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生产和研发的领军企业。公司通过自主创新和自主研发全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺,N型碳化硅单晶衬底和高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺,形成了碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线,并在......
公司将具备年产2.5万片SiC衬底的生产能力,为新材料产业的发展贡献重要力量。该产线不仅覆盖了碳化硅长晶、加工和检测等完整的制备工艺,还初步建成了6至8英寸的小规模生产线,预计年产可达到27万片......
内的成本提升并不能忽略。 资料显示,碳化硅制备过程中一次性价格高昂耗材占比过重、制备工艺实现条件难度大、制备污染处理费用高以及晶体微管密度高等等原因是综合导致碳化硅成本高昂的重要原因。 而由......
有覆盖SiC粉料制备、单晶生长和晶片加工等的整套生产线,其中单晶生长设备有600台。 核心技术方面,烁科晶体掌握了SiC生产装备制造、高纯SiC粉料制备工艺、N型SiC单晶衬底和高纯半绝缘SiC单晶衬底的制备工艺......
技术,先进碳化硅外延层制备工艺碳化硅MOSFET、JBS、JFET、IGBT、PiN二极管等功率器件核心技术,以早日实现全产业链国产化,满足下游市场迫切需求。 Carbontech......
目建成后预计可实现年销售收入15亿元。 资料显示,浙江博蓝特半导体科技股份有限公司成立于2012年,采用光学、半导体制备工艺技术,利用先进的新型半导体材料加工设备,致力于GaN基LED芯片(图形化)衬底、第三代半导体材料碳化硅......
半导体(中国)投资有限公司持股49%。项目预计投资总额达32 亿美元,待监管部门批准后即开工建设,计划于2025 年第四季度开始生产,预计将于 2028 年全面落成,将采用意法半导体的碳化硅专利制造工艺......
荷产能高达每周15000片晶圆,预计总投资额约为50亿欧元。而与中国三安光电合资的中国重庆8英寸碳化硅制造厂将成为ST的第三个碳化硅生产中心,该项目于2023年6月7日宣布,预计于2025年第四季度开始投产,并将......
天成是宽禁带半导体外延晶片提供商,主要从事碳化硅外延晶片的研发、生产及销售,产品用于制备碳化硅功率器件。今年1月,媒体报道瀚天天成递交的招股书获受理。 纳设智能致力于第三代半导体碳化硅外延设备、石墨......
界储备量大且应用广泛,硅器件形成了难以逾越的价格优势。相比之下,第三代半导体的单晶及外延材料价格昂贵,制备工艺难度较大且衬底成本高。相比传统6英寸硅衬底,碳化硅衬底的价格高出数十倍之多。 既然......
核心技术的国际化团队,整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台,结合大陆封测和应用解决方案,建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链,独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅......
中国三安光电合资的 中国重庆 8英寸碳化硅制造厂将成为ST的第三个碳化硅生产中心,该项目于2023年6月7日宣......
来凭借独有的特性在新能源汽车等应用领域过得风生水起,其制备工艺日益成熟,现如今碳化硅已成为一条具有完整供应链体系的成熟产业,也是业界十分关注的重点市场。 近期,碳化硅市场再传来签单、开工等佳音,其中不乏有意法半导体、英飞凌、三安光电、罗姆......
总投资约15亿元,吉盛微武汉碳化硅制造基地投产;据武汉经开区消息,12月8日,吉盛微公司武汉碳化硅制造基地在武汉经开综合保税区正式投产。 今年2月,在上海举行的2023武汉......
立了相对应的外延生长机理模型图。据悉,β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm),简单二元组成,带隙可调,制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。 另外,该研究团队在MBE异质外延β-Ga2O3生长......
(SiC)以外,其他所有新兴宽带隙半导体必须生长在另一种材料盘中,比如氮化镓通常依靠复杂的工艺在硅、碳化硅、蓝宝石基底上生长,由于基底的晶体结构明显不同于氮化镓的晶体结构,这种......
汽车和基础设施领域的商机将是巨大的。 目前,英飞凌正在扩大其碳化硅制造能力,以期在本十年末达到30%的市场份额。到2027年,英飞凌的碳化硅制造能力将增长十倍。马来西亚居林的新工厂计划于2024年投......
碳化硅相关技术实现新突破;近日,泰科天润、积塔半导体以及北方华创在碳化硅相关技术研发上实现最新突破,相关专利陆续公布。 泰科天润“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利......
