nm卡性能

卡和银行卡安全IC技术》，2022年8月依据全新 2023 万事达卡性能政策，采用 144 字节密钥

资讯

英飞凌推出采用28nm芯片技术的SECORA™ Pay 产品组合 (2023-04-03)

卡和银行卡安全IC技术》，2022年8月依据全新 2023 万事达卡性能政策，采用 144 字节密钥 ...

英飞凌推出采用28nm芯片技术的SECORA Pay 产品组合 (2023-04-03)

[2]依据全新 2023 万事达卡性能政策，采用 144 字节密钥...

nVidia 发布支持 VRWorks 移动显卡，轻便的 VR 背包有望了 (2016-10-18)

3 款显卡的笔电售价 1,300 美元起，桌面级的显卡性能，加上游戏笔电，甚至还支持 VR 运算，性能不会受到打折。nVidia 透露，移动端 GTX1080 和 1070 将支持 SLI（双显...

全程酸爽！用4张TF卡组成128G SSD 还装了系统 (2016-09-30)

系统冗余容量，实际分区的容量大概为120G左右。性能测试：能不能胜过真正的128G SSD？单张TF 卡的读写性能前面我们提到，这一块特殊的128G SSD性能是由TF卡性能决定的，这次我们购买的TF卡...

英伟达 GeForce RTX 4070 Ti Super 显卡性能报告：比非 (2024-01-24)

英伟达 GeForce RTX 4070 Ti Super 显卡性能报告：比非;IT之家 1 月 24 日消息，国外科技媒体 TechPowerUp 和 Tom's Hardware 放出...

龙芯中科：9A2000显卡对标NVIDIA RTX 2080！ (2024-09-13)

首款国产自研显卡9A1000定位为入门级显卡以及终端的AI推理加速(32TOP)，预计2024年底或者春节前代码冻结，显卡性能对标AMD RX 550。对于下代9A2000，龙芯中科表示其性能...

N卡威武！四路泰坦真的可以灭地球 (2016-10-17)

Extreme的成绩提高到了4万分之上。 3DMark Fire Strike Extreme是目前最压榨显卡性能的一个测试项目，Dancop、Xtreme Addict、8 Pack、Slinky PC...

地表最强篮球游戏《NBA 2K17》显卡实测极致画质虐杀N卡 (2016-10-07)

场真实的比赛作为测试场景，并用Fraps记录下60秒的帧数变化。测试平台说明：本次测试将主要反映NVIDIA GTX 1000/900系列显卡在《NBA 2K17》游戏中的性能表现，为避免平台其它硬件成为显卡性能...

贸泽电子开售可提升AI和显卡性能的Advantech VEGA-X110嵌入式GPU卡 (2023-11-20)

贸泽电子开售可提升AI和显卡性能的Advantech VEGA-X110嵌入式GPU卡; 2023年11月17日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理...

Intel坑队友：苹果MacBook Pro没显卡可用 (2016-09-30)

Air，但是又让我们对15英寸MacBook Pro的更新产生了更多疑惑。这些疑惑主要来自Intel集成显卡性能的更新。从图中我们可以看到，Intel在芯片更新中将重点放在了处理核心的更新上，而忽视了显卡的性能...

贸泽电子开售支持图像处理和边缘AI加速的Advantech VEGA-P110 PCIe Intel Arc A370M嵌入式GPU卡 (2024-03-11)

的理想选择。贸泽供应的Advantech VEGA-P110 PCIe Intel® Arc A370M嵌入式GPU卡性能卓越，性价比高，支持五年的长寿命。这款高性能嵌入式GPU...

Altera今天发布Quartus II软件Arria10版v14.0 (2014-08-19)

最先进的20 nm FPGA和SoC设计环境。Altera成熟可靠的Quartus II软件编译时间是业界最短的，支持性能最高的20 nm FPGA和SoC设计。客户可以使用这一最新版软件所包含的全系列20...

Altera推出全系列28-nm FPGA产品 (2012-09-06)

说：“当前的客户需要能够尽快加速其应用，获得收益的量产解决方案。Altera非常重视所有28-nm系列的产品支持，提供定制工艺技术、体系结构和收发器技术，帮助我们的客户以低成本、高性能...

Altera展示了基于Intel 14 nm三栅极工艺的FPGA技术 (2014-04-24)

的关键组成，我们在设计早期便能够验证器件性能，极大的加速了我们14 nm产品的推出。” Altera有非常全面的测试芯片计划，降低了所有下一代产品首次发布的风险，这包括在产品最终投片之前，使用...

stm32型号命名规则 stm32制作工艺多少nm (2024-07-23)

，性能等级为G，存储器包括Flash和RAM，容量为1MB和192KB，封装类型为LQFP-100。　　stm32制作工艺多少nm 　　ST公司生产的STM32单片机采用的是CMOS工艺，不同...

