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-时间法方案的接收链路主要包括以下关键器件，如下图（2）所示。 • 雪崩二极管（APD）：接收回波脉冲并转换为光电流信号 • 跨阻放大器（TIA......
Emitting Laser，VCSEL）。 以及接收系统，用于将所述目标对象反射回的激光转换为接收信号，主要包括雪崩二极管（Avalanche Photo-Diode，APD）、单光子雪崩二极管（Single......
-Diode，APD）、单光子雪崩二极管（Single Photon Avalanche Diode，SPAD）、硅光电倍增管（Silicon photomultiplier，SiPM）。 激光......
（Avalanche Photo-Diode，APD）、单光子雪崩二极管（Single Photon Avalanche Diode，SPAD）、硅光电倍增管（Silicon......
应用 HO系列产品广泛适用于电泳，质谱，光谱，电子束，离子束，核辐射探测、光电倍增管、雪崩二极管......
列是为了满足电源系统中需要产生高电压、并且对输出电压稳定性要求高的应用场合而设计开发的产品。同时，可针对特殊需求提供产品定制。 二、产品应用 HO系列产品广泛适用于电泳，质谱，光谱，电子束，离子束，核辐射探测、光电倍增管、雪崩二极管......
单光子探测器性能测试仪光焱科技的SPD2200 国际知名光电效率检测厂牌：光焱科技，自豪地推出新型单光子探测器性能测试仪——SPD2200。 这款产品专为先进的单光子雪崩二极管（SPAD）技术设计，致力于助力光电......
（Photodiode， PD）或雪崩光电二极管（Avalanche photodiode， APD）；成像机构则分为扫描式或非扫描式的成像机构。在车......
X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件; 【导读】全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管......
”）今日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益......
探测器。 图1 雪崩二极管的典型结构 图2 雪崩光电二极管的典型结构 主要评价指标 单光子探测器的评价指标主要有光子探测效率、暗计数率、死时间和时间抖动等。另外，光敏面尺寸、光子数分辨能力、光谱......
X－FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件;全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂（“X-FAB”）今日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发......
的响应率比Ingaas低,成本比硅基元件高。 在许多设计中,硅光电倍数钳(SIPMS)已经取代了传统的硅APDS。SIPMS不是一个大面积的载气管,而是由一系列的微细胞组成,每一个微细胞都充当单一的光子雪崩二极管......
埃赛力达全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍;新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能提供以市场为导向的创新化光电......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍; 新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能 提供以市场为导向的创新化光电......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍; 新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能 提供以市场为导向的创新化光电......
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埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍; 【导读】提供以市场为导向的创新化光电解决方案工业技术领导者——埃赛......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍; 新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能 提供以市场为导向的创新化光电......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍; 新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能 提供以市场为导向的创新化光电......
气体放电管 (GDT) 和快速双向硅雪崩二极管 (SAD) 可提供粗略的和精细的保护。这种协调解决方案非常适用于各项敏感应用，包括 RS-232、RS-422 和 RS-485 接口、低电压警报电路、高频......
探测器：量子点探测器的主体结构为三明治结构，发射极和收集极均为重掺杂层，势垒层之间堆叠二维量子点阵列。量子点探测器主要分为PIN结构量子点探测器、CMOS结构量子点探测器、雪崩二极管量子点探测器和胶体量子点红外光电......
埃赛力达推出用于测距和LiDAR系统的增强型 InGaAs 雪崩光电二极管;新型APD设计可在相同的激光输出功率下实现更远测距范围埃赛力达近期宣布推出增强版 C30645 / C30662 型......
研究院 SPAD（单光子雪崩二极管）是激光雷达接收模块的重要组成部分，SPAD技术在激光雷达行业呈现出革命性影响，主要体现在两方面：一是显著提升雷达等效线数，二是简化点云处理。 与业内主流的APD（雪崩光电二极管......
多镜头阵列显著拓宽了照明范围。 贸泽库存的TMF8820和TMF8821传感器，以及开放订购的TMF8828传感器，使用单光子雪崩二极管 (SPAD) 阵列、时间-数字转换器 (TDC) 和直方图技术打造而成。这些......
器的单模块提供高动态范围和检测传感测量，距离范围20 mm至2500 mm。该器件采用高灵敏度的单光子雪崩二极管 (SPAD) 检测和快速紧凑的时间-数字转换器，可在±5%的范......
一样），或者说有着显著更高的敏感度。 传统图像传感器光电探测器结构与APD图像传感器的比较，来源：Panasonic 除了APD之外，dToF中另外应用比较广泛的就是前文提到的SPAD（单光子雪崩二极管......
，在发射端由EEL(边发射激光器)过渡到VCSEL(垂直腔表面发射激光器), 接收端探测器从PD(光电二极管)/APD(雪崩二极管)过渡到SPAD(单光子雪崩二极管)/SiPM(硅光电倍增管)，芯片......
了一款用于智能手机的直接飞行时间（dToF）SPAD距离传感器——IMX611。 该传感器采用了索尼自研的SPAD（单光子雪崩二极管）像素构造，可以实现领先的光子探测率——高达28%。由此......
雪崩光电二极管的创新技术，应对激光雷达的成本挑战;据麦姆斯咨询介绍，Phlux Technology的InGaAs技术可以使雪崩光电二极管（APD）在1550 nm波长下工作，灵敏度是传统APD的......
