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与氮化物晶格匹配的过渡金属硫化物为缓冲层，构筑人工生长界面，实现了非晶玻璃晶圆上的单晶薄膜制备，并实现了紫外发光器件的制备。该项工作以非晶衬底这一极端情况，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性。 刃位......
SiC涂层技术在半导体产业中应用广泛，特别是LED外延生长过程中的载盘及Si单晶外延中用到的载盘，都需要用到SiC涂层技术。由于LED在照明及显示产业中的发展，以及半导体行业的持续发展，对SiC涂层......
镓（多晶、单晶、晶片、外延片等多种形态）、锗外延生长衬底等。 公告原文如下 根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国......
有多层无机薄膜，顶部是一个二氧化硅（SiO2）键合层，允许单晶硅层作为外延GaN生长的成核层。 这种技术使得可以在300mm晶圆上实现高质量、无翘曲和无裂纹的GaN外延生长，从而显著降低了器件成本。 信越......
全球外延生长设备市场将在 2026 年达到 11 亿美元;半导体市场趋势研究公司 Yole Développement 预测，全球外延生长设备市场规模将从2020年的6.9亿美元增长到2026年的......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破;据科技日报报道，近日，南京大学王欣然教授团队与东南大学王金兰教授团队合作，实现了厘米级均匀的双层二硫化钼薄膜可控外延生长，该成......
是 TSD 的 10 倍。 在 SiC 外延生长过程中，TSD 从衬底延伸到外延层的扩展 TSD 可能会转变为基底平面上的其他缺陷并沿生长轴传播。 有研究表明，在 SiC 外延生长过程中，TSD 转化......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3异质外延薄膜的大面积生长......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3......
晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。 今年4月，媒体报道厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展。 在β......
微纳院半导体微纳加工中试平台通线，二期产业孵化区正式封顶，一批半导体项目现场签约。 资料显示 ，广东微纳院是由佛山市、南海区两级政府共同建设，中国科学院苏州纳米所支持的广东省省属事业单位，建设半导体材料外延生长......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！;氧化镓凭借其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料，近年来热度不断上涨，频频传出各类利好消息。 9月12日，据杭......
-diamond异质集成方法受到广泛关注。目前实现该异质集成结构主要有外延生长和键合两种方法，相较于外延生长存在热应力、热损伤和低界面热导层等问题，键合技术因具有高热导、低热应力的优势，作为......
合晶是中国少数具备从晶体成长、衬底成型到外延生长全流程生产能力的半导体硅外延片一体化制造商，主要产品为半导体硅外延片。发行人致力于研发并应用行业领先工艺，为客户提供高平整度、高均匀性、低缺陷度的优质半导体硅外延......
顺利通过综合验收。 报道称，“第三代半导体核心装备国产化关键技术攻关”项目由中国电子科技集团公司第四十八研究所承担。项目突破了6英寸SiC（碳化硅）外延生长设备和高温高能离子注入机的工艺性能、产能、稳定......
了批量交付进程。 2023年6月，晶盛机电宣布成功研发出8英寸单片式碳化硅外延生长设备。据介绍，该设备可兼容6/8英寸碳化硅外延生产，在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺......
晶盛机电披露碳化硅进展;近日，在接受机构调研时表示，目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售，6英寸外延设备实现批量销售且订单量快速增长，成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式外延生长......
化合物芯片工艺服务能力的柔性中试平台。 同时，先进光子器件工程创新平台将有效解决第三代化合物半导体芯片制造的外延生长与制程等关键问题，为光电芯片、功率器件、射频器件等芯片设计企业、高校、科研院所提供外延生长......
研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸，开发出了应用于8-12英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD设备、ALD设备等。 晶盛......
）外延生长技术问题，近期，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展。 在β-Ga2O3薄膜生长方面，研究团队利用分子束外延......
2026年，未来预计年产值约100亿元。 资料显示，天域半导体是一家SiC外延晶片市场营销、研发和制造厂商，是国内最早实现6英寸SiC外延晶片量产，20kV级以上的厚外延生长，缓变结、陡变结等n......
江省首个第三代半导体项目，总投资10.5亿元，规划建设年产7万片6吋SiC同质外延片生产线，和年产1万片GaN外延片生产线；包含SiC晶体生长、衬底加工、外延生长、材料检测工序。 官网......
阻率。 近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
- 与传统 SiC 衬底相同。粘合到多晶碳化硅表面的单晶碳化硅层（我们假设其厚度约为 1μm）应该是适合在其表面上生长传统外延层的种子层，然后进行器件制造。SmartSiC 衬底......
