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意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置(2023-10-30 14:20)
了系统设计灵活性。
新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(on)。模块具有高效的开关性能，将温度影响降至最低，确保......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置(2023-10-30)
六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。
新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(on)。模块具有高效的开关......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置(2023-10-31)
引用地址：新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(on)。模块具有高效的开关性能，将温......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置(2023-10-30)
六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。
新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC(2023-10-31)
Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC(2023-10-30)
隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在耐压的PowiGaN开关。 专有的1250V PowiGaN技术的开关损耗不到相同电压下同等硅器件开关......
Microchip抢攻三代半导体市场，推完全配置SiC MOSFET数字栅极驱动器(2021-09-23)
功率应用提供整体系统解决方案，Agile Switch 2ASC-12A2HP数字栅极驱动器现已量产。Agile Switch 2ASC-12A2HP数字栅极驱动器由ICT支持，包括许多可立即商用的碳化硅开关的新手设定。栅极......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC(2023-10-31 11:04)
隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。
Power Integrations专有......
InnoSwitch3－AQ可提高400V和800V电动汽车μDCDC变换器的效率和可靠性(2024-09-14 09:45)
系列为汽车应用提供了多种方案选择，包括750V硅、900V硅、900V PowiGaN或1700V碳化硅开关。只需对电路板设计进行极少的改动，工程师就能选择最合适的符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3......
瑞能半导体以效率优势探索，凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度(2022-09-08)
产品的解决方案，大幅提高整车性能，优化整车架构，使新能源汽车可以具有更低的成本、更长的续航里程、更高的功率密度。相比于硅基高压器件，碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻和开关......
PI推出高压利器：900V氮化镓反激式开关IC助力节能新时代(2023-03-27 10:32)
以及氮化镓更为合适。PI的所有系列产品当中，硅器件主要有650V，725V，900V。在售的氮化镓器件有之前发布的750V，耐压更高些的器件包括1700V的碳化硅开关。此次发布的900V氮化......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
管是SiC PIN二极管，非常适合在10 kV至20 kV范围内工作，因为电导率调制可有效降低漂移区域电阻。
碳化硅开关
在许多工业应用中，功率半导体器件的阻断电压要求约为1.2至3.3 kV......
ST 先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能;
【导读】意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关......
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
定程度上提高了功率逆变器的转换效率。在空间向量合成中，向量序列的组合有很多种。通过不同的组合和排序，可以达到减少功率器件开关次数的效果，可以进一步降低功率逆变器功率器件的开关损耗。
2.采用碳化硅材料制成的部件
碳化硅......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
伏逆变器中，碳化硅肖特基二极管主要用于BOOST电路，如图2所示拓扑为Single Boost，是光伏逆变器中使用较为广泛的拓扑，拓扑中的D1在使用碳化硅肖特基二极管时，可以降低对应换流回路中开关管的开关......
意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能(2024-11-13 13:02)
等能源应用的功率控制意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅......
理想率先迈入补能“5G时代”，碳化硅的春天来了？(2023-06-24)
功率模块应用在主逆变器中，自此碳化硅开启“上车”之旅。同年，保时捷Taycan加入800V SiC的阵营。
到2021年，现代IONIQ 5、起亚EV6、捷尼赛思GV60都纷纷用上800V......
Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂(2023-02-02 16:03)
前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。这将是 Wolfspeed 公司在欧洲的首座工厂，同时也将成为 Wolfspeed最先进的工厂，并将在欧盟打造突破性创新碳化硅开发与制造中心，以支持满足来自汽车、工业、能源......
Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂(2023-02-02)
制造工厂。这将是 Wolfspeed 公司在欧洲的首座工厂，同时也将成为 Wolfspeed最先进的工厂，并将在欧盟打造突破性创新碳化硅开发与制造中心，以支持满足来自汽车、工业、能源......
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET(2021-03-22)
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET;STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作......
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET(2021-03-22)
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET;STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作......
RS瑞森半导体-大功率开关电源的应用(2022-12-19)
轻、成本低，PFC线路上采用瑞森半导体碳化硅（SiC）二极管可以提升大功率开关电源的功率密度和效率，有效降低了开关损耗。
五、大功率开关电源应用产品推荐
根据大功率开关电源对MOS管的需求，推荐......
安森美新一代混合功率模块探秘：平衡性能与成本的创新(2024-11-08 10:10)
结合硅基IGBT和碳化硅器件的优点，混合模块可以在高频开关应用中实现更低的开关损耗，同时在低频应用中保持较高的导通效率。成本效益：相比于全碳化硅模块，混合模块在保持较高性能的同时，显著降低了成本，这对......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片;
【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来......
