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欧等人与中科院物理所张建军和本源量子计算有限公司合作，首次在硅基锗空穴量子点中实现朗道g因子张量和自旋轨道耦合场方向的测量与调控，对于该体系更好地实现自旋量子比特操控及寻找马约拉纳费米子有着重要的指导意义。研究成果以“Anisotropicg......
比特翻转，这种方式的比特操控速率较慢。研究人员发现，利用电偶极自旋共振可以实现更快速率的自旋比特操控。电偶极自旋共振的一种方案是通过嵌入器件中的微磁体结构所产生的“人造自旋轨道耦合”来实现，但这会使自旋......
比特翻转，这种方式的比特操控速率较慢。研究人员发现，利用电偶极自旋共振机制实现自旋比特翻转，具备较快的操控速率。同时，比特的操控速率与体系内的自旋轨道耦合强度成正相关，因此对体系内自旋轨道耦合......
得堡国立大学的研究人员与托木斯克州立大学、德国和西班牙的科学家一起，首次对石墨烯进行了修饰，并赋予了它钴和金的特性，即磁性和自旋轨道相互作用（在石墨烯中的运动电子与其自身磁矩之间）。当与......
台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存：功耗仅为类似技术百分之一; 1 月 18 日消息，台积电携手工业技术研究院（ITRI）在下一代 MRAM 存储器相关技术方面取得突破性进展，成功研发出“自旋轨道......
工作温度横跨400度！工研院VLSI发表世界顶尖“磁性存储器”技术;工研院6月15日宣布，一方面与晶圆制造龙头台积电合作开发世界前瞻的自旋轨道扭矩磁性存储器（Spin Orbit Torque......
代MRAM技术分为两种，分别为通过在重金属层中通入面内电流使得磁矩发生翻转的叫自旋轨道矩MRAM（SOT-MRAM）和通过施加电压改变磁各向异性使得磁矩发生翻转的叫做压控磁各向异性MRAM（VCMA......
行存储器相比，耐久性、可靠性等问题仍需克服。 从主流的MRAM技术来看，MRAM技术包括嵌入式磁阻RAM（MRAM）、自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）、SOT-MRAM（自旋轨道......
种新型存储器技术都在竞相取代 SRAM、NOR 闪存和 DRAM 等现有标准。 专家表示 MRAM 与其竞争对手相比具有很大的优势，在可以预见的未来，其读取速度可以媲美 DRAM。 自旋轨道力矩（spin......
在微控制器缩小到更小的节点方面开辟新的机遇。 目前，台积电的非易失性存储器解决方案包括闪存、自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。该代工厂还在探索相变RAM（PCRAM）和自旋轨道扭矩MRAM（SOT-MRAM......
-MRAM）和RRAM。该代工厂还在探索相变RAM（PCRAM）和自旋轨道扭矩MRAM（SOT-MRAM）技术。据悉，台积电2018年开始量产汽车用40纳米eFlash技术，但其40纳米......
半导体过热问题会通过量子波解决吗？; 摘要 研究人员开发了一项技术，解决了下一代技术、自旋电子学和轨道电子学的缺点。韩国科学技术院（KAIST）物理系教授金世权和浦项科技大学（POSTECH）物理......
magnon mode, PIM）”。光诱导磁子态如同一种“暗”态，无法按传统探测方法直接观测，但可通过其与 Walker modes 强耦合产生的能级劈裂被间接观察到（图 (b)）。光诱导磁子态的有效自旋......
隧道磁阻（TMR）的幅度改善量级 –通过自旋过滤栅进行高自旋极化 –电荷-自旋转换效率提高10倍，例如自旋轨道耦合、Rashba界面和拓扑绝缘体材料的研究 –磁电......
如何正确使用示波器的通道耦合方式选择交流;纹波：理想状态时，电源输出的直流电压应为一固定值，但是很多时候它是通过交流电压整流、滤波后得来的。由于滤波不干净或多或少会有剩余的交流成分，这种......
子开始以同样的方式旋转。当另一个自由基团连接到蒽分子的另一侧时，它的电子也会耦合，使4个电子朝同一方向旋转。 在这些材料中，吸收一个光子就像打开了一个开关。研究人员可通过在室温下可靠地耦合自旋......
