 存储器或系统存储器启动，还可以从内置 SRAM 启动。 根据选定的启动模式，主闪存存储器......
Jlink 软件断点和硬件断点(2024-08-01)
指令某几个位是否匹配上。这个bit-pattern会预先存储到下软件断点的位置，也就是说把在内存中哪个位置的值替换为这个bit-pattern，而原来这个位置的指令会被暂存到调试器的存储单元中。因此......
STM32实例教程-DMA实验(2023-06-07)
通过串口发送到电脑的数据）的地址。方向我们设置外设为目标地址。
存储器到存储器
当我们使用从存储器到存储器传输时，以内部 FLASH 向内部 SRAM 复制数据为例。DMA 外设寄存器的......
关于STM32芯片的三种烧写方式对比(2023-09-04)
关于STM32芯片的三种烧写方式对比;我们做STM32产品开发，最终是要将编写的程序代码写进芯片存储器，通常指Flash存储器【含可以映射到芯片存储空间的片外存储器】，让程......
STC8G系列存储结构二(2024-07-29)
对应不同的实体【区别与STM32统一编址的哈佛结构】
由于没有提供访问外部程序存储器的总线，单片机的所有程序存储器都是片上 Flash 存储器，不能访问外部程序存储器。
STC8G 系列单片机内部集成了大容量的数据存储器......
stm32开发常用的软件和语言介绍(2023-10-12)
器执行指令时， 根据不同的指令采取不同的动作，完成不同的功能，既可以改变自己内部的工作状态，也能控制其它外围电路的工作状态。
汇编语言的另一个特点就是它所操作的对象不是具体的数据 ，而是寄存器或者存储器，也就是说它是直接和寄存器和存储器......
半导体存储大厂技术革新！(2024-12-10)
，有业内人士指出，如果加快生产速度，可能在第二季度末就开始量产。
三星为400层NAND引入了“三层堆叠”技术。报道称，三星400层NAND Flash快闪存储器的成功研发，代表着NAND闪存......
嵌入式学习之Nand Flash(2024-08-30)
嵌入式学习之Nand Flash;Nand Flash是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand Flash存储器......
LPC2119简介 μC/OS-II在LPC2119上的移植(2023-03-06)
在LPC2119上的移植，同时对移植前需要掌握的基本知识进行了分析，特别是对与移植密切相关的三个文件进行了详细分析，还对用到的芯片的重映射概念进行了详细说明。
LPC2119简介
LPC2119片上资源除了上面介绍的存储器......
STM32U0系列(2024-03-27)
产品寿命
最多可将电池续航时间延长两倍，具体取决于应用类型。
设计面向入门级的电池供电应用
产品类型：
STM32U031STM32U031x系列提供高达64 KB的Flash存储器和高达12 KB的......
存储行业市场迎来反转，国产赛道竞争激烈(2024-05-09)
（简称Flash）。快闪存储器的主流产品为NOR Flash 和NAND Flash，其中NAND 是大宗存储，NOR 是利基存储。
目前存储芯片市场主要以DRAM 和NAND Flash 为主。其中......
STM32夺命100问(2024-02-03)
协议下的烧写程序。另一种成为IAP（在应用编程），适用于很多接口（USB，串口，CAN）下载到存储器中，IAP允许在程序运行时重新烧写FLASH。
43、FLASH分为主存储器（这里......
一文分享STM32的学习笔记(2023-05-31)
下的烧写程序。另一种成为IAP（在应用编程），适用于很多接口（USB，串口，CAN）下载到存储器中，IAP允许在程序运行时重新烧写FLASH
43、FLASH分为主存储器（这里放置用户的程序代码）和信息块（启动......
关于STM32的140个问题汇总(2024-01-31)
协议下的烧写程序。另一种成为IAP（在应用编程），适用于很多接口（USB，串口，CAN）下载到存储器中，IAP允许在程序运行时重新烧写FLASH
43、FLASH分为主存储器（这里......
关于STM32必学的100多个知识点(2023-09-21)
SWD协议下的烧写程序。另一种成为IAP（在应用编程），适用于很多接口（USB，串口，CAN）下载到存储器中，IAP允许在程序运行时重新烧写FLASH。
43、FLASH分为主存储器（这里......
超详细的STM32单片机学习笔记汇总(2024-04-11)
SWD协议下的烧写程序。另一种成为IAP（在应用编程），适用于很多接口（USB，串口，CAN）下载到存储器中，IAP允许在程序运行时重新烧写FLASH
43、FLASH分为主存储器（这里......
stm32学习笔记之问题总结(2022-12-26)
、在使用一个外设之前，必须设置寄存器RCC_AHBENR来打开该外设的时钟
7、数据字节以小端存储形式保存在存储器中
8、 内存映射区分为8个大块，每个块为512MB
9、 FLASH的一......
STM32 吐血100问(2022-12-15)
、数据字节以小端存储形式保存在存储器中
12、 内存映射区分为8个大块，每个块为512MB
13、 FLASH的一页为1K(小容量和中容量)，大容量是2K。
14、 系统存储......
142 条 STM32 学习笔记（必收藏）(2023-02-02)
协议下的烧写程序。另一种成为IAP（在应用编程），适用于很多接口（USB，串口，CAN）下载到存储器中，IAP允许在程序运行时重新烧写FLASH。
43、FLASH分为主存储器（这里......
