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稳压、TVS二极管和压敏电阻的区别是什么?;贴片和可作为过电压保护部件使用。这些产品的结构和制造方法完全不同,但作为静电保护器件却具有相似的性质。由此,虽然在电路上都可以使用,但也......
稳压、TVS二极管和压敏电阻的区别; 本文引用地址: 1968年开发的氧化锌用于保护二极管免受雷击。另一方面,二极管主要用于整流,其用途不同。因此,产品目录和数据表中记载的不同项目很多,现在......
的作用,与滤波器的区别和相同点。 2、微分和积分电路电压变化过程分析,画出电压变化波形图。 3、计算:时间常数,电压变化方程,电阻和......
使R阻值在放电时不影响迅速放电的速率,在充电限流电阻R上并联一个形成放电通路的二极管D,图2-3-B所示。 此二极管在放电时导通,在充电时反偏截止,这样增加了充电限流电阻和放电二极管后,既保证了MOS......
看成一个纯理想开关,通了就通了,不带有一丝损耗。 二阶等效模型如下图所示,需要考虑二极管的0.7V导通压降,这也是最常用的等效。 三阶等效模型如下图所示,根据欧姆定律的推论:有电流的地方必有电阻......
CCM与DCM的区别(2024-09-11 16:00:35)
有与其他开关变换器拓扑相同的基本元素:两个开关(MOSFET和二极管)和一个输出电容器。 反激变换器有两个工作阶段,即tON和tOFF,这两个阶段分别根据MOSFET的开关状态来命名并控制。 在tON......
组成。为了区分于其他数字的区别,开头都是以0x开始。 正文 提示:以下是本篇文章正文内容 一、了解LED的工作原理 简单的理解一下:发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具......
安森美宣布将为Kempower提供EliteSiC MOSFET和二极管;近日,安森美宣布与Kempower达成战略协议,将为后者提供EliteSiC MOSFET和二极管,用于......
个关键决定是使用两电平还是三电平。这对效率有很大影响,主要包括开关和二极管中的开关损耗、电感器中的高频损耗,以及EMI。这还会极大影响拓扑结构,因为并非所有拓扑结构都支持三电平功能。 图4和图5显示了二电平和三电平开关之间的区别......
了一个内置电容器的变压器。 信号二极管是一种只允许电流单向流动的二极管。它们可通过高达 100mA 的小电流,并处理电信号中的信息。它们广泛应用于信号处理。这里的信号二极管用于视频调制。 音频输入通过电阻和电容串联连接到晶体管的......
控制器功率模块的可靠性和寿命极大地受到工作结温Tj的影响。虽然IGBT和二极管的PN结温度无法直接测量,但可以通过间接的测量和计算来获取。当前,电机控制器功率模块结温的计算已成为大家普遍关注的焦点。下面......
,把电压钳位至任何期望的电压限。 3. 使用带二极管的运算放大器,进行精确钳位。 进行过电压钳位的最简单的方法,与将 5V 数字信号连接至 3.3V 数字信号的简单方法完全相同。使用电阻和二极管......
19个常用的5V转3.3V技巧(2024-10-22 16:05:36)
过电压钳位的最简单的方法,与将 5V 数字信号连接至 3.3V 数字信号的简单方法完全相同。使用电阻和二极管,使过量电流流入 3.3V 电源。选用的电阻值必须能够保护二极管和 3.3V 电源,同时......
19种5V怎么转3.3V的方法(2024-11-26 20:14:43)
5V 数字信号连接至 3.3V 数字信号的简单方法完全相同。使用电阻和二极管,使过量电流流入 3.3V 电源。选用的电阻值必须能够保护二极管和 3.3V 电源,同时还不会对模拟性能造成负面影响。如果......
、 桥式整流电路 1、二极管的单向导电性: 伏安特性曲线: 理想......
电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。 对PMOS来说,Vs-Vg>Vgs(th),即S极和G极的压差大于一定值,MOS管会导通,同样的,具体参数看器件的SPEC。 ▉ 与三极管的区别极管是电流控制,MOS管是......
温度传感器: TDK 推出用于测量激光二极管温度、可选配金丝键合的新型NTC 热敏电阻; 可选配金丝键合 电阻和B值容差均在±1%范围内,确保温度传感高度准确 用于测量光通信收发器和LiDAR中的激光二极管的......
是内置,有的是需要外接,I/O端口的输出类似于一个三极管的C,当C接通过一个电阻和电源连接在一起的时候,该电阻成为上拉电阻,也就是说,该端口正常时为高电平;C通过一个电阻和地连接在一起的时候,该电阻称为下拉电阻......
