资讯
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计(2023-10-24)
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计;本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、/。栅极驱动......
具有集成反激式控制器的智能栅极驱动光耦合器(2023-02-20)
器中的 IGBT 和功率 MOSFET。终结果是一种易于使用、紧凑且经济实惠的 IGBT 栅极驱动光耦合器解决方案。
集中供电栅极驱动光电耦合器用于提供高压增强电流绝缘并提供高输出电流以切换电机驱动......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线，推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线，推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦......
飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器(2013-03-20)
飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器;飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器。 该器件是一个先进2.5A的输出电流IGBT......
e络盟开售东芝最新智能栅极驱动器(2022-10-14)
e络盟开售东芝最新智能栅极驱动器;东芝创新系列光耦合器适用于工业和绿色能源应用，现可通过e络盟快速购买安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟现货供应东芝最新系列智能栅极驱动光耦合器。新增系列光耦......
变频器和逆变器常用的驱动集成电路（二）(2024-04-02)
模块都是用的比较多且技术方案比较早期的因此存在一个问题就是芯片体积比较大不利于结构紧凑的应用，因此也有相当一部分厂家采用的是贴片式IC为核心来设计IGBT的外围驱动电路的。这其中典型的应用有A316J、A332J等驱动光耦以及concept公司的2SD315......
变频器中的器件选取(2023-08-25)
。
④驱动光耦
这类光耦具有较大的输出电流，可以直接用于IGBT的驱动。
HCPL316J(惠普公司出品)，输出峰值电流2.5A，隔离电压3750V，响应时间上升沿300～500ns，下降沿300......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24)
样的测试条件下，普通的光耦隔离驱动在30KV/us左右便已经Fail。
NSi68515 短路保护时间快，提高了管子的鲁棒性
当IGBT 和 SiC MOSFET正常开通时，是在饱和区进行工作的；但当......
博通SiC/GaN栅极驱动器助力绿色能源低碳转型(2024-03-28)
博通SiC/GaN栅极驱动器助力绿色能源低碳转型;光耦用于在控制电路与高压和功率半导体之间提供增强的电绝缘，抑制高共模噪声的能力将防止在高频切换过程中功率半导体的错误驱动。该类......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24 14:14)
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515;
纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24 14:14)
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515;
纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24)
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515;单通道式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器(2023-02-23)
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器;
【导读】纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
如何优化隔离栅级驱动电路?; 栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器，来控制功率MOSFET或IGBT的栅极。它为MOSFET 或 IGBT 的栅......
影响纯正弦波逆变器寿命的成分有什么？(2024-09-11)
哪些设计因素会严重影响逆变器的寿命而在短时间内难以被察觉呢？
温度是影响逆变器寿命的重要因素之一，尤其是电解电容和光耦这些元器件，温度每升高10℃，电解电容的寿命减少一半，过高的温度，也会加速光耦的光衰，然而IGBT的驱动一般都是用光耦，所以光耦......
东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦(2021-11-30)
东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和......
如何增强工业电机控制性能？这有两款隔离解决方案(2023-03-24)
到IGBT栅极(栅极驱动器)的传播延迟。
同样，磁隔离器相对于光学器件有明显优势，原因是前者的传播延迟值非常小，通常在50ns左右，不再是影响因素。相比之下，光耦合器的传播延迟在500ns左右，占到......
聚焦高端模拟芯片国产替代，数明半导体隔离驱动器已通过CQC认证(2021-12-22)
隔离耐压。超高的CMTI、极低的传输延时、灵活的死区配置使得SLMi823x非常适合MOSFET/IGBT、SiC和GaN场效应管的隔离驱动。
兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
结果可以用于IGBT的过流保护。在这类电路中对IGBT驱动电路的要求相对简单。东芝公司生产的TLP250在这种场景中应用较多，其驱动电路如图所示。TLP250内置光耦合器，其隔离电压可达2500V，上升......
Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器(2024-10-28)
Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器;
【导读】日前，威世科技Vishay宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装......
Vishay的采用延展型SO－6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压(2024-10-24 14:29)
Vishay的采用延展型SO－6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压;
器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns日前，威世......
纳芯微单通道隔离驱动器NSi6801二代产品正式发布！(2022-12-13)
微NSi6801单通道隔离驱动器能够兼容光耦输入，其优秀的性能比起传统的光耦式栅极驱动器，工作寿命更长，能在更高温的环境下工作，传播延迟更短，脉冲宽度失真更小。可用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功......
Vishay推出SOP-4小型封装集成关断电路的汽车级光伏MOSFET驱动器(2023-06-07)
合动力（HEV）汽车电池管理系统（BMS）。为产生驱动这些应用中IGBT和SiC MOSFET的较高电压，可以串联使用两个VOMDA1271光耦。此外，采用这款新型驱动器，设计师在开发下一代汽车时，可以......
