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PCB和集成电路是什么关系？一文说透(2024-12-01 14:50:31)
大规模生产。
PCB和集成电路的关系......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管(2022-05-16)
、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。
全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的......
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容(2021-06-18)
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容;宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推......
半导体、集成电路、芯片有哪些区别?(2024-10-08)
和芯片的理想材料，半导体材料如硅（Silicon）和锗（Germanium）可通过控制其电导性能来实现电子器件的功能，例如二极管和晶体管。
集成电路......
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件(2022-12-12)
）为60mV/dec的室温极限，是实现高速度、低功耗CMOS技术和集成电路的重要途径。近年来，包括隧穿晶体管（TFET）、负电容晶体管（NCFET）、冷源晶体管（CSFET）等在......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
Hoerni在实验室工作
1962年:航天系统计算机首次使用集成电路
与分立晶体管设计相比，集成电路的......
柔性32比特微处理器问世(2021-07-22)
”。
该处理器被集成在一个可从内部存储器运行的电路内，当前版本在装配之后不能更新，不过研究团队认为，未来迭代能实现可编程的存储器。
研究人员表示，“PlasticARM”处理器拥有更多晶体管，比此前金属氧化物薄膜晶体管构成的最佳柔性集成电路......
帮助电源解决方案遵循摩尔定律(2024-05-06)
-24 个月性能翻倍的速度。当然，即使是“性能”的语义定义也可能成为很多争论的目标，因此为了本次讨论的目的，它将被搁置一边。除了对集成电路(IC) 中晶体管尺寸/数量的影响之外，还有......
PI发布效率达98.5%的高压BLDC电机驱动器IC产品系列(2018-11-14)
机驱动器IC产品系列。BridgeSwitch IC内部集成了两个性能加强的FREDFET（具有快恢复外延型二极管的场效应晶体管）分别用于半桥电路的上管和下管，且具有无损耗的电流检测功能，可使300 W以内......
如何通过VIPower M0TM技术实现车用智能功率开关(2024-07-03)
析其在汽车领域的应用优势。
二、VIPower M0TM技术概述
VIPower M0TM技术是意法半导体(ST)独家专有的一种纵向智能功率器件技术。该技术通过集成高性能的晶体管和控制诊断集成电路，实现......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
由两个NPN和两个PNP晶体管组成的H桥，
下部NPN晶体管的电阻不断减小，而接地（=负端子）与X2和X4之间的电位不断增加。
如果输入钳位处的电势等于电路的......
芯片上“长”出原子级薄晶体管，可大幅提高集成电路密度(2023-05-04)
芯片上“长”出原子级薄晶体管，可大幅提高集成电路密度;
研究人员拿着一块8英寸的二硫化钼薄膜的CMOS晶圆。右边是研究人员开发的熔炉，使用不损害晶片的低温工艺在晶片上“生长”一层二硫化钼。图片......
专利涉及宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。
宜普......
宜普电源转换公司（EPC）在美国国际贸易委员会起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25 14:28)
专利涉及宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。宜普......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管;为特定工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。本文引用地址：我最......
宜普电源转换公司起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25)
成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。
宜普公司位于美国加利福尼亚州的埃尔塞贡多（El Segundo），将氮......
使用SCR的电池充电器电路(2023-08-01)
次导通并关闭可控硅。
使用可控硅和 LM 311 的电池充电器电路
下面是另一个使用可控硅和 LM311 控制电池充电器的电路。交流信号通过可控硅整流，比较器用于检测电池充电电压与参考电压的关系，从而......
我国首次建立基于硅晶格常数溯源的集成电路纳米线宽标准物质(2024-09-14)
产业发展。
纳米线宽作为集成电路的关键尺寸，指晶体管栅极的最小线宽（栅宽），是描述集成电路工艺先进程度的一个重要指标，其量值的准确性将极大影响电流、电阻......
摩尔定律的支持与争论：摩尔定律仍然还存在吗？(2022-12-15)
摩尔定律的支持与争论：摩尔定律仍然还存在吗？;
是由英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon
Moore)提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管组成的电路就是集成电路......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
投产。
在IEDM 2023上，英特尔组件研究团队同样展示了其在技术创新上的持续投入，以在实现性能提升的同时，在硅上集成更多晶体管。研究人员确定了所需的关键研发领域，旨在通过高效堆叠晶体管继续实现微缩。结合......