28日，晶盛机电表示已成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备。 晶盛机电称，8英寸单片式碳化硅外延设备可兼容6、8英寸碳化硅外延生产，在6英寸外延......
司将推动这些产品的开发和上市。 由于QST®基板的设计具有与GaN相同的热膨胀系数(CTE)，因此可以抑制GaN外延层的翘曲和裂纹，从而实现大直径、高质量的厚GaN外延生长。利用这些特性，该产......
、衬底制作、外延生长等的研发生产。2020年底，该产业园项目开工。 据悉，该项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延......
晶片的质量达到国际先进水平，厚度不均匀性小于3%，浓度不均匀性小于6%，2mm*2mm管芯良率达到98%以上。该技术的突破标志着我国已经掌握商业化的8英寸碳化硅外延生长技术，进一步推进了碳化硅外延......
一款碳化硅CVD的核心指标，主要从外延生长性能（厚度均匀性、掺杂均匀性、缺陷率和生长速率），设备本身温度性能（升温/降温速率、最高温度、温度均匀性），和设备性价比三个方面进行评判。 从整......
镓在大功率和高频率应用中具有优势，且导通电阻更低，损耗更小。 目前，中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方面都取得了一定的进展。其中，厦门大学的研究团队在氧化镓外延生长......
晶硅薄层），外延生长采用外延炉，这是一种特制的CVD 反应炉。 在硅片包装之前，硅片还必须通过一系列电子和光学检测步骤。硅抛光片的检测，包括目检、几何尺寸检测和热氧化层错检测等。目检......
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。 2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延生长......
集成是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台；具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，拥有大规模、先进制程能力的MOCVD外延生长制造线。 三安光电2020年年......
中国科学家在锗锡材料分子束外延方面取得重要进展;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是该团队在锗锡材料外延生长取得进展后，在锗......
先进成立于2018年，是一个专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力 长飞先进可年产6......
半导体重点展示了4/6英寸SiC外延片产品，及其子公司南方半导体的SiC功率器件/模块产品。 天域半导体是全球SiC外延片的主要生产商之一，以先进的SiC外延生长......
氧化镓晶圆衬底技术突破，并且将进行多次重复性实验，从很大程度上解决了氧化镓晶体生长的相关技术难题。”北京铭镓半导体有限公司成立于2020年，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓单晶、外延......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延......
片市场开展新一轮的调研与分析，发布最新研究报告《2022年中国硅外延片市场研究报告》，该报告预测，2025年全球硅外延片市场总规模将达到109亿美元。 硅外延片是指在硅单晶衬底上外延生长......
键合机、倒装键合机及贴片机等）、检测设备（测试机、探针台等）以及单晶生长炉、外延生长炉等设备、关键零部件及工具国产化替代。 资金扶持方面，《发展办法》指出，对当年产值首次达到2000万元、5000万元、1......
三安半导体项目是中国第一条、世界第三条碳化硅全产业链生产线项目。 项目分两期进行。项目负责人介绍称，一期项目于去年6月点亮试产，成为国内首条、全球第三条SiC垂直整合产线，产线覆盖衬底材料、外延生长......
力武汉打造国内化合物半导体产业高地。 资料显示，安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆......
晶片的质量达到国际先进水平，即厚度不均匀性小于3%，浓度不均匀性小于6%，2mm*2mm管芯良率达到98%以上。该技术突破标志着我国已经掌握商业化的8英寸碳化硅外延生长技术，进一步推进了碳化硅外延材料的国产化进程，极大地提升了我国在碳化硅外延......
建成达产后有望形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。 该项目建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6......
客户创造极大价值。8英寸碳化硅外延设备可兼容6、8寸碳化硅外延生产，解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题，外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内，达到行业领先水平。 此外......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片;近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一......
三安半导体 三安集团董事长林秀成在致辞中表示，湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节，打造了国内第一条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，能为......
将共同推动碳化硅功率器件先进技术研发及成果转化进程，加快能源绿色低碳转型。 资料显示，长飞先进是国内最早从事碳化硅功率半导体产品研发及制造的IDM企业之一，目前已具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力，可提供650V......
是浙江工业大学莫干山研究院今年引进的重点项目，主要从事第三代宽禁带半导体制程设备的研发、生产和销售。目前公司已完成瑶光闭环温度控制系统，并拥有瑶光功率芯片背面激光退火方法，自主创新瑶光SiC外延生长......
方包括中国比利时基金、广东粤科投、南昌产业投资集团、嘉元科技、招商资本、乾创资本等。 据悉，本轮融资资金将继续用于增加碳化硅外延产线的扩产以及持续加大碳化硅大尺寸外延生长研发投入。 而在2022年......

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