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可以克服低电洞移动率与低导热率这2个重大限制。立方砷化硼除了具有高电子移动率与电洞移动率，还具有出色的导热性，是迄今为止发现最好的半导体材料，也可能是最好的一种。 但我们需更多工作才能确定立方砷化硼能否以实用、经济......
特性产生重大影响。 据介绍，立方砷化硼对电子和空穴也有很高的迁移率，该材料有一个非常好的带隙，这一特性赋予了它作为半导体材料的巨大潜力。众所周知，已经成熟商用的硅材料具有良好的电子迁移率，但其......
电子器件方面有广阔的应用前景。除了可以用作新型半导体元素镓基半导体材料的绝缘层，还可以在紫外线滤光片、氧气化学探测器等发挥重要作用。 作为一种新型的半导体材料，氧化镓比之前的半导体材料具......
现实与理想的差距，第三代半导体发展存疑如何解？;关于第三代半导体的疑虑，这场研讨会都有答案。 第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，先天性能优越，是新......
电动汽车市场催生碳化硅新前景;第三代半导体材料是指以（SiC）、（GaN）为代表的宽禁带半导体材料。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场、热导......
。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频......
今年六月即可开展二期厂房建设，预计18个月实现建成投产。 丽水经开区消息显示，浙江百可半导体材料有限公司主营业务为OLED材料的研发和生产，其最终产品应用于联想等IT公司消费类电子产品的屏幕制造。值得注意的是，百可半导体......
技术已经成长为红外光电器件制造的主流。”牛智川向《中国电子报》记者表示。 在微电子领域，锑化物半导体具有超过前三代半导体体系的超高速迁移率，在发展超低功耗超高速微电子集成电路器件方面潜力重大。 在热电器件领域，含锑元素的各类晶体材料具有......
SiC为何会突然流行，哪些应用在推动需求？;碳化硅(SiC)在各行业的应用已经有数百年历史。如今，它作为半导体材料比以往任何时候都更受市场的欢迎，这主要得益于它在工业领域的广泛应用。 在本文中，我们......
在电子应用中的使用可以追溯到 1900 年代初期，但直到 1990 年代它才真正开始作为半导体材料使用。正是在这一点上，它首先被用于肖特基二极管、FET 和 MOSFET。虽然 SiC 具有......
较低的功耗，这对于延长电池寿命、节省能源以及降低运营成本非常重要。尤其在移动设备、电动车、无线通信等应用中，低功耗是一个关键的考量。 高温稳定性：碳化硅和氮化镓等第三代半导体材料具有......
传统的Si等半导体材料逐步接近物理极限，氧化镓作为新一代功率半导体材料，其禁带宽带大、击穿场强高，有望在未来功率器件领域发挥重要的作用。 另外，氧化镓半导体材料能够采用熔体法生长，未来......
应用领域的高压耐受性能，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。 第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 因其优异的性能，被视为下一代半导体材料的代表。它拥有超宽能隙 (4.8 eV)、超高临界击穿场强 (8......
片的激光剥离。 据介绍，SiC半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定等优点，对电动汽车、高压输变电、轨道交通、通讯基站、卫星通讯、国防军工等领域的发展有重要意义。 但是......
结构和局部成分，并以微尺度空间分辨率生产柔韧程度逐渐变化的梯度材料。 研究团队指出，基于气溶胶的HTCP用途广泛，适用于打印各种金属、半导体和电介质，以及聚合物和生物材料。而且，它生成的组合材料具有......
厂商起步较晚，市场份额小，但已经具有一定品牌影响力，国产替代空间巨大，代表企业包括华润微、士兰微、新洁能等。 同时，第三代半导体材料SiC（碳化硅）也有望给国内厂商带来新的发展机遇。与硅基材料相比，SiC......
瘫和集成电路的制造中的地位也日益提高，目前，光刻胶已经是代表整个半导体产业发展水平的核心材料，具有指标性功能。 2015 年全球半导体光刻胶市场分布 日本半导体材料......
移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升，氮化镓（GaN）技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅（Si）相比，GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压，因而......
适配器方案的展示板图 随着移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升，氮化镓（GaN）技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅（Si）相比，GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压，因而......
