葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

  • 首页
  • IGBT模块最高频率

资讯

根据公式（2-1）和（2-2），我们可得到IGBT的结温和续流二极管的结温，其两者中较大者定义为电机控制器功率模块最高结温。如图9. 图10.电机控制器功率模块结温的Simulink模型。 下面......
TDK模块化电力电容器ModCap 问市，可处理高达100kHz谐波;TDK 集团针对 DC-LINK 应用推出了模块化且通用的电力电容器。该产品配合最新一代的 IGBT 模块，广泛......
电动汽车、5G等应用的发展，高功率、耐高压、高频率器件需求快速增长，SiC是高功率器件理想材料。当电压大于900V，要实现更大功率时，硅基功率MOSFET和IGBT就暴露出短板，其在转换效率、开关频率、工作......
式来覆盖。 据业界消息，比亚迪曾在2021年世界智能网联汽车大会展示6款“高精尖”功率器件产品，包括V-215、V-305（碳化硅模块）、V-SSDC（碳化硅模块）、V-DUAL1、IGBT晶圆、FRD......
器部分选用德国西门子公司的IGBT模块，该模块饱和压将低，母线电感小，开关频率高，结构简单，安装方便。 （2） CPU控制器选用美国Intel公司的87C196MC单片机，该芯片功能齐全，运算速度快，是一种高性能的CHMOS 16......
被广泛应用于高功率、高频率的电力电子设备中。IGBT模块通常由多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路、散热器、连接器等组成。通过内部的绝缘隔离结构，IGBT芯片与外界隔离，以防止外界的干扰和电磁干扰。同时，模块......
。它们适用于高功率密度电动汽车、高极数电机、拥有高扭矩密度的高速电机以及兆瓦级高速电机等应用。同样，IGBT能够达到的最高开关频率受到限制，而通......
直流充电桩应用领域加速市场渗透。 图4：120kw直流充电桩内部结构图 来源：CNKI，DT新材料 3.轨道交通 碳化硅功率器件相较传统硅基IGBT能够有效提升开关频率，降低开关损耗，其高频......
或变速器，“三电系统”即电池、电机、电控系统取而代之，新增DC-DC模块、电机控制系统、电池管理系统、高压电路等核心部件，在这些部件中MOSFET、 IGBT 等功率器件都起着非常关键的作用。 功率......
采用三相桥式逆变电路的 IGBT系统，为保证最终输出波形能接近正弦波需要采用 PWM 高频开关，配合续流元件和平波电容从而实现波形整理。而传统硅 IGBT模块因工作温度导致的性能劣化且由杂波引起的稳定时间延迟导致系统开关频率......
设定的时候是不是输出扭矩太小，电机电流设置不准确，最高频率设置不准确，电机电压设置不准确。 19、VLT2800买新内存芯片换上没用是什么情况？ 答：买一个内存芯片装上去，肯定是没用的，因为......
转换为12 英寸，通过提高硅片切割的利用率来降低 IGBT芯片成本。 3.3 优化的封装技术 由于芯片技术的不断完善，芯片的最高工作节温及功率密度不断提高。因此，IGBT 模块......
的导通损耗、耐高温、高导热能力等。     基于SiC单晶材料的功率器件，具有高频率、高效率、小体积等优点（比IGBT功率器件小70-80%），已经在特斯拉 Model 3 车型中得到了应用。   SiC半导......
的电池电压。 与二代硅基IGBT相比，半导体SiC 750V时能效增加8-12%，总损耗减少约1/7，模块体积仅为IGBT的1/5左右，开关频率为IGBT的5-10倍......
够更加准确地反映出功率芯片的实际温度状况，让开发人员清楚的知道模块内部温度裕量，并在系统控制中做相应的措施，比如在低转速时，系统散热不好导致模块温度过高，可以适当提高频率，加强散热；或者在高频大功率时适当降低频率或者做过温停机保护。安森......