传Wolfspeed德国工厂建设推迟(2024-06-21)
470亿美元），以加强欧洲半导体产业。目标是到2030年将欧盟在全球半导体市场的份额翻一番。
该工厂的建设符合“欧洲共同利益重大项目（IPCEI）”的目标，旨在打造突破性创新碳化硅开发与制造中心，以支......
又刷新了业界记录，PI发布了1700V氮化镓器件(2024-11-11 15:20)
耐压的氮化镓（GaN）开关IC，该产品在业内独树一帜，以其1700V的耐压能力刷新了氮化镓器件的新高度，进一步巩固了PI在高压功率半导体市场的领先地位。据了解，这款新产品不仅在性能和效率上具有优势，同时在价格方面也优于现有的碳化硅......
碳化硅/氮化镓元件开始商用，电子产业迎来大革命(2017-07-07)
效率更上一层楼。
锁定高功率应用碳化硅开拓电力电子新疆域
英飞凌(Infineon)工业电源控制事业处市场开发总监马国伟(图1)指出，碳化硅具有极佳的材料特性，可以显著降低开关损耗，因此电源开关......
电动汽车用非车载充电桩后级DC模块设计与实现(2024-07-15)
为电动汽车产业的发展提供更好的支持。DC 模块作为非车载充电桩中重要的一环，在发展电动汽车产业中起着关键作用。本文以非车载充电桩后级DC 模块为研究对象，对其主电路拓扑、硬件电路进行研究设计。
2 基于碳化硅......
Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂(2023-02-02)
在欧洲的首座工厂，同时也将成为 Wolfspeed最先进的工厂，并将在欧盟打造突破性创新碳化硅开发与制造中心，以支持满足来自汽车、工业、能源等多种广泛应用不断增长的需求。这座 Wolfspeed 工厂......
天域半导体12亿，2023年第一季碳化硅产业融资21起(2023-04-17)
式投片生产，标志着瞻芯电子由Fabless迈向IDM的战略转型。
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大规模应用尚在“彼岸”
正所谓“成也萧何，败也萧何”。昔日特斯拉在Model 3中率先采用碳化硅替代IGBT后，碳化硅开......
电压阻断区可以共享，横向氮化镓技术能够制造出紧凑的FQS芯片，这是使用硅或碳化硅的垂直功率器件技术无法实现的，从而让氮化镓FQS在性能和成本方面都具有明显优势。通过我们的FQS，用户可以用单个快速低损耗开关......
Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂(2023-02-02)
进的工厂，并将在欧盟打造突破性创新碳化硅开发与制造中心，以支持满足来自汽车、工业、能源等多种广泛应用不断增长的需求。这座 Wolfspeed 工厂计划作为“欧洲共同利益重大项目（Important Project......
克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用(2024-10-24)
以提高热传导效率，改善散热性能。
SiC通常用于高压应用(>650V)，但在 1200V 及更高电压下，碳化硅开始发挥显著作用，成为太阳能逆变器和电动汽车充电的最佳解决方案。它也......
第三代半导体功率器件在汽车行业的应用(2023-09-19)
器件工作形式，SiC功率器件主要包括功率二极管和功率开关管。SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺加工而成。
从碳化硅晶体材料来看，4H-SiC和6H-SiC在半导体领域的应用最广，其中......
高电压技术是构建更可持续未来的关键(2023-04-12)
的解决方案能够用于高压系统的所有功能领域：
• 氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙材料能够实现高效的功率转换，减少功率损耗，提高高压系统的效率。例如，我们的隔离式栅极驱动器与碳化硅开关......
新兴市场加速渗透，氮化镓产业链存在哪些挑战？(2022-08-23)
的200W氮化镓闪充引发业界热议，其PFC升压开关管便采用了纳微半导体氮化镓功率芯片NV6136A。
一位纳微半导体展台的工作人员告诉财联社记者，碳化硅主要用在汽车等领域，氮化......
纳芯微隔离和驱动技术为SiC+800V电驱动赋能(2023-03-20)
共地需求，需要用隔离器件来实现电平转换功能；三是高抗噪需求，以实现更高的CMTI（共模抑制比）抗扰能力，避免出现大的噪声干扰，导致功率管误开通；特别是碳化硅的应用会使开关频率上升，出现比较大的dv/dt......
电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析(2024-06-11)
的三相半桥逆变器解决方案已经非常普及，目前采用性能更高的碳化硅功率模块设计逆变器是一种新趋势。功率模块设计通常是热性能和电性能之间的权衡与折衷。设计良好的功率模块，能够在上下桥臂开关管之间以及开关管......
这种新材料终成半导体功率器件主流(2016-11-14)
特性比较如图3所示。快速以及单极的肖特基二极体与场效式碳化硅开关(MOSFET、JFET)的电压范围，可延伸超过1000V，原因是SiC材料本身的特性：
图3 硅与碳化硅......