143条 超详细整理STM32单片机学习笔记（必看）(2023-01-13)
下的烧写程序。另一种成为IAP（在应用编程），适用于很多接口（USB，串口，CAN）下载到存储器中，IAP允许在程序运行时重新烧写FLASH
43、FLASH分为主存储器（这里放置用户的程序代码）和信息块（启动......
142条STM32遇到的坑，你知道几个？(2024-02-26)
程序有两种方式，一种为ICP（在线编程），适用于JTAG或SWD协议下的烧写程序。 另一种成为IAP（在应用编程），适用于很多接口（USB，串口，CAN）下载到存储器中，IAP允许在程序运行时重新烧写FLASH......
89c51单片机和89s51单片机的区别，89s51单片机新增功能汇总(2024-08-30)
央处理器和ISP Flash存储单元，功能强大的微型计算机的AT89S51可为许多嵌入式控制应用系统供给高性价比的解决方案。
AT89S51具有如下特点：40个引脚，8k Bytes Flash片内程序存储器......
关于Blob的介绍及其在S3C44B0上的移植(2023-01-04)
接起。表1所列为不同的外部数据总线宽度下，处理器与外部存储器的地址线接法。
对Flash编程需要对Flash写入一个特定的时序。如果S3C44B0寻址0x5555，由于外部总线错了一位，这样......
IAP和ISP（固化程序方式）(2024-08-05)
IAP和ISP（固化程序方式）; 当设计者在单片机上完成单片机的程序开发后，就需要将程序固化到单片机内部的程序存储器中。当单片机的程序存储器采用 Flash工艺时，则允许设计者可以重复地固化程序到程序存储器......
NAND Flash价格会涨到什么时候，和NOR Flash的差异是什么(2024-02-20)
NAND Flash价格会涨到什么时候，和NOR Flash的差异是什么;
【导读】随着现代科技产品运算量能越来越大，更先进存储器的需求也随之上涨，今天来和大家聊聊现代电子产品常使用到的存储......
一文了解新型存储技术(2023-01-03)
等传统存储器的局限，存储器技术壁垒不断被突破，新型存储技术开始进入大众视野。
壹
新型存储有哪些？
目前，新兴的存储技术旨在集成SRAM的开关速度和DRAM的高密度特性，并具有Flash......
一文了解新型存储技术(2023-01-04)
突破DRAM、NAND Flash等传统存储器的局限，存储器技术壁垒不断被突破，新型存储技术开始进入大众视野。
新型存储有哪些？
目前，新兴的存储技术旨在集成SRAM的开关速度和DRAM的高......
STM32系列微控制器新型存储器扩展技术--FSMC有什么优点？(2024-06-07)
类型。STM32通过FSMC可以与SRAM、ROM、PSRAM、NOR Flash和NANDFlash存储器的引脚直接相连。
②支持丰富的存储操作方法。FSMC不仅支持多种数据宽度的异步读／写操作，而且......
可以直接访问Nand Flash存储器，此特性可以用于Nand Flash存储器的读、擦除和编程。
lS3C2440支持8/16位的Nand Flash存储器接口总线
l硬件ECC生成，检测和指示(软件......
基于S3C2410A芯片和Flash存储器实现嵌入式工控量热仪的设计(2023-02-27)
基于S3C2410A芯片和Flash存储器实现嵌入式工控量热仪的设计;1、引言
现在大多数的发电厂、煤炭矿厂以及各大小级别实验室中所使用的工控量热仪都是这样的一个框架：完成......
相关企业
;深圳市科杰通信;;主营SPANSION存储器, NOR FLASH和MCP
盘，COMPACT FLASH CARD）,微处理器（POWER PC755，7410）及液晶显示屏。 怀特WEDC/EDI/WHITE存储器主要以EDI、W字母开头，如WS、WF、WE、WED、WMF
(Low Power SRAM); 高速静态随机存储器 (High Speed SRAM); 虚拟静态随机存储器 (Phesduo SRAM); 程序存储器 (NOR FLASH).
;深圳优特科技股份有限公司;;本公司主要经营销售旺宏系列FLASH存储器、SRAM、液晶显示屏.
、遥控七彩陶瓷灯、遥控七彩水晶灯、FLASH、存储器的合作经营企业(港或澳、台资)，艾芯科技（香港）有限公司市场部钮军具备LED灯、单片机、ATMEL、台湾华邦芯片、LED驱动芯片、ATTINY13A
;学之友教学仪器有限公司;;主要生产数码学习机类产品，用到的IC,有FLASH类IC,程序存储器IC
、Micron、Infineon、等品牌的IC，产品主要有：NOR FLASH MEMORY（闪存）、SDRAM（动态存储器）、SRAM（静态存储器）、等, 我公司在深圳和香港拥有大量原装现货库存，欢迎
线通信和Intenet计算领域.SST的产品涵盖各种密度的高性能Flash存储器,Flash海量存储产品和Flash微控制器，公司拥有一支高素质的管理团队和高水平的技术队伍，通过团队的不懈努力,为客
,NANYA等系列, 产品主要有：NOR FLASH MEMORY（闪存）、SDRAM（动态存储器）、SRAM（静态存储器）、DDR1,2,3,等, 本公司常年存储有上万种电子元器件, 其中
、Winbond、ISSI等品牌的IC，产品主要有：NOR FLASH MEMORY（闪存）、SDRAM（动态存储器）、SRAM（静态存储器）等。欢迎新老客户来电咨询，本公司坚持以“质量保证、价格