这种电路的电流限制非常小。 在使用齐纳二极管设计电路时,要考虑的一件重要事情是齐纳电阻,齐纳电阻用于限制通过齐纳二极管的电流,从而保护其免受加热和损坏,齐纳电阻的值取决于齐纳二极管的......
高度准确的温度检测。 ●  可选配金丝键合 ●  电阻和B值容差均在±1%范围内,确保温度传感高度准确 ●  用于测量光通信收发器和LiDAR中的激光二极管的......
安森美与Kempower就电动汽车充电桩达成战略协议;安森美领先的EliteSiC MOSFET和二极管技术将是Kempower的电动汽车快充方案的关键 2023 年 5 月 16 日—智能......
集成电路电源电压 VDD 以下,或者 Vs 被拉低到地(下桥开关导通,上桥开关关闭)。电源 Vcc ,通过自举电阻 RBOOT和二极管 DBOOT ,对自举电容 CBOOT 充电。自举二极管的......
温度传感器:TDK 推出用于测量激光二极管温度、可选配金丝键合的新型NTC 热敏;本文引用地址:●   可选配金丝键合 ●   电阻和B值容差均在±1%范围内,确保温度传感高度准确 ●   用于......
只粗略判定电容好坏,用电阻档位或蜂鸣档测试,电容应该测不到电阻值(无穷大)或电阻由小变大然后变为无穷大,则为正常。   3)二极管测试  根据二极管单向导电性,用蜂鸣档,红黑笔先随便接,如果导通(有数......
极电流Id在逐渐上升,二极管的电流在逐渐减小,但是电流之和始终等于电感电流,在开关开通的这个过程中可以认为电感电流是没有变化的。这个时间段内驱动电流仍然是为Cgs充电。在t2这段时间里,Id只是......
操作电池充电器电路? 最初,当电路通电且电池电量低于阈值电压时,电路会执行为电池充电的任务。可控硅通过电阻 R1 和二极管 D1 在其栅极端被电压触发。然后,可控硅开始整流交流电压,但只整流半个周期。直流电流开始通过电阻......
安森美与Kempower就电动汽车充电桩达成战略协议;安森美领先的EliteSiC MOSFET和二极管技术将是Kempower的电动汽车快充方案的关键 智能......
安森美与Kempower就电动汽车充电桩达成战略协议;安森美领先的EliteSiC MOSFET和二极管技术将是Kempower的电......
介绍常见的电平转换方法。 二、二极管电平转换 典型应用:上拉电阻加二极管......
​升压转换器中的输出电压和二极管电流;了解输出电压和二极管电流如何影响升压开关调节器的性能。本文引用地址:在前面的文章中,我们使用图1中的示意图来探讨基本升压的设计决策和操作细节。现在......
导致前端电源压降进入保护模式。 此时,只需在电容输入串联电阻和二极管即可,可以减轻浪涌电流。当直流母线通过电阻给电容充电时,可以限制浪涌电流,但是,当直流母线需要供电时,电容可以通过二极管将电能反馈给直流母线。 2、主动......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices &......
230V LED驱动器(2023-08-01)
额定功率。 齐纳二极管的额定功率 根据上述计算,我们选择了额定功率为 5W 的 22KΩ 电阻串联电阻和额定功率为 1W 的 4.7V 齐纳二极管(实际上,四分之一瓦的齐纳二极管......
晶体管和二极管之间的电压应力关系。(图片来源:Mornsun Power)从表 2 可以看出,传统的开关模式电源只考虑 373 V 的输入电压 (VIN = 373 V),而 MOS 晶体管和二极管的......
温度传感器:TDK推出用于测量激光二极管温度、可选配金丝键合的新型NTC热敏电阻;• 可选配金丝键合 • 电阻和B值容差均在±1%范围内,确保温度传感高度准确 • 用于测量光通信收发器和LiDAR......
温度传感器:TDK推出用于测量激光二极管温度、可选配金丝键合的新型NTC热敏电阻;• 可选配金丝键合 • 电阻和B值容差均在±1%范围内,确保温度传感高度准确 • 用于测量光通信收发器和LiDAR......
蜂鸣器驱动电路(2024-10-14 12:31:55)
为第二种典型的错误接法,由于上拉电阻R2,BUZZER 端在输出低电平时,由于 电阻R1和R2的分压作用,三极管不能可靠关断。 上图为第三种错误接法,三极管的......
在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 3 最大平均整流电流Io 最大平均整流电流IO:在半波整流电路中,流过负载电阻......
LSI及Tr、Di等使用的Si跃迁概率(电流转变为光的概率)较差,因此不适用于激光二极管。 激光二极管和LED的区别 将激光二极管和LED的区别汇总在了下表中。 由于激光二极管的......