9月即将量产，东芝纯碳化硅产品提上日程(2021-09-15)
产品还属于工控产品，目前暂无车载碳化硅产品，不过已经计划车规级纯碳化硅器件。
图6 东芝纯碳化硅开发路线图
东芝此次也带来了纯碳化硅MOS管的最新研发消息，据了解碳化硅MOSFET模块1200V......
特斯拉虚晃一枪，碳化硅高速迈进(2023-04-20)
还在向着更高的切割良率、更快的生长速度、更大的晶圆尺寸以及更低的生产成本跃进。
碳化硅大规模应用“虽迟但到”
早前特斯拉率先在Model 3中采用碳化硅替代IGBT，碳化硅开始崭露锋芒；近日......
特斯拉虚晃一枪，碳化硅高速迈进(2023-04-21)
特斯拉率先在Model 3中采用碳化硅替代IGBT，碳化硅开始崭露锋芒；近日特斯拉在投资者大会上宣布，在其下一代平台将减少75%碳化硅的方案，引起业界波动。
芯粤能总经理徐伟在近日举办的第25届中......
利用智能交流控制设计方法实现更好的家电安全(2023-07-31)
保护。
新兴解决方案在批电子板中，三端双向可控硅开关元件满足了紧凑性的需求。它比亚安培范围内的继电器小五倍，提供无EMI开关操作、快速响应时间、数百万开关......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩(2023-10-10)
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩;
【导读】氮化镓 (GaN) 功率半导体正持续为那些需要消耗大量能源，但同时长远地影响全球经济发展的产业带来显著地改变。在数......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
足新能源汽车内部不同电气设备的电源需求。
然而，硅基IGBT也存在一些局限性，如导通电阻较大、开关损耗较高等。这些问题在一定程度上限制了新能源汽车的性能提升和能效改善。
二、碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车中的应用
碳化硅......
碳化硅功率器件在新能源汽车领域有哪些应用呢？(2023-08-03)
器件在新能源汽车电机控制器中可以应用于直流转换器、逆变器、交流驱动单元等，利用其高开关速度和低导通损耗，提高电机的工作效率和寿命，并且实现更高的功率密度和更小的体积。
车载充电器：碳化硅......
碳化硅功率器件的基本原理及优势(2024-04-30)
碳化硅功率器件的基本原理及优势;随着新能源汽车的快速发展，碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果｡最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证......
市场一片火热，第三代半导体——碳化硅究竟用在哪？(2021-07-29)
市场一片火热，第三代半导体——碳化硅究竟用在哪？;SiC 是目前相对成熟、应用最广的宽禁带半导体材料，基于 SiC 的功率器件相较 Si 基器件具有耐高压、耐高温、抗辐射、散热能力佳、导通损耗与开关......
基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品(2023-05-12)
，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。
基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上......
相关企业
;唐山德意陶瓷制造有限公司;;唐山恒通碳化硅有限公司（唐山德意陶瓷制造有限公司）成立于 2000 年 10 月 1 日，位于唐山市高新技术开发区。公司是由多名青年科技专家投资兴建，集科
;江苏环能硅碳陶瓷有限公司;;泰州市环能硅碳棒制造有限公司是一家专业生产碳化硅制品企业，公司致力于研发高性能硅碳棒及碳化硅陶瓷，并与高等科研所合作开发新型高温电热元件，是一
;淄博兴德碳化硅有限公司;;本公司目前致力于开发｜磁性材料炉用推板 碳化硅莫来石结合新型耐火材料
;枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司;;碳化硅 枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司 地址：山东省滕州市经济工业园区 电话：0632－5883388 5883366 传真：0632－5883366 电子
和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅，刚玉莫来石耐火材料，产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有：规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口；粉体煅烧匣钵；氧化
;苏州英能电子科技有限公司;;苏州英能电子科技有限公司，成立于2011年5月，是一家专注碳化硅二极管研发、生产、销售的半导体制造公司，其以优秀的归国博士团队为基，与浙江大学电力电子中心密切合作，引进国外碳化硅
;潍坊通用工程陶瓷有限公司;;潍坊通用工程陶瓷有限公司是一家专业从事研究、生产、销售真空反应烧结碳化硅制品的股份制高新技术企业。本公 司引进德国真空反应烧结碳化硅生产工艺和软件技术，拥有
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产
全自动液压震动成型机和高速升温烧成梭式窑（1750℃）可生产大面、超厚、超薄耐火材料制品，主要产品有：碳化硅、莫来石、刚玉-莫来石、堇青石-莫来石、硅线石（红柱石）-莫来石系列产品，其中二氧化硅结合碳化硅转、莫来石结合碳化硅砖、刚玉
;潍坊六方碳化硅陶瓷有限公司;;