蚀刻是主要环节，当在晶圆表面蚀刻时，可使用等离子体监测跟踪蚀刻穿过晶圆层的程度，确定等离子体何时完全蚀刻特定层并到达下一层。通过监测在蚀刻期间由等离子体产生的发射光谱，可准确追踪蚀刻过程。这种终点检测对于使用基于等离子体的蚀刻工艺的半导体材料......
更低的导通电阻和更高的开关速度，从而实现更高的能效，降低能耗。 更高的工作频率：由于第三代半导体材料具有较高的电子饱和速度和较低的输入电容，其工作频率可达到数十兆赫甚至更高，远超过传统的硅半导体......
商机 其中，“第五届第三代半导体产业发展高峰技术论坛”将聚焦新型半导体材料的应用与发展。SiC和GaN等新型材料具有出色的性能优势，在电力电子、微波通信等领域有着广泛的应用前景。此次论坛将汇聚业内专家，以比......
产业发展高峰技术论坛”将聚焦新型半导体材料的应用与发展。SiC和GaN等新型材料具有出色的性能优势，在电力电子、微波通信等领域有着广泛的应用前景。此次论坛将汇聚业内专家，以比利时晶圆代工厂-BelGaN、纳微半导体、英诺......
测试的老化测试插座 (BiTS)，可满足测试期间严苛的性能要求。随着DDR集成电路引脚数量增加、测试温度上升、尺寸不断缩小，BiTS组件对于材料的性能要求也越来越高。SABIC的这款全新改性料具有极高的流动性，有助......
的专利改进技术，从而能够生成更加优化的芯核，可以提供一些独特的性能优势。 更值得注意的是，与传统 EMI 滤波器中的铁氧体变体相比，这些纳米晶体材料具有更高的磁导率和更低的损耗。与之......
器中的铁氧体变体相比，这些纳米晶体材料具有更高的磁导率和更低的损耗。与之前市场可用的其他 EMI 滤波器相比，能够实现更紧凑和更高密度的设计，从而实现更高的衰减能力和更小体积封装。 一些......
协议，双方未来还将在驱动系统等领域深化技术合作。 03 车企与第三代半导体企业的不解之缘 以SiC等为代表的第三代半导体材料具备高频、高效、节能等特性，在电动车领域具有明显的应用优势。当下......
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。 2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延......
了智能自动化的生产模式。 石英制品是半导体和光伏领域的关键耗材。石英材料具有良好的透光性能、耐热性能、电学性能、电绝缘性及化学稳定性，可以应用于半导体、光纤、光学和光伏等领域。半导体是石英材料......
是上面提到的2D半导体，如二硫化钼（MoS2）。虽然这种材料具有许多优越的机械、光学和电子学性能，但迄今为止，用MoS2制造具有高器件密度和高性能的大规模柔性集成电路是一个挑战。去年末，中国......
移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升，氮化镓（GaN）技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅（Si）相比，GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压，因而......
家电与网络技术等电子信息产业的发展。半导体材料可以说是整个电子产业的元素，是实现电子性能的载体，所有电子元器件都是经过对半导体材料的加工而成为实物的。因此，半导体材料对于现代信息化产业具有举足轻重的地位，半导体材料......
技术发展息息相关。以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料是支持“新基建”的核心材料，这类材料具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高温、高压、高功率和高频的领域将替代前两代的半导体材料......
行业进行制裁，是因为其在半导体材料领域，尤其是上述三种产品市场中的统治地位。据资料显示，日本占全球氟聚酰亚胺和光刻胶总产量的90%，且全球半导体企业70%的氟化氢需从日本进口。 以具有......
气绝缘。 如何实现跨级别作战 1.定制壳体材料 SPC 4连接器壳体材料为定制PA6T粒子，相比与普通PA66热固工程塑料具有......
同质性，用于半导体单片刻蚀设备制造；合成熔融石英因其具有最高等级的纯度和优异的光学性能，用于半导体晶圆制造以及其他光学类应用。其产品广泛用于各种半导体刻蚀工艺和光学应用。 中巨芯表示，本次交易将进一步增强该公司在半导体材料......
适配器方案的展示板图 随着移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升，氮化镓（GaN）技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅（Si）相比，GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压，因而......
）等等，这些是美日严格限制出口的。 2、半导体材料 生产半导体芯片需要 19 种必须的材料，缺一不可，且大多数材料具备极高的技术壁垒，因此半导体材料企业在半导体行业中占据着至关重要的地位。而日......