结果对比分析 以表2 中DCDC 工作参数为输入，建立以SiC(FF6MR12KM1) 和IGBT(FF200R12KE4) 模块为功率器件的两种仿真模型，通过PLECS 软件对不同开关频率......
碳化硅电驱系统产品具有系统功率密度高、系统损耗少、续航能力强的优势，其系统效率最高可达94%，可适应当前新能源汽车高频快充、长续航、高安全的需求及灵活前后置搭载，并广泛适配于高端轿车、SUV等车型。 各大......
要求更高 3 通道飞跨电容升压型 SiC 混合功率集成模块（PIM） 特性 ● 1000 V 低 VCE(SAT)快速开关 IGBT 和 1200 V 碳化硅二极管 ● 模块具有低热阻抗基板 ● 提供......
在低转速时，系统散热不好导致模块温度过高，可以适当提高频率，加强散热；或者在高频大功率时适当降低频率或者做过温停机保护。安森美的ASPM模块的开关频率设计高达20kHz以上（ASPM27-V3可达......
关技术而言，IGBT是速度较慢的器件。IGBT用于开关频率较低（几十kHz）的中。与MOSFET相比，当VCE(SAT)小于RDS(ON)×ID时，它们更适合用于非常高的电流。硅超级结MOSFET的使用频率......
电动汽车产业的快速发展，充电桩的需求也快速攀升，为了加快充电的速度，必须采用高功率高频率变压器，在大功率的应用领域（如200KW），因为传统变压器的构造、高频损耗和散热问题，使得工作频率很难提高。 使用传统的变压器设计将很难构建紧凑的单模块高频......
速度比IGBT快很多。这也是SiC MOSEFT比IGBT更适用于更高频率应用的原因。而更高的驱动频率（比如20kHz或以上），可以有效减小电机的噪音，提高电机系统的响应速度和动态抗干扰能力。另外，更高的频率......
/SiC MOSEFT效率对比 3. 适用于高频应用 SiC MOSEFT是单极性器件，没有拖尾电流，开关速度比IGBT快很多。这也是SiC MOSEFT比IGBT更适用于更高频率应用的原因。而更高的驱动频率......
只能工作在20kHz以下的频率。由于材料的限制，高压和高频硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适用于600V至10kV的宽电压范围，而且具有单极器件的优良开关性能。与硅IGBT相比，当开关电路中没有电流拖尾时，碳化......
凌连续18年占据全球功率半导体市场占有率第一的宝座。通过MOSFET(Si/SiC)、IGBT、HEMT(GaN)、智能功率开关、照明驱动芯片、电机控制芯片、电源管理芯片、智能功率模块(IPM)组成......
多种专项技术的科技专家组建的国家重点高新技术企业。是国家高技术产业化示范工程基地，国家IGBT和FRED标准起草单位；拥有江苏省企业院士工作站，江苏省博士后创新基地，江苏省新型高频电力半导体器件工程技术研究中心等。 类型：模块 主要......
(Module)。 IGBT也同样存在分立式元器件和模块之分，并分别有其适合的应用范围。 下图所示为以IGBT为主的功率半导体在开关（工作）频率与输出电容关系图中的应用范围。 【功率......
方波脉冲对定子绕组绝缘施加更高幅值的电压冲击；另一方面，脉冲频率高达10 kHz，高频作用加剧了介质损耗、局部放电、空间电荷对绝缘的老化作用。匝间绝缘是变频电机绝缘系统的最薄弱环节。采用......
和更高的电压，因此有了速度高达1亿样本/秒(100MS/s)的隔离式测量要求。这些采样率以前是由示波器结合差分探头实现的，可以让工程师观察以更高频率出现的瞬态电压与电流。一个......
传统工频正弦供电交流电机,工作在高频陡上升沿方波电压下的变频电机面临的电机绝缘问题更加复杂苛刻｡一方面,高压方波脉冲对定子绕组绝缘施加更高幅值的电压冲击;另一方面,脉冲频率高达10kHz,高频作用加剧了介质损耗､局部放电､空间......
