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全球量产最高水平。 9 永磁体重稀土晶界扩散技术,可提高磁体综合磁性能15%。 ......
的反复施加又促使富铅积累形状开始变得又长又细,同时形状的变化促使富铅相 和富锡相 边界表面出现了大量晶格缺失。焊料添加剂进一步促使富铅相 和富锡相 转移扩散及相互隔离。同元素的不断聚集,最终造成富铅、富锡晶界间出现空洞,疲劳......
换电一站式解决方案包含骐骥换电块、骐骥换电站、骐骥云平台。 其中,骐骥换电块基于第三代磷酸铁锂化学体系,同时采用无热扩散技术,CTP成组技术,电池使用寿命超过15000次。 骐骥换电站采用自适应无级调节技术......
阻止边缘处的显着负击穿。使用隔离扩散技术克服了这一限制,该技术在晶闸管芯片的生产中众所周知:它允许在芯片边缘折叠反向阻断 IGBT 较低的 p+ 层,如图 4 右侧所示。这样,p+ – n- 结保留在芯片内,终止......
硼材料仍是最重要的稀土永磁材料,采用Nd-Fe-B快淬热形变技术永磁体MQ3材料是新型永磁材料重点关注之一。减少重稀土用量是当前重点研发方向,晶粒细化技术、晶间技术、晶间扩散技术、综合性技术等是攻关重点。此外,电励......
硼材料仍是最重要的稀土永磁材料,采用Nd-Fe-B快淬热形变技术永磁体MQ3材料是新型永磁材料重点关注之一。减少重稀土用量是当前重点研发方向,晶粒细化技术、晶间技术、晶间扩散技术、综合性技术等是攻关重点。此外,电励......
全固态电池空间电荷层微观机理揭示;记者28日从中国科学技术大学获悉,该校马骋教授团队通过球差校正电镜的原子尺度观测,研究了空间电荷层对全固态锂电池中离子传输的影响,并发......
的制作流程是用沟槽刻蚀工艺在低介电二氧化硅里刻蚀沟槽图形,然后通过大马士革流程用铜填充沟槽。但这种方法会生出带有明显晶界和空隙的多晶结构,从而增加铜线电阻。为防止大马士革退火工艺中的铜扩散,此工......
粒比大颗粒的充电速度更快,因为它们相对于体积有更高的表面积,从而缩短其中锂离子的扩散距离。然而,传统方法无法直接测量单个正极颗粒的充电特性,只能测量构成电池正极的所有颗粒的平均值。这意......
小编来讲讲半导体陶瓷电容以及它的特点。 半导体陶瓷电容:半导体陶瓷电容分为表面型和晶界层型两种类型。 表面型半导体陶瓷电容器是指:瓷片本体已半导化,然后使其表面重新氧化而形成很薄的介质层,之后再在瓷片两面烧渗电极而形成电容器。 而晶界......
有效地降低了电池在使用过程中的压力,延长了电池的寿命,为用户提供更加可靠的动力源。 CTC2.0技术引入了720min无热扩散技术,使得电池在使用过程中更为安全可靠。这一技术......
小颗粒材料,缩短Li+扩散距离,增加电解液浸润面积。无定形碳包覆技术大幅降低电化学副反应,确保电芯的循环性能。 建湖......
层陶瓷电容晶粒生长发育比较完整的BaTiO3半导体表面,涂覆恰当的金属氧化物,在恰当的温度下热处理,氧化膜与BaTiO3形成低共溶液相,沿开口气孔和晶界迅速扩散,在陶瓷内部形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这一......
了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。 为制备适用于300 mm RF-SOI的低氧高阻衬底,团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型,并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制以及结晶界......
了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。 为制备适用于300 mm RF-SOI的低氧高阻衬底,团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型,并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制以及结晶界......
未来更严苛的国标要求。 奥特能电池还拥有多重核心电池热管理技术。这包括电芯间隔热墙、抑制热扩散技术、集成式液冷系统、模组和整包的防火设计、后置大面积防爆阀、防拉弧以及“车-云”两端相结合的电池健康监测系统。这些技术......
电池的高能量密度,可以实现商用车续航较传统同尺寸电池包提升25%,极大地提升了商用车运营效率。 安全方面,孚能科技拥有全球首个高能量密度软包系统无热扩散技术,从材料、电芯、模组、电池包、热管......
,超声钎焊、超声瞬态液相扩散焊等 超声液相键合技术,超声纳米烧结、混合( 复合) 焊料超声互连等超声固液混合键合技术。无论是高频低功率的高速超声键合,还是......
高容量MLCC技术再突破!微容获得业内首个MLCC陶瓷晶粒分析方法发明专利;3月14日,微容科技官方公众号消息,近期微容获得国家知识产权局颁发的发明专利证书:《一种便于分析MLCC陶瓷......
-A提供了第一个版本的国际标准,承载着产业“挖掘新价值,探索新领域”的期望。华为Apollo版本引入R18最新技术,将推动5G高效演进和5G-A能力边界扩展,助力运营商从5G卓越迈向5G-A领先......