和装备制造领域的“卡脖子”问题，有力保障了产业链供应链的安全稳定。 丽水高端光电半导体材料项目负责人表示，丽水打造具有核心竞争力和国际影响力的高端光电半导体材料生产基地，打破国际垄断，实现......
，扩展封装材料、靶材、高纯试剂、电磁屏蔽材料等半导体产业相关新材料，前瞻布局新一代半导体材料研发，探索铝矾土、镓等原材料与半导体材料产业一体化发展思路，打造具有世界影响力的半导体材料......
TE泰科电子新品KILOVAC固态控制器; 【导读】随着人类生产生活科技化与信息化程度越来越高，电子信息技术在近几十年呈现迅猛发展的态势，其背后的基石正是先进半导体材料技术的发展。目前......
硅（SiC）是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率等优点。相比于硅基IGBT，碳化硅功率器件具有更低的导通电阻和更高的开关频率，能够显著提升新能源汽车的性能和能效。 电机......
进展 固体的能带理论 禁带宽带（Eg）：半导体的禁带宽度与晶格原子之间的化学键相关，更强的化学键意味着电子很难从一个位置跳跃到下一个位置，因此，较大的禁带宽度的半导体材料具有......
相关利好政策。 安徽：全力发展半导体材料 4月8日，安徽省发布《安徽省“十四五”新材料产业发展规划》（以下简称《规划》）。 《规划》指出，目前，我国新材料......
人类拍摄到半导体材料内部电子运动，开启更强工艺制程宝盒; 　　《自然—纳米技术》杂志11日在线发表论文称，科学家们利用飞秒技术首次成功拍摄到半导体材料内部电子状态变化。该成果将提供对半导体......
总投资25亿元，上海天岳碳化硅半导体材料项目开工;8月18日，2021年临港新片区第三季度建设项目集中开工仪式举行，本次集中开工24个项目，总投资496.9亿元，其中就包括上海天岳碳化硅半导体材料......
精彩呈现，半导体材料厂商在这个春天百花齐放;作为半导体最上游的行业，半导体材料与制造和设计相比规模小的多，但却是整个半导体产业的根基，其内部材料种类繁多，单一产品的市场规模小，但技术要求高，子行......
江丰电子：拟2.50亿元参设江丰同创半导体材料和零部件产业基金;1月5日晚间，江丰电子发布公告称，为了投资半导体材料和零部件产业，与自身主营业务产生协同效应，完善战略布局，进一......
于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。 稍早之前，镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料......
大商电子有限公司总经理苟钊迪与国家高速列车技术创新中心副主任刘韶庆签署了合作协议。 根据协议，双方将共同推动高性能半导体材料关键技术研发与成果转化，开发具有自主知识产权的高纯度焊接复合材料及其钎焊技术体系。 青岛大商电子有限公司专注于第三代半导体......

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上海证券交易所挂牌上市，股票简称“有研硅股”。 　　有研硅股是中国最大的具有国际水平的半导体材料研究、开发、生产基地，坐落于北京市高新技术产业云集的中关村科技园区，占地3 万平方米，员工总人数650余人。公司
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;城大科技有限公司;;主营半导体材料、开发工具、烧录工具
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;科理集创科技有限公司;;致力于开发先进的半导体技术应用于无线智能通讯的应用领域，启动和承担各类以半导体材料为起点的创新工程。
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;广州半导体材料研究所;;广州半导体材料研究所创办于1966年，位于广州市天河区东莞庄路，占地面积2万5千平方米，位于广州五山高校园区，周围有华南理工大学、暨南大学、华南农业大学、广东
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;深圳市正和兴电子有限公司;;深圳市正和兴电子有限公司专业经营半导体集成电路裸芯片，特种军用元器件，封装材料（金属管壳和陶瓷管壳），各种电子浆料、靶材、半导体材料及设备，是国
盛世科技有限公司
;盛世科技有限公司;;主要经营：半导体材料、晶圆提篮、研磨轮、铁环、硅片、切割胶带、除片胶带、晶片环、晶圆盒、晶粒盒泰维克、晶粒盒夹子、导电片、铝铂片、抽真空防静电屏蔽袋..