RX 6400显卡性能如何？显卡架构：越新越好 (2022-11-30)

RX 6400显卡性能如何？显卡架构：越新越好; AMD显卡是指AMD公司发布显卡的统称。AMD显卡在售的显卡包括AMD Radeon PRO 显卡、嵌入式显卡、半定制显卡、AMD...

重磅：ITMA智慧终端存储协会立足新标准、开创新商机，NM Card为首个存储标准化产品 (2021-10-20)

智能机型没有扩展槽，加上5G手机内部空间受限，存储卡品质参差不齐，卡槽过大，存储卡类市场发展不尽人意。而NM Card由于与Nano SIM卡共用卡槽，可轻松实现存储扩容，高性能足以轻松应对4K视频...

监视器技术固定刷新率和gsync选择哪个监视器刷新率越高越好吗 (2024-03-04)

新率可以减少画面撕裂（Tearing）和模糊感，提供更好的反应时间，带来更好的游戏体验。　　但是，高刷新率也有一些限制和考虑因素：　　1. 显卡性能：要达到较高的刷新率，你的显卡需要具备足够的性能...

Altera推出业界带宽最大的28 nm中端FPGA (2012-10-16)

Altera推出业界带宽最大的28 nm中端FPGA;Altera公司 (NASDAQ: ALTR) 今天宣布，随着Arria® V GZ型号的推出，进一步拓展了公司的28 nm系列产品，该型...

Vidatronic新推22 nm模拟IP，用于IoT应用中缓解SoC所受的物理攻击 (2020-10-20)

产品，其产品涵盖电源管理单元（PMU）和LED驱动器IP，它们可集成到专用集成电路（ASIC）和片上系统（SoC）。借助Vidatronic的22 nm IP，客户可以最低的成本实现优异的性能...

实至名归！意法半导体NFC芯片ST25R100荣获2024 IOTE金奖创新产品奖 (2024-09-02)

读写器芯片丰富的设计经验和应用理解。 ▲NFC读写器ST25R100 ST25R100输出功率为0.8W，具有出色的读距/功耗比，同时采用了全新的感应唤醒技术，低功耗检卡性能大幅提升，非常...

实至名归！意法半导体NFC芯片ST25R100荣获2024 IOTE金奖创新产品奖 (2024-09-04 11:22)

佰维存储获得华为NM卡授权，黑科技产品服务华为高端智能手机用户 (2020-02-14)

无论是拍照还是视频录像都是巅峰级的体验。但是频繁的拍照和视频录制会消耗很多机身的存储空间，而此时NM存储卡的超高性能、超高性价比和高扩展性的优势就得以充分的体现。此外，NM存储卡搭载适配的读卡器使用，也方...

被骗好久！9成老爷机升级SSD都是错 (2016-11-28)

体读写都能突破500MB/s，超过传统的SATA SSD。插上独显后通道如何分配？对显卡性能有影响吗？可能已经网友发现第一套测试平台是核显平台，高速SSD是插在主板第一条PCIe通道上，独享整条PCIe通道...

埃赛力达推出首款适用于340 nm-360 nm波长范围的LINOS UV F-Theta Ronar低释气镜头 (2024-05-20)

埃赛力达推出首款适用于340 nm-360 nm波长范围的LINOS UV F-Theta Ronar低释气镜头;新上市的UV F-Theta镜头采用优化的低释气不锈钢设计，适用于UV紫外...

Altera宣布在FPGA浮点DSP性能方面实现了变革 (2014-04-23)

成硬核IEEE 754兼容浮点运算功能的可编程逻辑公司，前所未有的提高了DSP性能、设计人员的效能和逻辑效率。硬核浮点DSP模块集成在正在发售的Altera 20 nm Arria 10 FPGA和SoC中，也集...

Altera宣布在FPGA浮点DSP性能方面实现了变革 (2014-04-23)

雪崩光电二极管的创新技术，应对激光雷达的成本挑战 (2024-07-19)

人眼中的粘液也会吸收这种波长。” Phlux Technology研发的Aura Noiseless InGaAs APD 1550 nm APD性能得到改进虽然1550 nm的波长对人眼更加安全，但许多APD对短...

Altera继推出其28-nm系列产品后, 续发售Arria V FPGA (2011-11-30)

)模块上加大投入，设计人员采用该系列产品既可满足自己的成本、性能和低功耗需求，亦同时缩短开发时间，减小工作量。关于Altera 28-nm系列产品的详细信息，请访问www.altera.com.cn...

埃赛力达科技推出第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管 (2023-07-27)

Technologies®Corp.）推出新型TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管。这款第三代高性能三腔225 μm SMD脉冲激光二极管具有120 W的高输出功率，适用于远距离测距，并为...

埃赛力达科技推出第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管 (2023-07-27)

埃赛力达科技推出第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管;高性能三腔225 μm脉冲激光二极管采用SMD封装，可为智能设备提供高输出功率和功效提供...

