资讯
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开，两个地通过0欧姆电阻点连接，可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制，利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管的......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率，这意味着与平面器件相比，电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次，沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管的JFET电阻，在该区域中，来自......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
地说，是低比导通电阻（Ronsp，电阻x面积）。如能降低Ronsp，则芯片制造商能缩小芯片尺寸，从而实现RDSon=15 mOhm的产品，这能降低碳化硅用量，从而提高产量。
沟槽式金氧半场效晶体管的......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
器件，准确地说，是低比导通电阻（Ronsp，电阻x面积）。如能降低Ronsp，则芯片制造商能缩小芯片尺寸，从而实现RDSon=15 mOhm的产品，这能降低碳化硅用量，从而提高产量。
沟槽式金氧半场效晶体管的......
高效率﹑低成本ISM频段发送器中的功放电路(2023-06-21)
以看出，输出级晶体管含有丰富的谐波成分。这些谐波成分取决于驱动信号的占空比和幅度、场效应管的导通电阻和功率放大器的负载电阻。在D类功率放大器中，通过改变输入信号的占空比改变输出功率，即脉宽调制模式(PWM......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
迁移率
Cox是栅极氧化物电容
W是晶体管的宽度
L是晶体管的长度。
这两个方程式为我们带来了几个有趣的地方：
在线性区域，晶体管的电流增益取决于输出电压。它根本不取决于输入信号。这在......
基于音频放大器的模拟分压器解析(2023-06-15)
D3 用于输出晶体管的偏置和温度补偿。微调电位器 P2 用于调整输出晶体管的静态电流，例如，根据负载从 1 到 10 mA。电阻器 R4 和 R5 提供本地负反馈和对输出晶体管 T4 和 T5 的一......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的......
如何破解您的 DC/DC 转换器？(2022-04-18)
倍的电流且只需将两端的电压降低一半，晶体管的功耗与技巧#2的大致相同。
再者，栅极驱动器的非隔离初级侧的 5V 线性稳压器已被低成本 R-78E 开关稳压器模块所取代，能以高达 500mA 的电流提供 5V......
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED(2023-02-08)
式LED驱动电路图
在升压转换器的输出级使用线性调节，可将24 V电源电压转换为72 V，为两个并联的LED灯串提供所需的高电压。两个并联的100 V NPN晶体管的基极端子使用可调......
适用于热插拔应用的具有导通电阻的高效 MOSFET(2023-09-20)
给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。热插拔电路用于通过偏置传输晶体管的栅极来限制浪涌电流，从而允许电子设备以受控方式插入带电电源。强大......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
器的大信号特性（右）。
有源负载的输出电阻与电流源负载的输出电阻相同，但总跨导现在是两个晶体管的总和。
•方程式11。
这种更大的增益是以高非线性为代价的，如图9的大信号特性图所示。
为CS......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
负载。
左）。右：放大器大信号特性图。
•图9。有源CS（左）。放大器的大信号特性（右）。
有源负载的输出电阻与电流源负载的输出电阻相同，但总跨导现在是两个晶体管的总和。
•方程式11。
这种更大的增益是以高非线性......
电压范围为 3.8V 至 32V 间。利用峰值电流控制模式及高端与低端电源的晶载金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET)，降压转换器将所需的外部零件降至最低，以减少材料清单 (BOM) 成本......
电压范围为 3.8V 至 32V 间。利用峰值电流控制模式及高端与低端电源的晶载金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET)，降压转换器将所需的外部零件降至最低，以减少材料清单 (BOM) 成本......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
1.与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
MOSFET开关损耗简介;本文将通过解释功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。本文引用地址：的工作可以分为两种基本模式：线性和开关。在线性模式中，晶体管的......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
CHAO
在大部分的教材里都会告诉你长长的一段话：
全称金属氧化半导体场效应晶体管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，属于绝缘栅极场效晶体管......
45W晶体管电子管混合式功率放大器(2023-06-27)
微调两电子管控制栅极直流静态工作点和调整交流噪声自我抑制的双重功效。电阻R4、R5与PR1的总阻与差分放大器的工作电流产生的电压降将决定功放管的控制栅极偏压疽。两晶体管的集电极直接输出到Vl、V 2的控制栅极，推动......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
是非常流行的，这会导致体效应以一种非平凡的方式改变阈值电压。
信道长度调制
理论上，饱和状态的晶体管应作为具有无限输出电阻的理想电流源。 实际上，当沟道收缩时，VDS仍对漏极电流有影响，因此晶体管的输出电阻......