短路电流,这对电容和整流二极管的瞬间抗浪涌电流承受较大应力,影响二极管和电容的寿命,还会对电网产生干扰。 为了限制这种冲击电流,就要限制一下瞬间的充电电流,在整流桥输入一段串联一个普通的功率电阻......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
路 如果电源电压超过MOS管的最大源极栅极电压,则应插入4个分压器 , 每个分压器由齐纳二极管和恒定电阻组成 。齐纳......
值要高得多。 高电击穿场提供更高的击穿电压。该电压是击穿体二极管断开时的值,并且不断增加的电流在源极和漏极之间流动。PN结二极管的击穿电压与击穿电场成正比,与材料浓度成反比。 高电场为低得多的漂移区域提供了出色的掺杂和电阻......
用于保护单极电路。 TVS与ZD的区别 TVS和ZD在利用二极管的反向特性方面是相同的,但是由于ZD主要用于恒压应用,因此对电压稳定的低电流范围(5mA~40mA)规定了“齐纳电压(VZ)”。 此外,ZD......
950V IGBT和二极管的静态损耗和/或开关损耗显著降低。通过分析应用需求与功率模块设计的相互作用,本文确定了功率模块的应用结果和优化路径。得益于经优化的功率模块设计和采用950V技术,近期......
器:  偏置电阻上的电压应比 Vcc 低约 1.4V。此外,由于集电极平均电流相当大,偏置电流也相当小。因此需要使用大阻值电阻。这里我们使用 3K 电阻二极管的选择:- 两个二极管......
V2的IGBT 7开启过程,开关速度相同 当电流开始上升时,CE电压下降。两种不同布局之间的一个明显区别是,电压(Vce)在V1中显示出一个驼峰曲线,这是由二极管的恢复过程造成的。二极管的......
讨论的要点可以普遍适用于任何 ESD 设备,无论其技术如何。两种常见的硅保护器件是 TVS/齐纳二极管(图 2)和二极管/??轨夹(图 3),它们均旨在在 ESD 事件期间提供通向 GND 的低电阻分流路径。(两者之间的主要区别......
下图中没有明确显示。 升压转换器的简化原理图 这里必须要注意,如果升压转换器的输出端短路接地,则输入电压会通过电感和二极管短路接地,除了导线电阻和......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET; 东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage......
和电压变化是需要一定的时间,当电流和电压存在交叠过程,就产生了损耗。如图1 所示。 图1.开关过程损耗示意图 可视为所有6个IGBT和二极管的损耗相,同现计算如下。 开关损耗: 导通损耗: 其中: 由公式(2-1)和......

相关企业

;昆山江捷电子;;公司主要经营 电容电阻二极管三极管的代工, 以后转向生产
;上海双兰电子有限公司;;上海双兰电子有限公司成立于2002年。主要生产和销售大功率、高效能整流二极管及二极管检测仪器和二极管环境试验设备。产品销往东南亚地区和国内各地区,现正在开发欧美市场。 上海双兰电子有限公司作为半导体整流二极管的
、FAIRCHILD、ON、PHILIPS、MIC等知名品牌IC和二极管的公司,专业为客户提供一站式的供应配套服务。  公司主导产品: TO-92、TO-220、SOT-89、SOT-23等封装的三极管(高频、射频
;常州市银飞锝电子有限公司;;本公司是专业销售硅晶粒,二极管元件的公司,和二极管大厂有成功的合作经历,主要经销苏州固锝、天津中环、台湾元耀的产品。
;青岛佳科电子有限公司;;各种热表元器件、汽车电子、LED等的集成电路和二极管
;深圳市熙隆电子有限公司;;专业生产、研发和销售各种规格型号的桥堆和二极管:1A—50A单相桥式整流器、0.5A—3A贴片整流桥、TO220双相桥、10A—100A三相桥式整流器、1A—10A的各类普通二极管
;上海毅波实业有限公司;;,专业销售‘Hy’品牌的各种规格型号的桥堆和二极管:1A―50A单相桥式整流器、0.5A―1.5A贴片整流桥、TO-220双相桥、10A―100A三相桥式整流器、1A
产品有近十多个系列上百个品种。集多年半导体器件生产的丰富经验和先进的生产设备,使我们的产品达到了世界一流水平。本公司拥有长期研发制造二极管的技术和管理优势,建立了从硅片扩散至成品包装的全套生产线。产品
;南通振雄电子科技有限公司;;南通振雄电子科技有限公司,注册资本400万元,是专业生产销售MBS、ABS贴片迷你桥堆及SMA贴片式二极管的制造企业,公司引进国外先进的生产线设备,拥有
;深圳市首质诚科技股份有限公司;;深圳市首质诚科技有限公司创建于1998年,经过不断努力,先后得到多家品牌生产商的认可授权,代理有长电的二三极管、TVS二极管、AVX的钽