Vishay推出SOP-4小型封装集成关断电路的汽车级光伏MOSFET驱动器(2023-06-07)
合动力（HEV）汽车电池管理系统（BMS）。为产生驱动这些应用中IGBT和SiC MOSFET的较高电压，可以串联使用两个VOMDA1271光耦。此外，采用这款新型驱动器，设计师在开发下一代汽车时，可以......
Vishay推出SOP－4小型封装集成关断电路的汽车级光伏MOSFET驱动器(2023-06-07 15:03)
这些应用中IGBT和SiC MOSFET的较高电压，可以串联使用两个VOMDA1271光耦。此外，采用这款新型驱动器，设计师在开发下一代汽车时，可以用定制固态继电器取代传统机电式继电器。光隔......
两个IGBT为什么会出现同时导通的情况呢？(2024-07-02)
两个IGBT为什么会出现同时导通的情况呢？;什么是死区时间？
数据手册的参数
如何计算合理的死区时间？
STM32中配置死区时间
什么是死区时间？
PWM是脉冲宽度调制，在电力电子中，最常......
通过C8051F021单片机和CPLD器件实现全自动对接焊控制系统的设计(2024-01-15)
机头的上升、下降由驱动电路控制焊机机头夹具上的伺服电机来完成。其中共有3个驱动电路，结构如图3所示。采用低电平有效方式驱动负载，由于单片机的P1口带负载能力有限，故加入一个反相器缓冲后推动光耦，作用......
PLC系统中AI/AO卡件的应用(2024-01-31)
部分由于变频器功率会做的比较大，不再适用于IPM的驱动方案，所以会有大功率的IGBT模块来做驱动，这个时候就需要有专门的隔离驱动器来做驱动。
川土微电子正在定义这一款产品，会首先做和光耦驱动的兼容，最大输出电流能力在4A......
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片(2023-05-16)
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片;意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
2023 年 5月 16 日，中国......
一种电动汽车能量回馈下IGBT保护策略优化及验证(2024-07-22)
输出母线模拟量采集信号给控制板DSP；另一路与单片机内设定的过压电压值比较，如果超出设定的电压值，则输出OT信号为低，OT信号经光耦隔离后拉低DSP的GPIO口，整车软件检测到GPIO口为低时，则执行IGBT关管。图2、图3分别为驱动......
器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQSCALE-iDriver™门极驱动器。继推......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
电动机的逆变器电路中，为使IGBT能够稳定工作，要求IGBT的驱动电路采用正负偏压双电源的工作方式。
为了使驱动电路与信号电隔离，应采用抗噪声能力强，信号传输时间端的光耦合器件。
基极和发射极的引线应尽量短，基极驱动......
纳芯微隔离和驱动技术为SiC+800V电驱动赋能(2023-03-20)
纳芯微隔离和驱动技术为SiC+800V电驱动赋能;当前，以新能源汽车为代表的新兴汽车正在迅速替代传统的燃油车，虽然新能源汽车正在成为更多人的选择，但毋庸置疑，它在消费者体验方面仍有痛点，一是......
让电动汽车牵引逆变器设计更灵活，成本更优的反激控制器(2024-07-17)
合器
● 适用于高侧和低侧 IGBT 驱动器
● 禁用时静态电流为零
● 开关频率 (500KHz) 较高，允许使用小型变压器和滤波器组件
图 4 汽车四轨 17W 隔离......
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动(2023-05-16 11:12)
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动;意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸......
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动(2023-05-16 11:12)
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动;意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计;01驱动和保护
下面我们借助例子来聊聊变频器主回路中开关器件的驱动和保护，电路图如下：
如图所示，驱动脉冲WG3#低电平有效时，B点为低电平。当IGBT正常......
基础知识之光三极管传感器(2024-03-11)
上光三极管的选型
下面是一些光三极管元器件的对比：
7.使用RP2040驱动光三极管获取数据的简单示例
实物图如下所示：
驱动光三极管传感器模块代码如下所示：
from machine......
9月即将量产，东芝纯碳化硅产品提上日程(2021-09-15)
剑1QP0650V45-Q（采用青铜剑ASIC芯片组结合CPLDD芯片设计组成，针对4500V以下压接封装IGBT／IEGT定制开发而成，是一款适配单管模块的驱动方案。）
屈兴国强调，与青......
Diodes公司的双极晶体管采用 3．3mm x 3．3mm 封装并提供更高的功率密度(2019-03-12)
用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供......
瑞萨三相（T型）直流交流逆变器：效率与紧凑性的双重胜利(2024-01-09)
使用更为先进的TO-247plus封装，进一步提升了系统的整体性能和可靠性。这种精心搭配的IGBT组合构成了一个效率高、稳定性强的电力转换核心模块。
在栅极驱动部分，瑞萨使用了RV1S9231A光电耦合器。这款......