电子管功放和晶体管功放哪个音质好(2024-01-26)
甚至上千伏，而流过电子管的电流仅几十毫安至几百毫安。输入动态范围大，转换速率快。
电子管放大器大多是采用分立元件、手工搭线、焊接，效率低，成本高。而晶体放大器多是采用晶体管和集成电路相结合方式，广泛使用印刷电路......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
表的研究明确了超越PowerVia，进一步拓展背面供电技术的路径，及所需的关键工艺进展。此外，该研究还强调了对背面触点和其它新型垂直互联技术的采用，从而以较高的面积效率堆叠器件。
英特尔率先在同一块300毫米晶圆上成功集成硅晶体管和氮化镓晶体管......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
创新技术均源自英特尔组件研究团队，预计将在2030年前投产。在IEDM 2023上，英特尔组件研究团队同样展示了其在技术创新上的持续投入，以在实现性能提升的同时，在硅上集成更多晶体管。研究人员确定了所需的关......
还搞不懂TIP147是什么管子？看这一文，引脚图+参数+工作原理(2024-01-22)
。尽管它们每个内部都有2个晶体管，2个电阻和1个二极管，但只有三个引脚，基极发射极和集电极出来。其余的在内部连接。所以为了方便起见，可以将它们中的每一个假设为晶体管。
150瓦功放电路图
注意......
深度丨半导体知识及芯片发展史(2023-12-17 23:26:32)
Hoerni）。
另一个发明专利便是集成电路。
顾名思义，集成电路就是用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容......
详解继电器原理特性与继电驱动电路设计技巧(2024-11-12 21:27:25)
其电压箝位在+12V上。
4、集成电路驱动电路
目前已使用多个驱动晶体管集成的集成电路，使用这种集成电路......
光刻机将成为历史！麻省理工华裔研究出 2D 晶体管，轻松突破 1nm 工艺！(2023-05-29)
。
但是，直接将 2D 材料生成到硅 CMOS 晶圆上有一个问题，就是这个过程通常需要约 600 摄氏度的高温，但硅晶体管和电路在加热到 400
摄氏......
12v DC至220v AC转换器电路(2023-08-03)
偏置在饱和区时，集电极发射极和集电极基极结均为正向偏置。此时，集电极发射极电压最小，集电极电流最大。
该电路的另一个重要方面是振荡器。555 定时器集成电路的一个重要用途是用作天稳定多频振荡器。
可控......
调频广播电路(2023-07-20)
Q2 的基极与水箱电路相连。发射极引脚接地，集电极通过 22K 欧姆电阻与电源相连。可变电阻控制输入放大器的音量。这些晶体管用于检测频率调制信号。
集成电路的输出端通过一个额定电压为 25v 的......
摩尔定律将继续影响电子信息产业的发展(2023-03-28)
填满更多的元件"，文中预言半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年增加一倍。1975年，戈登·摩尔在IEEE国际电子组件大会上提交了一篇论文，根据当时的实际情况对进行了修正，把"每年增加一倍"改为"每两......
具有延迟和报警的高低压切断(2023-07-26)
关断状态。因此，晶体管 Q2 处于导通状态，从而通过绿色 LED 指示灯将负载切换至导通状态。
断电后恢复供电时，555 定时器 IC 变为低电平，从而触发 555 定时器 IC。555 定时器集成电路的输出通过晶体管......
自走式电器上的电池放电保护(2023-11-12)
最高值，且 IC 为最大值。在这些条件下，VGS 应该要足够高以确保线性工作。
Rref 和 Rbias 分别通过漏极二极管(Drain Diode)和集成晶体管的集电极(Collector)来设定电流，使......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。
硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构 图源：复旦大学
研究团队利用硅基集成电路的标准后端工艺，将二硫化钼(MoS2)三维堆叠在传统的硅基芯片上，形成p......
|光耦合电路讲解，工作原理+电路案例，通俗易懂，带你搞定(2024-11-20 12:53:06)
可以由光耦合器控制。
另外，光电晶体管和红外 LED 之间的空间是透明的非导电材料，隔离了两个不同的电路。LED 和光电晶体管之间的中空空间可以使用玻璃、空气或透明塑料制成，电气......
北大教授：后摩尔时代，集成电路技术的4个发展方向(2022-05-19)
系统模块，就可以承担整个系统的功能，好比不同军种组合成一个集团军，以完成多样化任务。
器件结构革新
开发量子器件、单电子器件、石墨烯器件、仿生类脑器件等。
晶体管是集成电路的......