限制是由硅半导体的物理限制和器件本身的设计造成的。大型IGBT和MOSFET由于从导通状态逐渐转变为关断状态，因此很难在高频下进行开关并承受开关损耗。 尽管逆变器在较高工作频率下更有效，但这......
部分将输入交流电转换为直流电，逆变部分又将直流电转换为高频交流电，控制电路则实现控制信号的路由和处理，从而控制变频器的输出。 变频器的主要功能是实现电机的变速控制、电量调节和市电过压、过载等保护功能。通过对变频器输出频率......
开关的系统优势时，其整体成本比并联 MOSFET 甚至 IGBT 都更低。由此，最终产品开发时间得以缩短，风险也得以降低。 超共源共栅的损耗非常低，是未来高功率、高频率开关应用的理想选择，将会......
对电机绕组施加 3 相交流电压。这一目标通过按照控制器命令开关电源开关来实现，频率为 4-10kHz，可产生最高 1kHz 的基础交流电频率。总功率电平范围可达 50-250kW，适合电动客车。所用......
快速充电所带来的电池包的热集聚，需要快速释放。当前的技术是采用车载空调系统为电池包散热，因此对于空压机和PTC的频率以及功率都有大幅提升的要求。而传统的硅基IGBT和MOS器件已无法满足，采用碳化硅MOS器件已势不可挡。 车用碳化硅功率模块......
WPC-Qi标准，可支持最高15W的无线快速充电；具有异物监测、过流保护、过压保护、欠压保护、双重温度保护等特征。 广告 赛腾微二代车载无线充电模块 赛腾......
V 系统，逆变器中使用了 SiC MOSFET。特征曲线在图2 展示了 SiC 技术在逆变 功率模块中的关键作用，作为实现最高系统效率的关键因素。图2 进一步表明，系统级的最佳开关频率......
结合硅基IGBT和碳化硅器件的优点，混合模块可以在高频开关应用中实现更低的开关损耗，同时在低频应用中保持较高的导通效率。成本效益：相比于全碳化硅模块，混合模块在保持较高性能的同时，显著降低了成本，这对......
bus、Signia RF、HDQ、CCIR656、IRDA等等。特殊总线模块最主要的功能在于，方便工程师进行讯号分析时省去分析讯号手动译码的时间。 孕龙逻辑分析仪的使用方式 1.设定内存深度，孕龙......
损耗和值 Etot 分别降低了9%，4%，3%，23%，极大地降低 IGBT 在高开关频率下的功率损耗。 图 5 IGBT模块在 150°C 的 开关特性（Eon+Eoff） IGBT的折......
FS3L35R07W2H5_C40两个模块可选，封装如图9，两个模块的区别是C56是焊接版本，C40是压接版本，其他参数都一样。模块内部IGBT采用35A的H5，可支持开关频率到40 kHz，输出功率8 kW左右......
的封装形式，以及沿用较大体积的总线电容、水冷系统；在动力输出方面，则沿用了适配IGBT较低开关频率的低速电机和变速箱（特斯拉的Model 3型新能源汽车甚至釆用了分立器件封装形式，而不是整合的功率模块......
重要参数的设定 a、V/f类型的选择 V/f类型的选择包括最高频率、基本频率和转矩类型等。 最高频率是变频器-电动机系统可以运行的最高频率。由于变频器自身的最高频率可能较高，当电动机容许的最高频率低于变频器的最高频率......
格。若1.5Uturn下5个测试样品中有发生局部放电，合格准则与上述主绝缘类似。 试验能力 5.1 绝缘结构耐高频冲击电老化测试能力 最高试验电压峰峰值：20kV； 脉冲频率：1kHz，2.5kHz......
IGBT逆变器方案相比，尺寸相当的SiC MOSFET模块也可以处理更多的功率。例如，一个工作频率为16kHz的950V EasyPACK™ 3B IGBT模块可以被两个较小的EasyPACK™ 2B尺寸......