纳芯微推出NSI22C1x系列隔离式比较器(2024-02-22)
更高功率密度设计
工业电机驱动系统的应用环境比较复杂且恶劣，可能会出现桥臂直通、相间短路、接地短路等突发状况，导致过大的电流流入电机驱动器系统，从而使驱动器损坏。传统的过流检测设计采用通用比较器和隔离光耦......
AN-1316：为IGBT电机驱动器生成多个隔离偏置轨(2023-10-27)
个域中检测多个输出似乎并不能改善从属域或未感测域中的交叉调节。
第二个问题是，由于光电晶体管基极的电容和高增益，光耦合器往往会受到高共模dV/dt的不利影响。图2显示了驱动电机相位的IGBT发射极处的实际dV/dt;11 V/ns......
国内知名IDM大厂二度涨价！董秘这样回应...(2021-02-23)
类产品、IGBT、SBD、FRD、功率对管等)，具体调价幅度并未给出，只表示“需要与销售人员进一步沟通”。
图源：热心读者提供
对于涨价的原因，该公司表示，是“受原......
闪耀光储充重镇，2023慕尼黑华南电子展盛大开幕！(2023-10-31 09:20)
于缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积，能更好兼容传统硅基IGBT的驱动电路，实现器件可靠性的提升，并降低了驱动损耗。作为国内知名的碳化硅器件制造与应用解决方案提供商泰科天润亮相了本次慕展，展示了SiC MOSFET......
适用于三相电机驱动的智能功率模块设计实用指南(2024-05-06)
部部件，高边 IGBT 的驱动电压通过自举电路从VDD (15V)
获取。针对高边驱动信号提供了一个内部电平转换电路，因此所有控制信号均可直接由与控制电路（例如微控制器）共用的GND电平驱动，无需使用光耦......
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片(2023-05-16)
电流，开关频率可在200kHz至1MHz调节，并且还可以选择与外部时钟同步。新产品用于给IGBT、碳化硅 (SiC) 或氮化镓 (GaN)功率晶体管隔离式栅极驱动器供电，适用于工业自动化、低功......
世强“工业4.0创新应用研讨会”举办 为企业创新助力(2016-12-16)
超低损耗的IGBT技术、多协议单芯片工业以太网技术、完整的低成本功率器件、驱动及散热解决方案等议题，与在场工程师进行了深入讨论。
对此，技术专家们表示，工业4.0小型化、高精度、相应速度快的趋势，将对......
意法半导体新车规单片同步降压转换器面向轻负载、低噪声和电隔离型电源应用(2024-05-24)
型降压转换器，具有原边电压调节功能，应用设计无需光耦合器，非常适合用作电驱逆变器和车载充电机 (OBC) 的IGBT或碳化硅 (SiC) MOSFET 的隔离栅极驱动器，可精确调节原边输出电压。副边......
相关企业
）电力电子器件：IGBT、隔离驱动变压器、驱动光耦。长期提供各种IGBT模块、变频器变压器、驱动光耦。
模块，光耦，IGBT驱动片）,SHARP公司光耦器件，XICOR公司的最新颖内存器件。公司向国内客户提供优质的进口电子零件产品，望与国内新老客户加强联系，真诚合作！并可洽谈合作开发客户急需的新型科技产品。
模块、LEM传感器、二三极管、MOSFET管、可控硅、整流桥、驱动、光耦、电容、IPM等产品的经销批发的有限责任公司。武汉新瑞科电气技术有限公司经营的sunon风扇、NICHICON电容、IGBT模块
业绩迅猛发展。经营的品牌包括:IR,IXYS,APT,TI,TOSH,MOTOROLA,FUJI等,产品包括:场效应管、IGBT、可控硅、快恢复二极管、超快恢复二极管、电源控制IC、电源驱动光耦、大功
用，变频用IGBT）, MOSFET（高低压MOS，DT/Cool MOS），Photocouplers（高速，低速，可控硅驱动光耦），通用逻辑器件，微波器件（仅限民用），Flash （Nand
应模块；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；日本日立、黑金刚、红宝石，美国BHC电解电容以及美国CDE无感电容；IGBT驱动
;深圳市佳利电子经营部;;我公司是一家集代理和销售半导体和电子元器件为一体的合资公司，专业从事世界知名的可控硅，IGBT，电容，场效应管，MOSFET，驱动电路，整流桥，单相整流桥，光耦，无感
从事世界知名的可控硅，IGBT，电容，场效应管，MOSFET，驱动电路，整流桥，单相整流桥，光耦，无感电容等半导体和电子元件的直接经销商。我们拥有丰富的电子产品销售经验，主要经营的各种电子元器件，广泛应用于开关电源、UPS
;深圳星华港;;代理西门康IGBT夏普光耦和日立电解电容
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。