埃赛力达科技推出第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管 (2023-07-27)

.）推出新型TPG3AD1S09 905 nm。这款第三代高性能三腔225 μm SMD具有120 W的高输出功率，适用于远距离测距，并为中短程系统提供优异的功效。这些改进后的设计可提供出色的稳定性、光束...

贸泽电子开售支持图像处理和边缘AI加速的Advantech VEGA-P110 PCIe Intel Arc A370M嵌入式GPU卡 (2024-03-08)

的理想选择。贸泽供应的Advantech VEGA-P110 PCIe Intel® Arc A370M嵌入式GPU卡性能卓越，性价比高，支持五年的长寿命。这款高性能嵌入式GPU卡配备一个PCIe...

贸泽电子开售支持图像处理和边缘AI加速的Advantech VEGA-P110 (2024-03-08)

-P110 PCIe 也是监控、视觉检测和AI分析的理想选择。本文引用地址：供应的 VEGA-P110 PCIe Intel® Arc A370M嵌入式GPU卡性能卓越，性价比高，支持...

制程升级压力，三大DRAM厂商EUV竞争白热化？ (2022-05-27)

司还发布了其首个支持新型计算快速链接(Compute ExpressLink,CXL) 互连标准的DRAM内存模块，并发布了专为自主电动汽车和高性能信息娱乐系统设计的2GB GDDR6和2GB DDR4...

三星全新microSD，凭借高性能和大容量助力移动计算和端侧AI (2024-02-28)

在PC和移动设备等多种应用端得到更好的计算体验。为确保SD Express microSD存储卡性能稳定、质量可靠，三星采用了动态散热保护（Dynamic Thermal Guard）技术，即使...

存储大厂DDR内存路线图公布 (2024-09-07)

计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存，该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品；到2026年，三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存，同样提供最大32Gb的颗粒容量；展望...

Altera业界成熟可靠的Quartus II软件编译时间缩短了4倍 (2012-06-13)

和效能在业界首屈一指的软件。Quartus II软件12.0版进一步提高了用户的效能和性能优势，例如，对于高性能28-nm设计，编译时间缩短了4倍。其他更新包括扩展28-nm器件支持，初次...

Altera Stratix V FPGA采用业界的第一款单芯片双路100G转发器突破性能瓶颈 (2012-03-02)

Altera Stratix V FPGA采用业界的第一款单芯片双路100G转发器突破性能瓶颈;Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天宣布，在28-nm高性能Stratix® V FPGA...

如何使用光学互连器件优化数据中心的性能 (2023-03-20)

-I 传输 1330 nm 通道，接收 1270 nm 信号，而 SFP-10G-BXU-I 以 1270 nm 波长发射，接收 1330 nm 信号。这些收发器还包括 DOM 功能，可实时监测性能...

Coherent高意推出1.6T收发器用高速光电二极管 (2024-12-03 10:00)

Coherent高意推出1.6T收发器用高速光电二极管;高性能光网络解决方案的全球领导者之一 Coherent 高意（纽交所代码：COHR）近日宣布推出新的 200G 高速磷化铟（InP）光电...

埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍 (2023-06-12 14:54)

力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000 nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势。C30733BQC-01雪崩...

埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍 (2023-06-12 14:54)

埃赛力达科技推出第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管 (2023-07-27 15:10)

埃赛力达科技推出第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管;高性能三腔225 μm脉冲激光二极管采用SMD封装，可为智能设备提供高输出功率和功效提供...

埃赛力达科技推出第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管 (2023-07-27 15:10)

埃赛力达科技推出第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管;高性能三腔225 μm脉冲激光二极管采用SMD封装，可为智能设备提供高输出功率和功效提供...

埃赛力达推出用于测距和LiDAR系统的增强型 InGaAs 雪崩光电二极管 (2024-11-21 09:32)

于具有太空级要求的光通信系统“我们为 C30645 和 C30662 系列 APDs 添加了低噪声选项，以提高多种应用的系统级性能，”埃赛力达光子探测产品经理 Richard Simons 表示， “提高...

贸泽电子开售可提升AI和显卡性能的Advantech VEGA-X110嵌入式GPU卡 (2023-11-17)

贸泽电子开售可提升AI和显卡性能的Advantech VEGA-X110嵌入式GPU卡;2023年11月17日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理...

Vishay新款UVC发光二极管，采用陶瓷／石英基材，光照强度高于上一代解决方案，同时降低成本 (2022-09-14)

，典型波长274 nm，不仅适用于表面、空气和静水直接消毒，而且与280nm解决方案相比，VLMU35CR40-275-120和VLMU35CR41-275-120消毒效率提升20%。器件采用散热性能...

埃赛力达全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍 (2023-06-12)

力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势。C30733BQC-01雪崩光电二极管配备了FC...

埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍 (2023-05-23 10:34)

力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势，C30733BQC-01雪崩...

nm卡性能

资讯

相关企业