晶体 作为国内SiC衬底领先厂商,烁科晶体此次重磅展示了6/8英寸的导电N型和半绝缘型SiC衬底。 烁科晶体在国内率先突破8英寸导电N型SiC单晶衬底制备工艺技术,并已......
Wolfspeed宣布其全球最大、最先进的碳化硅工厂封顶;2024年3月27日,Wolfspeed宣布,其在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour碳化硅制造中心”举办......
产能,以实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。英飞凌预计,到2027年,其碳化硅产能将增长10倍。 6月,天岳先进采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体,通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅......
多年长期投资计划预计投资总额达50亿欧元,包括意大利政府按照《欧盟芯片法案》框架提供的20亿欧元资金 卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划,在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅......
衬底过渡。 英飞凌首席采购官Angelique van der Burg表示,公司正在加大碳化硅制造投资力度,以满足公司客户快速增长的需求。 此前国内碳化硅衬底第一股天岳先进斩获近14亿元的神秘大单。7月......
厂商“疯狂”发力碳化硅;3月27日,Wolfspeed宣布其全球最大、最先进的碳化硅工厂“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶。 据其介绍,“John Palmour碳化硅制......
瑞萨电子供应规模化生产的150mm碳化硅裸晶圆和外延片。在Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州的JohnPalmour碳化硅制......
:“本季度,公司在两个项目上面取得了相应的进展——在6月份,Wolfspeed莫霍克谷8英寸碳化硅晶圆工厂的利用率达到了20%,公司后续将加快转移制造设备进该工厂;关于JP碳化硅制......
芯片法案》框架提供的20亿欧元资金 卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划,在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产,赋能......
产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划,在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产,赋能......
意大利政府按照《欧盟芯片法案》框架提供的20亿欧元资金• 卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划,在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产,赋能......
8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究项目顺利通过中期验收;据官微消息,12月10日,“8英寸衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目阶段验收评审会召开。本文引用地址:会上,以黑......
体具备优良的均匀性和低缺陷密度,直径达到200毫米标准,电阻率和晶向均符合高端应用要求。 据悉,该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉,采用上进料方式和自动化控制,通过热场旋转及热场工艺......
亿元主要投向建筑工程及安装工程费用及设备购置费。项目建设周期为24个月,包括厂房净化间装修改造、设备采购安装、新技术和工艺试验等三个阶段。 此前,据上海临港管委会官网信息显示,天岳先进的“碳化硅......
半导体工厂,采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件。 • 扩展至欧洲的碳化硅器件制造布局,将支持不断加速中的客户需求,同时也将支持公司在 2027 财年达成 40 亿美元的长期营收展望。 • 将成......
兼首席执行官Gregg Lowe表示,该工厂将进一步增强Wolfspeed作为碳化硅制造全球引领者的地位。John Palmour 碳化硅制造中心将助力保持能源创新的领先,并为当地社群开启显著效益,促进......
等应用领域蓬勃发展,碳化硅的市场需求持续增长,近年来Cree正在不断加码布局碳化硅。 2019年9月,Cree宣布斥资10亿美元扩产碳化硅,将在美国纽约州莫霍克山谷(Mohawk Valley)建造一座全新的碳化硅制......
科友半导体6/8英寸碳化硅规模化生产取得重大技术突破;5月12日,科友半导体宣布,公司自主研发出两种不同加热方式的PVT法晶体生长炉,完成了国产自主1至4代感应炉和1至3代电阻炉的研发,形成大尺寸低成本碳化硅产业化制备......
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm;5月29日,科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报,自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80mm,薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅......
汽车和基础设施领域的商机将是巨大的。 目前,英飞凌正在扩大其碳化硅制造能力,以期在本十年末达到30%的市场份额。到2027年,英飞凌的碳化硅制造能力将增长十倍。马来西亚居林的新工厂计划于2024年投......
产为电动汽车等提供动力的芯片原材料。 Wolfspeed称,该工厂将于2030年完工,且将成为世界上最大的碳化硅材料工厂。而初期产能将主要用于满足自身的芯片制造需求。 报道称,传统的电源管理芯片用硅制......
英寸导电型衬底产业化突破,在前期自主扩径实现8英寸产品研发成功的基础上,加大技术和工艺突破,积极布局产业化。 资料显示,天岳先进是一家宽禁带半导体(第三代半导体)衬底材料生产商,主要从事碳化硅......