超声波加湿器震荡电路板电路设计(2023-04-13)
风扇驱动电路组成功能完善的超声波加湿器震荡电路，见下图2。
图2
各元器件作用：
换能片：有效的将电能量转换为最大的超声波能量。
晶体管 V：震荡三极管。
二极管 D1：D1的作用是保护V不被击穿。
可调电位器 VR1：调节VR1可以......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR......
Diodes 公司推出高效率和高准确度的线性 LED 控制器(2018-04-04)
Diodes 公司推出高效率和高准确度的线性 LED 控制器;Diodes 公司推出AL5814、AL5817、AL5815以及AL5816线性 LED 控制器，为 LED 灯条提供可调光和可调......
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术(2023-10-07)
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术;外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（）场效晶体管进展，这有望使成为十年内最可能接替全环绕栅极晶体管......
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术(2023-10-07)
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术;外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（CFET）场效晶体管进展，这有望使CFET成为十年内最可能接替全环绕栅极晶体管......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少......
Diodes公司的可调电流调节器简化LED驱动(2015-12-09)
基于一台设备上的平台设计，可以使用多个LED串的应用，大大缓解了制造商的整个鉴定过程。这些LED驱动器还增强了系统可靠性的晶体管，二极管和电阻器的单片集成既简化了系统设计，减少了元件数量。
负温度系数，从而......
基础知识之DC/DC转换器(2024-03-28)
与基准电压 (VREF) 相同，因此输出电压值（VO）由两个电阻（R1和R2）的阻值比决定。
Vo=[ (R1+R2) / R2 ] x VREF
下图的输出晶体管为MOSFET，不过也有使用双极晶体管的......
imec展示单片式CFET功能组件 成功垂直堆栈金属接点(2024-06-22)
展示了具备电性功能的CMOS互补式场效晶体管（）组件，该组件包含采用垂直堆栈技术形成的底层与顶层源极／汲极金属接点（contact）。虽然此次研究的成果都在晶圆正面进行接点图形化，不过......
MIT黑科技：让芯片自己组装自己 轻松实现7纳米(2017-03-29)
到降低漏电流的目的。其关系函式如下：
根据这样的理论，增加绝缘层的表面积亦是一种改善漏电流现象的方法。鳍式场效晶体管（Fin Field Effect Transistor，FinFET）即是......
拜登政府恐对中国大陆封锁最强GAA技术(2024-06-13)
拜登政府恐对中国大陆封锁最强GAA技术;美中贸易战冲突未歇，传出美国将再次出手打击大陆半导体产业，针对最新的环绕闸极场效晶体管（）技术祭出限制措施，限制其获取人工智能（AI）芯片技术的能力，换言......
电源管理芯片究竟管理些什么，又是怎么管的？(2023-07-31)
等。
电源管理的发展历程
上世纪40年代晶体管问世，不久后，作为电源管理技术的发展基础的晶闸管在晶体管渐趋成熟的基础上问世，从而揭开了电源管理技术长足发展序幕。
1979年发明了功率场效应晶体管......
TL431多种经典应用电路(2024-04-25)
TL431多种经典应用电路;一、介绍本文引用地址：是由美国公司（TI）和Motorola公司生产的2.50~36V可调精密并联，它是一种具有可调电流输出能力的基准电压源，系列产品包括TL431C......
一种具有高阶温度补偿的高精度RC振荡器设计(2023-08-06)
地，晶体振荡器的频率比较稳定，但不能集成到芯片内部，而且精度只与所选择的晶体器件的固有频率有关[1]。结构简单、成本低廉，因而受到非常广泛的应用，但其振荡频率易受电压和温度变化的影响，其次也与电阻......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关......
精密线性恒流仪的设计和应用分析(2023-05-30)
精密线性恒流仪的设计和应用分析;前言
恒流源与稳压源一样，是电子线路中的基本单元。随着电子技术和元器件的发展，恒流技术已得到了快速的发展和广泛的应用。目前，常见的恒流源结构主要有：结型场效应晶体管......
ABI-BM8400电路板故障检测仪的功能特点与应用分析(2023-06-13)
量输入电压：±24V
输入阻抗：大于1MΩ
IC测试封装型态：OP放大器/比较器/DACs/ADCs
IC测试方式：在线测试，若工作在OPA工作在线性区， 则可自动计算出放大率（Av）
晶体管测试种类：晶体管......
高效晶体管如何推动组串式光伏逆变器发展(2023-10-25)
高效晶体管如何推动组串式光伏逆变器发展;在今天的博文中，我们会进一步深入探讨——随着时代的发展，高效功率晶体管技术对组串式的影响。在电力储能系统中，是进行电流转换必不可缺的组件。本文引用地址：首先......