-A提供了第一个版本的国际标准,承载着产业“挖掘新价值,探索新领域”的期望。华为Apollo版本引入R18最新技术,将推动5G高效演进和5G-A能力边界扩展,助力运营商从5G卓越迈向5G-A领先。 华为......
,不均匀性小于4%,衬底(004)面高分辨XRD 5点摇摆曲线半峰宽平均值32.7弧秒,说明衬底具有良好的结晶质量,边缘扩径区域没有小角度晶界缺陷。 技术......
我们来看看晶体的生长都面临哪些挑战 ●   要拥有高品质的籽晶(种子)  ●   减少从籽晶到新生长的晶体缺陷的技术 ●   晶体生长需要高温(>2000°C) o   在这......
效率高,散热响应快,排气效果好等特点。 该技术的关键点在于采用高吸热材料,并利用该材料的气化潜热,使得电芯间吸热能力极大提升,可以完全吸收一个电芯热失控传递到下一个电芯的全部热量,从而有可能解决多个电池热失控以及极端工况下多节电池被破坏导致的热扩散......
消费者生命财产安全。    这意味着动力电池安全要求较此前将进一步提高,其中最受业界关注的是:当动力电池在一定条件下发生热扩散后不起火、不爆炸,将成为动力电池新的强制标准。    资料显示,此次是由全国汽车标准化技术委员会电动车辆分技术......
基于昆明物理研究所的Au掺杂碲镉汞长波探测器探究;据麦姆斯咨询报道,近期,昆明物理研究所的科研团队在《红外与激光工程》期刊上发表了以“Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究”为主题的文章。该文......
首尔是今年三星晶圆代工论坛的收官站点。 在上述晶圆代工系列活动上,三星对外介绍了最新技术成果,以及未来五年晶圆代工事业发展规划。 豪赌先进制程:2025年2nm、2027年1.4nm! 今年6月,三星......
研究人员开发了多种策略来制备大面积二维半导体,其中化学气相沉积()是普遍看好的技术。但是主要研究更多注重实验室级别的性能(Performance)提升,并没有充分考虑材料生长的规模(Scale)和成本(Cost)。本文......
进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装,其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 文:英飞凌科技高级应用工程师Jorge......
道,日本政府还将提供资金支持、协助日本企业研发2nm以后的次世代半导体制造技术,发力芯片先进工艺。 回顾日本半导体行业曾在20世纪取得过辉煌成就。早在1986年,日本......
结合新一代锶铁氧体(SrFe)磁性颗粒和目前已应用在大容量数据存储磁带中的钡铁氧体(BaFe)磁性颗粒技术,新开发了精细混合磁性颗粒。磁性颗粒尺寸的减小和磁性能的增强显著提高了面记录密度。• 磁性颗粒高分散技术......
结合新一代锶铁氧体(SrFe)磁性颗粒和目前已应用在大容量数据存储磁带中的钡铁氧体(BaFe)磁性颗粒技术,新开发了精细混合磁性颗粒。磁性颗粒尺寸的减小和磁性能的增强显著提高了面记录密度。 磁性颗粒高分散技术......
极引入国际领军团队。当前研究人员开发了多种策略来制备大面积二维半导体,其中化学气相沉积(CVD)是普遍看好的技术。但是主要研究更多注重实验室级别的性能(Performance)提升,并没......
表面处或附近的表面缺陷 正如我们熟知的那样,晶体缺陷包括基面位错 (BPD)、堆垛层错 (SF)、螺纹刃位错 (TED)、螺纹位错 (TSD)、微管和晶界等。 SiC 的外延层生长参数对晶片的质量非常关键。生长......
所示是压敏电阻器等效电路。等效电路中,Rn是晶界电阻,C是晶界电容,Rb是晶粒电阻。 下图是压敏电阻器伏-安特性曲线中的3个工作区示意图,它的3个工......
电视广色域技术的研究与应用;1   高色域产品与普通色域产品的区别 随着科技与时代的进步,人们开始越来越关注电视所带来的视听享受,原本LED 液晶模组本身色彩还原度低的缺点也暴露出来。为了......
英特尔研究院发布全新AI扩散模型,可根据文本提示生成360度全景图;LDM3D是业界领先的可创建深度图的生成式AI模型,有望革新内容创作、元宇宙和数字体验。 英特尔研究院宣布与Blockade......
英特尔研究院发布全新AI扩散模型,可根据文本提示生成360度全景图; 英特尔研究院宣布与Blockade Labs合作发布LDM3D(Latent Diffusion Model for 3D......
苹果发布DeepPCR机器学习算法:加速神经网络的推理和训练;近日发布了,通过并行处理常规顺序操作,可以加速的推理和训练。本文引用地址:处理过程中,目前广泛采取并行化技术,不过......