碳化硅风头正劲,小心!氧化镓蓄势待发;近期,媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉,进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业,创立于2021年5月,专注于以创新技术制备......
碳化硅风头正劲,小心!氧化镓蓄势待发; 【导读】近期,媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉,进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业,创立......
Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂; • 将成为全球最大的200mm 半导体工厂,采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件。• 扩展至欧洲的碳化硅......
Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂; 将成为全球最大的200mm 半导体工厂,采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件。 扩展至欧洲的碳化硅......
持续加大研发力度,在晶体生长和缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验,不断突破技术瓶颈,提高产品良率。  天岳先进通过液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体,通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅......
源装备产业链进一步延伸;并网新型储能装机规模大幅提升;氢能供给能力得到有效保障。 《实施意见》还提出,推动光伏产品及技术提质增效。重点发展高纯硅料和电子级晶硅生产,提升大尺寸单晶硅拉棒、切片等制备工艺......
汉京半导体完成数千万元天使轮融资;近日,辽宁汉京半导体材料有限公司(以下简称“汉京半导体”)宣布完成数千万元天使轮融资,由浙商创投独家投资。本轮融资将主要用于半导体设备用碳化硅制品的研发投入、和设......
会启动建设。 图片来源:Wolfspeed官网截图 近日,Wolfspeed在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据悉,该工......
圆厂的扩建,体现了安森美致力于在棕地(既有地点)建立垂直整合碳化硅制造供应链的战略。富川SiC生产线目前主力生产150mm晶圆开始,在2025年完成200mmSiC工艺验证后,将转为生产200mm晶圆......
像硅材料那样,可以相对容易的制备出数米长的晶棒。目前碳化硅生长出来体积也相对比较小,所以大多数情况下都只能制备成直径100mm或150mm(4英寸或6英寸)晶圆。而且,碳化硅属于硬度非常高(碳化硅......

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高温莫来石质隔热砖有限公司、碳化硅制品厂、硅炭棒等子公司。年产辊棒120万支,高温莫来石砖100多万块,碳化硅制品2000余吨,辊棒涂料10000余桶。 淄博华陶集团热诚欢迎广大客户前来参观、洽谈、合作。
注册产品商标“Starlight”。公司拥有由产品结构设计师、原料制备工程师、制造技术和新产品研发工程师等组成的技术团队,并以“辽宁省碳化硅工程陶瓷研发中心”为依托为客户提供高性能的产品和服务。 我们一直秉承“为客
业生产各种规格工业陶瓷的专业厂家。 主要产品有刚玉陶瓷管,高温陶瓷辊棒,热电偶保护套管,高温电炉用炉管,刚玉坩埚,碳化硅制品,氮化硅结合碳化硅制品,各种耐磨陶瓷产品以及窑炉保温耐火材料。产品规格齐全,价格
;淄博市淄川恒发工业陶瓷厂;;我厂生产的碳化硅制品导热性能好,热镇稳定性高,高温下长期使用不变形,不软化,不产生疏松膨胀,可保持碳化硅固有高的热传导率,使用在各种窑炉上,可节约能源,增加产量,提高
;临沂奥达碳化硅制品有限公司;;临沂奥达碳化硅制品有限公司是以生产硅碳棒为主导产业,集生产与销售为一体的综合性企业。公司占地26000平方米,总投资1600万元,现有员工160人。“红友”牌系列硅碳棒是以高纯度绿色碳化硅
司的发展过程中,分别和国内高校机构、科研机构和相关的碳化硅陶瓷使用企业进行了广泛的碳化硅陶瓷产品制备技术的课题研究和试验。经过多次的研究论证和在实际生产中的试用,于1998年成功生产出了拥有独立生产技术知识产权的国内最早的碳化硅
注重产品的研发和技术进步,围绕市场需求,积极开发新产品,核心产品如:氮化硅结合碳化硅制品、钛酸铝陶瓷制品及反应烧结碳化硅制品远销欧、美地区,其产品性能得到国外内客户的充分肯定。 公司于2008年通
全自动液压震动成型机和高速升温烧成梭式窑(1750℃)可生产大面、超厚、超薄耐火材料制品,主要产品有:碳化硅、莫来石、刚玉-莫来石、堇青石-莫来石、硅线石(红柱石)-莫来石系列产品,其中二氧化硅结合碳化硅转、莫来石结合碳化硅砖、刚玉