带隙变化可归因于顶层与底层C3N间pz轨道耦合下费米能级附近能带的劈裂。在双层之间相互作用势接近的前提下，价带顶和导带底波函数重叠的数目决定了能带劈裂程度，进而影响带隙。其中AA 、AA'、AB 、AB'等双......
在环境室温下利用材料中的量子效应（称为量子材料），以扩展超低功耗解决方案。在2021年的IEDM上，英特尔分享了超越CMOS器件研究的一个巨大里程碑：磁电自旋轨道（MESO）逻辑器件的首次功能演示，其读......
-MRAM（自旋轨道扭矩磁性随机存储器），采用三端式 MTJ 结构，将读取和写入路径分开，通过分离读写路径，提供更高的耐用性。 凭借存储速度和耐用性的特点，这两种存储器有望成为高性能计算系统（如数......
-MRAM耐用性较为出色，并且存储速度极快，还被认为是最高级的缓存存储器。 MRAM还有另一种技术是SOT-MRAM（自旋轨道扭矩磁性随机存储器），采用三端式 MTJ 结构，将读取和写入路径分开，通过......
磁化强度仅由与声子共振的脉冲激发，与声子的角动量成正比，并在低温下随磁化率增长。这一观测结果在定量上与自旋—声子耦合模型相吻合，有助于未来在磁性和量子材料方面的进一步研究。 ......
成果发表在《科学进展》上。 托管“触发器”量子位的硅纳米电子设备的草图。核自旋（橙色的n）和电子自旋（蓝色的e）相互翻转，始终指向相反的方向。 图片来源：新南威尔士大学 新南......
科学家用量子材料产生类似"3D眼镜"的视角将拓扑材料可视化;拓扑量子材料被视为节能电子和未来高科技的希望灯塔。这些材料的一个显著特点是能够在其表面传导自旋极化电子，而在内部则不导电。从这......
发现了常规频率范围内，各向异性的自旋共振行为，以及在小磁场下调控的多种共振模式；四、证明了磁电耦合效应，可制备低功耗、非易失的新型磁电多态忆阻器，能耗比电流驱动的自旋忆阻器件降低了两个数量级。 封面......
是利用信号对不同能级的响应特性，给出了系统的自旋态占据信息。 郭国平教授研究组长期致力于半导体量子芯片的研究，此前于2021年2月在《Science Bulletin》上报道的工作展示了利用微波谐振腔实现半导体两量子比特长程耦合......
测试过程中，示波器的设置是能否采样到真实信号的关键。 所用的仪器是：配有电压测量探头的TDS1012B示波器。 测量之前需要进行如下设置。 1.通道设置： 耦合：即通道耦合方式的选择。纹波......
频同步开关噪声和信号的反射噪声在DC~1GHz范围内，因此开启示波器的带宽限制可以衰减高频噪声，避免高频噪声和纹波混叠。 (5)、示波器的通道耦合方式选择交流耦合。交流耦合隔离直流电压，只显......
时带宽为35MHz，可满足纹波测试带宽要求。 4、示波器的通道耦合方式选择交流，可以将直流电压隔离，方便信号观测。因为纹波是叠加在直流信号上的，相较于直流电压，其数值较小。所以......
和公转时的结果。但是，如果想到所有的自旋会让您头晕目眩，那么试图理解量子物理学的现实肯定会更令人厌恶。）   图4. 具有核和价电子的概念性原子，具有核自旋、电子自旋和轨道自旋......
和公转时的结果。但是，如果想到所有的自旋会让您头晕目眩，那么试图理解量子物理学的现实肯定会更令人厌恶。） 图4. 具有核和价电子的概念性原子，具有核自旋、电子自旋和轨道自旋 如果......
不必要的噪声衰减影响纹波的测量。 图2探头档位选择 2、纹波属于是交流成分，所以“通道耦合”方式可使用“交流”方式，限制直流信号的输入，如图3所示。 3、可适当的使用“带宽限制”功能，可选......