在环境光很高的条件下提高接近检测准确度和测量距离。 VL53L4ED是意法半导体VL53L4系列直接飞行时间传感器 传感器的新成员，在一个使用方便的一体化模块中集成激光发射器和单光子雪崩二极管 (SPAD) 检测器阵列，即使......
方面将领先全球2-3年。” 50G PON标准由FSAN组织负责制定，定义于ITU-T G.HSP.50pmd系列标准中。据介绍，50G PON系统接收端采用了均衡技术，并在接收端使用雪崩二极管，其噪声性能和光电二极管......
害人类的视力。在ADAS或自动驾驶汽车应用中，简单地增加近红外光的发射功率会对其他道路使用者和行人造成危险。 　　至于提高接收器灵敏度，可以使用更大面积的接收透镜来增加光子收集。此外，可以使用雪崩光电二极管......
，是基于单光子雪崩二极管（SPAD）技术，从而实现区域范围的全域距离测量，并利用AI算法技术，辅助实现疾速自动对焦，无需专业调节，从而降低相机、摄像......
是意法半导体VL53L4系列直接飞行时间传感器 传感器的新成员，在一个使用方便的一体化模块中集成激光发射器和单光子雪崩二极管 (SPAD) 检测器阵列，即使在极端温度条件下也能提供可靠的测量数据。下一......
多结的VCSEL（垂直腔面发射激光器）阵列正在迅速改进，与SiPM（硅光电倍增管）或SPAD（单光子雪崩二极管）相结合，将能够提供无移动部件的全固态激光雷达。 VCSEL是一......
腔面发射激光器）阵列正在迅速改进，与SiPM（硅光电倍增管）或SPAD（单光子雪崩二极管）相结合，将能够提供无移动部件的全固态激光雷达。 VCSEL是一种垂直表面发光的新型激光器，结构......
动驾驶汽车应用中近红外光的传输功率会对其他道路使用者和行人造成危险。 为了提高接收灵敏度，可以使用更大面积的接收透镜来增加光子收集。 此外，还可以使用雪崩光电二极管（APD，具有固有增益的光电二极管），尽管......
，并筹集项目资金。Phlux计划成为“激光雷达（LiDAR）中的英伟达（Nvidia）”。 据麦姆斯咨询报道，Phlux于2024年1月推出新开发的Aura系列1550 nm铟镓砷（InGaAs）雪崩光电二极管......
用于短程和长程的深度传感应用。  具有LiDAR所需的性能 是一种，是基于在普通硅衬底上实现的单光子雪崩二极管（SPAD）的固态单光子敏感器件，可应对低至单光子水平的低光信号的感测、计时和量化挑战。传统上属于光电......
（雪崩二极管）。APD又分为线性工作模式和盖格工作模式，盖格工作模式增益最高，只输出1或0的电平信号，灵敏度很高，称为SPAD（单光子雪崩二极管）。SPAD可以单点独立运行，也可以组成阵列（为表......
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量流动。典型......
 内部二极管......
DB HiTek拓展高附加值专业传感器业务;韩国专业代工厂DB HiTek加速进入工业机器视觉、自动驾驶汽车和AR等新的高增长领域，计划年内实现全局快门和SPAD量产 DB HiTek通过专门针对全局快门和单光子雪崩二极管......
DB HiTek拓展高附加值专业传感器业务;韩国专业代工厂DB HiTek加速进入工业机器视觉、自动驾驶汽车和AR等新的高增长领域，计划年内实现全局快门和SPAD量产DB HiTek通过专门针对全局快门和单光子雪崩二极管......
实现直接式ToF的技术方案。非单光子dToF的精度和分辨率比现有的SPAD（单光子雪崩二极管）方案高数倍，发射端激光光源及接收端传感器的整体功耗降低了90%。在该领域赶超了苹果、意法半导体等国外厂商的核心技术，其底......
直接飞行时间传感器 传感器的新成员，在一个使用方便的一体化模块中集成激光发射器和单光子雪崩二极管 (SPAD) 检测器阵列，即使在极端温度条件下也能提供可靠的测量数据。下一......
直接飞行时间传感器 传感器的新成员，在一个使用方便的一体化模块中集成激光发射器和单光子雪崩二极管 (SPAD) 检测器阵列，即使在极端温度条件下也能提供可靠的测量数据。下一......
）外，该技术还能通过减少BOM数量简化设计。  在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩......
耗和偏振无关的光子集成电路和一组外部检测器允许对传输的光子进行被动和简单的检测。用标准单模光纤连接这两个组件可高速生成密钥。 研究人员使用150公里长的单模光纤和单光子雪崩光电二极管......

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北京睿驰盛仕电子科技有限公司
）、SiPM（硅光电倍增管），铟镓砷APD（InGaAs）、雪崩二极管（APD）、脉冲激光二极管（PGA/PGEW系列）、光电二极管阵列、PIN快速光电二极管、四象限探测器及各种红外热释电、热电堆探测器等。
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上海欧光电子科技有限公司销售部
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上海欧光电子科技有限公司（业务部）
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池阵列,四象限探测器,PIN管,InGaSn探测器件,雪崩二极管, CCD和CMOS, 光学元件, 电子元件等，提供OEM加工。 　　公司坚持一贯的经营理念“以人为本、团队合作；诚挚服务、重视承诺； 品质
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欧光上海电子科技有限公司总部
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