硅光芯片，终于到了拐点？(2023-01-28)
电子元件都是独立的元件——主要是真空管，它们控制施加电压的电极之间的电流流动。不久之后，第一个晶体管被发明出来，这标志着电子工业取得非凡进步的开始。随后，随着集成电路的诞生，该行业进一步扩大——一个芯片嵌入了数百万或数十亿个晶体管......
两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！(2023-02-06)
式开关模式电源。（图片来源：Mornsun Power）
当然，这些木质试验板作为使用现代元器件的电路平台已经过时了。尽管如此，“试验板”和“试验板布局”已成为与粗略构建演示电路或子电路有关的标准术语。然而，从真空管到分立引线晶体管和......
中达VDF-B型22kW变频器主电路原理及检修(2023-01-31)
间的直流电压逐渐上升至一定值时，开关电源电路起振工作，主板MCU器件检测到直流回路的电压值上升至某一阈值后，从DJP1的23端子输出低电平的“晶闸管开通信号”，光耦合器DPH7由此产生输入侧电流，输出侧内部光敏晶体管导通，将振......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。
△硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构
研究团队利用硅基集成电路的标准后端工艺，将二硫化钼(MoS2)三维......
台积电董事长刘德音预测：未来 15 年每瓦 GPU 性能提升 1000 倍，GP(2024-03-29)
提高整体性能和降低成本发挥关键作用。
▲ 得益于半导体技术的进步，EEP 指标有望每两年提升 3 倍
3D 集成电路的革命性时刻
1978 年，加州理工学院的 Carver Mead 教授和 Xerox......
电源管理芯片究竟管理些什么，又是怎么管的？(2023-07-31)
了电源管理的新时代。自出现以来，电源管理技术发展势头迅猛，已经成为了涵盖生产生活大小方面的关键部分。
电源管理的分类
从一定意义上来说，“功率半导体”也称为“电源管理半导体”。也正是因为大量集成电路......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。
图：硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构
研究团队利用硅基集成电路的......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
兼容。实现大规模二维半导体集成电路的先决条件是原材料的高质量和均匀性的大规模生产。硅晶片是通过切割大块单晶锭获得的，而大面积的二维半导体通常是通过自下而上的沉积方法获得的。生长过程中引入的晶界和晶体......
台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道？(2024-08-23)
、连接至锁存器的第一传输门晶体和第二传输门晶体以及p型隔离晶体管，p型隔离晶体管包括连接至第一上拉晶体管的漏极区的第源极/漏极区和连接至Vdd节点的栅极。该电路还包括与第二SRAM单元共用的读取位线，以及连接至第一传输门晶体管和第二传输门晶体管......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
场效应管制造工艺简单，并且又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性，在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管，目前的大规模和超大规模集成电路中，已经......
IBM推碳纳米管芯片，真的会是硅的完美替代者吗？(2016-11-16)
五边形恰好出现在碳纳米管的顶端，就形成碳纳米管的封口。出现七边形的地方碳纳米管则向内凹进。
碳纳米管具有硅的半导体特性，而这种特性是它成为芯片晶体管的关键。当接通电流时它们有极好的传输电子的能力。但是......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
减小很多。
6、场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7、场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管制造工艺简单，并且又具有普通晶体......
相关企业
;香港奥创物资有限公司;;我公司专门制造半导体元件，如二极管，晶体管和集成电路。希望与你建立业务关系。
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;深圳微旭电子有限公司;;本公司是专业从事半导体集成电路的设计.生产和销售的高新技术企业，公司拥有一支具有丰富设计经验和较强设计能力的集成电路专业设计队伍，同时以和国内知名集成电路封装企业（华天
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
;丹东市华奥电子有限公司;;丹东华奥电子有限公司是专业从事汽车/摩托车电子电器配套用集成电路和晶体管开发、设计、生产、推广应用和服务的高科技企业。产品出口国际市场。公司长期现货供应以下产品 汽车和摩托车闪光器专用集成电路
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;广州丰盈电子商行;;我司成立于1998年,主要从事电子元器件代理及批发业务.公司实力雄厚,是杭州士兰微电子股份有限公司（上市公司）（生产三极管,场效应管和集成电路）,杭州友旺电子有限公司（生产
;辽宁丹东华奥电子有限公司;;丹东华奥电子有限公司成立于2001年,我司是专业从事汽车/摩托车电子电器配套用集成电路和晶体管开发、设计、生产、推广应用和服务的高科技企业。 公司为汽车/摩托