磁体传感器利用电子自旋实现宽带微波检测;与金刚石中与氮空位（NV）缺陷相关的电子自旋是一种可在室温下提供高空间分辨率和灵敏度的磁场传感器，已经被用于研究纳米尺度的核磁共振，生物磁学、古地......
汽车SoC核心轨道的电源解决方案;MPS的Raghu Nathadi写的这篇文章很不错，进行摘录。 ●HPC 控制器的电源设计 自动驾驶和高性能计算（HPC）化转型在逐渐升温，车企......
光谱仪可以通过一系列微波脉冲激发自由基并检测其反应。自旋之间的偶极耦合直接使两个标记之间产生了距离。自旋标签对可以放在蛋白质的不同位置以产生一组距离，还可以用来确定蛋白质折叠的三维模型。低噪......
科学家首次证明通过超导体可控制磁体自旋波;10 月 28 日消息，量子物理学家首次证明，在超导环境下有可能控制和操纵芯片上的自旋波（spin waves），为磁......
英特尔发布硅自旋量子芯片：用上EUV工艺; 6月16日消息，量子计算是各大科技公司竞争的下一个技术焦点，此前已经有多种量子计算机问世，也在研发自己的量子，而且走的是硅自旋量子，使用传统的CMOS......
国家纳米科学中心在自旋分子存储器方面取得新进展;经典的冯·诺依曼计算机架构中，数据存储与处理分离。由于指令、数据在存储器和处理器之间的高频转移，导致了计算机发展的“存储墙瓶颈”与“功耗墙瓶颈”。能不......
英特尔发布硅自旋量子芯片：用上EUV工艺、95%良率;6月16日消息，量子计算是各大科技公司竞争的下一个技术焦点，此前已经有多种量子计算机问世，英特尔也在研发自己的量子芯片，而且走的是硅自旋......
TDK成功研发出用于神经形态设备的“自旋忆阻器”，并与CEA及日本东北大学强强联合，实现神经形态设备在现实中的部署应用，将AI应用的电力消耗降低百倍; • TDK成功......
TDK成功研发出用于神经形态设备的“自旋忆阻器”，并与CEA及日本东北大学强强联合，实现神经形态设备在现实中的部署应用，将AI应用的电力消耗降低百倍; • TDK成功......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls; 【导读】英特尔发布包含12个硅自旋量子比特（silicon spin qubit）的全新量子芯片Tunnel Falls，继续......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，推动量子计算走向实用;今天，英特尔发布包含12个硅自旋量子比特（silicon spin qubit）的全新量子芯片Tunnel Falls......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，推动量子计算走向实用;今天，英特尔发布包含12个硅自旋量子比特（silicon spin qubit）的全新量子芯片Tunnel Falls......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，推动量子计算走向实用;今天，英特尔发布包含12个硅自旋量子比特（silicon spin qubit）的全新量子芯片Tunnel Falls......
自旋电子器件制造工艺获新突破，或成半导体芯片行业新标准;美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，下一代量子芯片将于2024年推出;6月15日，英特尔发布包含12个硅自旋量子比特（silicon spin qubit）的全......
英特尔在可扩展硅基量子处理器领域取得突破，向量子实用性更进一步;英特尔在《自然》杂志上发表的研究展示了单电子控制下高保真度和均匀性的量子比特。 英特尔在《自然》杂志发表题为《检测300毫米自旋......
自旋芯片研发与制造安徽省重点实验室揭牌;据合肥发布消息，5月13日，“科创硬核”新质生产力创新发展论坛在少荃湖科创中心举行。会上，自旋芯片研发与制造安徽省重点实验室正式揭牌。 消息显示，自旋......
linux驱动学习(3)--同步、信号量和自旋锁;在驱动程序中，当多个线程同时访问相同的资源时（驱动程序中的全局变量是一种典型的共享资源） ，可能会引发“竞态” ，因此......
研究人员在自旋电子器件制造工艺方面获新突破，或成半导体芯片行业新标准;据美国明尼苏达大学官网消息，近日，美国明尼苏达大学的研究人员与国家标准与技术研究院 (NIST) 的联合团队一起开发了一种制造自旋......

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