硬件工程师需要掌握的线性稳压器的七大特性（1）(2024-02-26)
必须考虑涵盖整个温度范围的规格。
需要注意的是，对于可调输出电压的稳压器，由于其输出电压由外部电阻设置。因此，可调电压的稳压器的输出精度等于Vref的精度加上设置输出电阻器固有的误差。
可调输出电压的稳压器电路框图
4）输出......
我们能获得更好的音频放大器吗？是的，用氮化镓！(2022-12-09)
要竞争技术包括A类、AB类和B类放大器，这些均在线性区域中使用晶体管，以尽可能准确地再现输入信号的放大版本，但这些设计的理论效率极限均低于80％，实际效率在 65％以下。对于D类设计，是将......
运放可以当比较器使用吗？(2024-06-07)
推挽输出，而比较器只用一只晶体管，集电极连到输出端，发射极接地。
比较器需要外接一个从正电源端到输出端的上拉电阻，该上拉电阻相当于晶体管的集电极电阻。
运算放大器可用于线性放大电路（负反馈），也可用于非线性......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
)器件工作原理示意图；(c)N离子注入晶体管的输出曲线；(d)与已报道的氧化镓垂直场效应晶体管的性能比较。
氧气氛围退火和N离子注入所形成的电流阻挡层均能够有效隔绝晶体管源、漏极......
英特尔公布全新节点命名方式，加速部署全新制程与先进封装(2021-07-28)
各节点的创新技术：
Intel 7：基于FinFET（鳍式场效晶体管）优化，相较Intel 10纳米SuperFin每瓦效能可提升大约10%~15%。 Intel 7 将用在 2021 年......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
采用光纤的通讯方式，极大缩减了同步误差，可低于30ns。
2 MOSFET输出特性测试(ID=f(VDS))
MOS管的输出特性可以分为三个区:截止区、恒流区、可变电阻区。当MOSFET工作在开关状态时，随着......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
动车的交流电电动机的输出控制。
传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。
这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管......
音频放大器分类(2022-12-15)
大器。
1、A类放大器
A类放大器的主要特点是：放大器的工作点Q设定在负载线的中点附近，晶体管在输入信号的整个周期内均导通。放大器可单管工作，也可以推挽工作。由于放大器工作在特性曲线的线性范围内，所以......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
垂直GaN JFET的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究......
A类、B类、AB类、C类、D类5类功放介绍及比较(2024-09-03)
），它也被称为线性放大器，但是它的工作原理与纯甲类功率放大器完全不同。B类功放在工作时，晶体管的正负通道通常是处于关闭的状态除非有信号输入，也就是说，在正相的信号过来时只有正相通道工作，而负......
相关企业
;香港金鑫电子科技有限公司;;本公司专业销售各类品牌电子元件, 各式电容，电阻, 电感, 可调电容、电阻, 铝电解电容器,电位器,二三极管,晶体管,LED，集成电路, 陶振，滤波器等,为您
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
. 通用逻辑IC（CMOS逻辑IC） e. 通用线性IC（运放和比较器,马达驱动IC,电源IC, etc） f. 光电半导体（LD,LED,光传感器,光耦合和光中继,etc） g. 晶体管（小信号双极晶体管
;深圳市凯诚科技电子有限公司;;专营世界名牌厂家的二、三极管；经营类型主要是：场效应、消特基、变容二极管、检波、微波、稳压二极管、可调电位器、可调电容器、电容、电阻；还有少部分的IC！！！
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效
;深圳市明远电子科技有限公司;;深圳明远电子科技是华南区松下一级代理，主要经营松下贴片可调电阻电容，松下电位器，松下可调电阻，松下贴片可调电阻，松下一级代理商，立式可调电位器，卧式可调电位器，精密
;深圳市明远伟业有限公司;;深圳市明远科技有限公司.主要代理经营： 松下电位器，松下可调电阻，松下贴片可调电阻，松下一级代理商，立式可调电位器，卧式可调电位器，精密电位器，精密可调电阻，可调电阻
;深圳明远电子科技;;深圳明远电子科技有限公司，代理原装3X3.2X2松下（panasonic） 村田（MURATA ）阿尔贝斯（ALPS） 帝国（NOBLE）可器调电阻！微调电位、松下电位器，松下可调电阻
;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效
;薛祥 宝;;深圳市明远科技有限公司.主要代理经营： 松下电位器，松下可调电阻，松下贴片可调电阻，松下一级代理商，立式可调电位器，卧式可调电位器，精密电位器，精密可调电阻，可调电阻，电位器，微调电阻