发展趋势和市场动向,拓宽产品种类,打造分立器件芯片高端品牌;同时,持续优化封装测试业务和膜状扩散源业务,强化市场拓展和技术研发,提升业务规模和盈利水平。 “公司......
自动驾驶数据集的生成模型之WoVoGen框架原理;1. 写在前面 最近自动驾驶数据集的生成模型很火,主要包括NeRF和扩散模型两类。其中扩散......
救星出现?科学家找到抑制肺癌细胞扩散的关键; 世界卫生组织(WHO)在 2012 年公布的报告中指出,造成......
极中的电荷传递,尤其是前者。 (图片来源:ACS) 据外媒报道,日本先进科学技术研究所(JAIST)的研究人员展示了一种新方法,利用粘结剂材料来促进锂离子嵌入活性材料,从而实现快速充电。粘结......
英特尔研究院发布全新AI扩散模型,可根据文本提示生成360度全景图;LDM3D是业界领先的可创建深度图的生成式AI模型,有望革新内容创作、元宇宙和数字体验。英特尔研究院宣布与Blockade......
提高器件的速度。例如NMOS的应变材料是SiC,PMOS的应变材料是SiGe。另外,随着源漏的结深的短减小,源漏扩散区的厚度已经不能满足形成Salicide的最小厚度要求,必须利用新技术RSD(Raise......
8英寸SiC领域现强强联合!;据报道,近日,新加坡科学技术研究局 (A * STAR) 下属研究机构微电子研究所 (IME) 与德国扩散及退火设备供应商centrotherm......
偏心文丘里管的结构与测流原理;1、偏心文丘里管的结构 传统的文丘里管由入口圆管段、收缩段、喉管段和扩散段组成,一般入口圆管段长等于入口圆管管径,喉管段长等于喉管管径,其结构如图1(a)所示。传统......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展;具有精确控制取向的有机半导体单晶阵列图案在高性能光电器件的制备与集成中具有重要意义。有机半导体单晶具有固有的长程有序、无晶界......
将包括限制美国政府采购、美国政府援助和出口。这些措施的实施表明,伊朗的导弹计划仍然是一个重大的扩散问题。” 美国国务卿蓬佩奥补充称:“对这些国家的个人和实体的制裁,符合我们使用一切可用措施的努力,以减......
下图中也分别列出了它们的结构。 在输出Nch MOSFET中,由漏极D的N型扩散层、元件分离用的P型扩散层和连接到电源的N型扩散层(在这里是连接到输出Pch MOSFET的源极S),可以形成寄生NPN晶体......

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;德国科威尔自动化中国代表处;;KEWILL 公司运用专利的热扩散技术,为工业过程及工厂应用提供流量测量的解决之道。凭借KEWILL三十 多年的专业经验及世界最大的热扩散仪表用户群,KEWILL将会
子为系列产品的主要功能添加材料,并结合纳米材料分散技术、生物技术、表面涂层技术开发出高科技功能性纺织品。 ①⑤0②②⑥⑨⑧⑥⑤③ 022-⑧⑥⑥①⑧⑤⑥⑥ QQ
很好的解决散热和使用寿命,通过侧面和正面导光扩散技术,产品亮度成倍增加,光线柔和,配备优质原材料及严格的生产流程不断开发高效节能,绿色环保,外观精美的LED产品。公司将依优质稳定产品、极高的性价比加快推广LED产品应用,降低
硼化硅、纳米硼化锆、纳米硅粉、纳米氮氧化钛等产品专业生产加工的股份有限公司,尤其是以我公司国际领先水平的纳米分散技术为基础,开发出纳米合金变质技术、PET纳米改性技术、燃煤纳米催化技术、纳米电池修复技术
;广硕光电材料有限公司;;营业项目:扩散薄膜事业、光学设备事业、显示器电子事业销售产品:无尘室、光学测量仪器、自动化测试仪器、环境试验设备、上扩散膜片下扩散膜片、液晶面板
;深圳市广杰光电材料商行;;公司简介 欢迎更多的供应商/代理商前来谈合作,共图发展,请联系我们的业务领导,电话15989893116,苏先生。深圳市广杰光电材料有限公司专注于光电产品扩散膜/反射
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;胡长青;;供应LED小家电(电磁炉,热水器,风扇,空调,微波炉,加湿器等小家电)数码管贴膜。供应背光源扩散膜,反射膜,增光膜,黑白胶等模切产品及背光源扩散膜丝印产品。供应背光源扩散膜,反射膜,增光
温下使用陶瓷封装,利用OPTO22公司唯一的热扩散技术,使OPTO22公司的固态继电器成为世界上最可靠的固态继电器。OPTO22固态继电器分为交流系列、直流系列、Z系列和印刷电路板系列,其中印刷电路板系列又分为MP
大多数员工都在光电行业工作5年以上,有着非常丰富的经验,可以为客户解决背光源材料以及背光源显示技术难题。 扩散膜系列: ①、TPRA-90#、FL-228#,这两种膜片主要应用于黑白屏背光源。 ②、50LH-H7、50LH