带来的铁损增加和绕组涡流损耗、电频率增大，电流位移和趋肤效应； （4）激振频率高，NVH恶化，需要在电磁设计、结构设计、电机控制等方面综合考虑。 （5）控制方面，开关频率增加，IGBT损耗增加，可以......
具有更高的灵活性及可扩展性。根据逆变器的具体条件，这款750V的模块最大可以支撑50kW和230Arms的应用。凭借其特色规格，该模块为混合动力和电动汽车的逆变器应用进行了优化。 在过去的十年里，英飞......
凌携多款新品亮相，涵盖最新的CoolSiC™ MOSFET G2，全新的4.5kV XHP™ 3 IGBT功率模块以及1200V CIPOS™ Maxi IPM和固态隔离器等，首次展示了英飞凌在风能、光伏、储能、充电......
在严苛的工业环境中可靠运作。 新的IGBT器件备有各种封装，包括TO-247、T-MAX和模块。......
。在相输出位置采用低静态损耗IGBT的更复杂解决方案可略微改进两种配置的表现，但不会改变给定的结论。 图7显示了每个模块的功率损耗和最大输出电流与开关频率fsw的关系。ANPC的功......

相关企业

北京海能盛大电子科技有限公司
;北京海能盛大电子科技有限公司;;北京海能盛大电子科技有限公司专业经销大电流，高电压，高频率，高质量的可控硅，晶闸管，整流管，二极管，IGBT模块，晶闸管模块，整流管模块， 整流桥，电容，电阻，熔断
周文倩
罗拉、仙童半导体，瑞士的ABB等公司生产的IGBT、GTR、智能IGBT（IPM）、PIM、可控硅、整流桥、二极管、光耦、场效应模块；日立电解电容、美国CDE吸收高频无感电容等产品
上海淮徽机电有限公司
应管，Mosfets； 集成电路，IC; 连接器，Connectors. 用于电动工具，节能灯，点动车，电源，充电器，家电，仪表等多个领域。 主要分销经营的机械配件有： IGBT模块，IGBT单管，高频IGBT电解
深圳世玮科技有限公司
;深圳世玮科技有限公司;;公司主营产品：二三极管，SOP-8,DIP-8,高频管，模块等。 三极管封装：<> 场效应管，稳压管，IGBT系列，高压管。 场效应管：如IRF540,IRF640
深圳红邦控制技术有限公司
;深圳红邦控制技术有限公司;;"IGBT功率模块 红邦控制技术 绘宏伟蓝图 深圳市红邦控制技术有限公司专注于新型能源产品配套电子元器件的供应商，致力于大功率电力电子半导体行业。专注于通信电源、电力
新华微电子商行
;新华微电子商行;;本公司生产及代理各种集成电路、三极管、三端稳压、场效应管、肖特基/快恢复、大小功率整流系列（直插，贴片）、IGBT、快速、整流、肖特基、可控硅、达林顿、功放IC、温度开关和高频
深圳市福田区三创联科电子商行
;深圳市福田区三创联科电子商行;;深圳市三创电子公司是一家销售各种电子集成电路的专业配套公司。主要经营：机顶盒配件 高频头，主控芯片 模块IGBT 三创公司为用户提供完善的售前、售中、售后服务，所经
深圳市宝安区沙井红邦控制技术经营部
主要经营品牌：英飞凌、三菱、富士、艾赛斯IGBT功率模块、IGBT单管、IPM、PIM、整流桥、可控硅、功率半导体器件。公司主要产品系列■ IGBT模块 ● 英飞凌: IGBT功率模块、单管IGBT、1单元、2
北京诺科诚达电子科贸中心
;北京诺科诚达电子科贸中心;;正品原装集成电路 光电耦合器 军工民级及偏冷门 IGBT 可控硅模块 整流桥 功率器件 射频管 高频管等元件
松达电子
主要经营系列:场效应、电源IC、三端稳压（可调、降压-升压）可控硅、达林顿、高频管、普通管、肖特基、快恢复、IGBT 模块.....