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技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸，但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下，硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人，以及再生能源至数据中心技术，功率将是关键的影响因素。作为......
技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸，但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下，硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人，以及再生能源至数据中心技术，功率将是关键的影响因素。作为......
较差，而其他材料如砷化镓，同样具有良好的电子迁移率，但对空穴不具有良好的迁移率。 研究负责人表示，许多电子产品的主要瓶颈在于热量，尽管碳化硅的电迁移率较低，但其热导率是硅的三倍，因此......
浅谈因电迁移引发的半导体失效;前言本文引用地址：半导体产品老化是一个自然现象，在电子应用中，基于环境、自然等因素，半导体在经过一段时间连续工作之后，其功能会逐渐丧失，这被称为功能失效。半导......
既是功率器件最重要的指标，也是最大的挑战。 效率的驱动力主要通过器件的导通电阻来衡量。 除了效率之外，其他几个挑战也需要关注，包括： • 电流密度：确保设计符合电迁移 (EM) 规则 • 器件打开/关闭......
幅度、输出频率的影响因素，并解决了单电源供电的问题。实验总结强调了电路连接的注意事项及参数调整的重要性。 ......
。衡量有机半导体材料载流子传输能力的主要参数是载流子迁移率u, 它直接反映了载流子在电场作用下的运动能力, 因此载流子迁移率的测量是有机半导体材料与器件研究中的重要内容。 我公......
-VGSth）的平方成正比。 其中k为一个常数 W-沟道宽度,µn-电子迁移率,Cox–栅氧化层电容,L–沟道长度 对系统进行短路保护设计必须考虑DIBL的影响。例如，我们......
数字电路永久故障和瞬态故障之间的根本区别;您是否正在尝试确定您的设计是否安全，不会受随机硬件故障的影响，并且想要弄清一些安全指标，如单点故障指标 (SPFM)、潜在故障指标 (LFM) 和硬......
在数据预处理阶段通常会将节假日的数据设置为缺失值，然后在将节假日转换成月份、星期后，基于K 邻近算法完成缺失值插补，具体代码如图2 所示。 图2 基于K近邻算法的缺失值插补示例代码 2.2 关联分析 短期日负荷曲线预测的影响因素......
，不能完全绝对地分开来考虑。 在以上诸多测量准确度的影响因素中，量化误差的影响是最具决定性的，特别是在测量微弱小电压信号和特大电压信号时。举例来说，在100V/div时测出来的20V信号，实际......
阻率。 近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
等方面有着明显优势。这些优势得益于材料的诸多特性，如更宽的带隙、高临界场强、更高的电子迁移率。基于这类材料的功率器件，导通电阻能做到很小，并能够工作在更高的电压下——相比之下，传统......
如何用4200A-SCS进行晶圆级可靠性测试？;每个芯片上更多器件和更快时钟速度的不断发展，推动了几何形状缩小、新材料和新技术的发展。由于更脆弱、功率密度更高、器件更复杂和新的失效机制，所有这些因素都对单个器件的寿命和可靠性产生了巨大的影响......
-阻转异构体的OFET器件性能受其薄膜热退火温度的影响巨大，这源于热作用下Syn-阻转异构体向Anti-阻转异构体的单向转化。伴随着Syn-NDI转化为Anti-NDI，其OFET器件的电子迁移率......
更复杂和新的失效机制，所有这些因素都对单个器件的寿命和可靠性产生了巨大的影响，曾经寿命为100年的器件的生产工艺现在可能只有10年的寿命，这与使用这些器件的预期工作寿命非常接近。较小的误差范围意味着，必须......
更复杂和新的失效机制，所有这些因素都对单个器件的寿命和可靠性产生了巨大的影响，曾经寿命为100年的器件的生产工艺现在可能只有10年的寿命，这与使用这些器件的预期工作寿命非常接近。较小的误差范围意味着，必须......
价可能反映出该公司将提价转嫁给了客户，而不是提高利润率的一种手段。 考虑到光刻（晶圆）和封装(OSAT)产能都依赖外部公司，AMD的价格上涨并不令人意外。这两个因素对EPYC芯片供应的影响可能比AMD其他类型的芯片更严重，因为......
前面的仿真分析可知，快管位置T1/D1的损耗及结温Tvj波动的影响因素，和慢管位置Q3的情况是不同的，如图12所示： ●   快管T1(以IGBT为例)的结温Tvj波动，相关的影响因素较多，包括PFC系统参数、器件......
出厂后对环境变化的运作状态可靠度——遇到高低温气候时，仍能保持长期正常运作。 在半导体组件中，测量硬件可靠度故障率的单位为Failures In Time （FIT）。影响硬件可靠度的常见因素......
电机的性能和寿命。主要影响因素包括以下几个方面：1.材料选择：材料的选择对于加工精度有着重要的影响。不同材料在加工过程中的变形和热胀冷缩系数不同，对于零部件的尺寸稳定性和尺寸精度要求也不同。应根......
多创新科技成果中脱颖而出，其“基于超维场技术的高刷新率显示技术研发与产业化”成果荣获北京市科学技术进步奖一等奖。BOE（京东方）以行业领先的极速响应时间配合高迁移率氧化物、EPQ画质增强、HSR超分......
更高的工作电压、频率和温度。更宽的带隙对于允许器件在更高的温度下工作尤为重要。耐高温意味着，在正常条件下这些器件可以在更高的功率水平上运行。具有较高临界电场和较高迁移率的宽带隙半导体具有最低的漏源导通电阻 (RDS......
证焊接点的质量和稳定性。同时，冷却还可以避免焊接点因温度过高而损坏或变形。 四、SMT真空回流焊的影响因素......
比。沟道形成于SiO2界面处，因此SiO2界面质量对于沟道电子迁移率有直接的影响。通俗一点说，电子在沟道中流动，好比汽车在高速公路上行驶。路面越平整，车速就越快。如果路面全是坑，汽车就不得不减速。而不......
符需求，为了进一步提升运算速度，寻找新的信道材料已刻不容缓。一般认为，从10纳米以后，III-V族或是硅锗（SiGe）等高电子（电洞）迁移率的材料将开始陆续登上先进制程的舞台。 图2清楚指出10纳米与7......
导率(Si的3.3倍)、高的临界击穿电场(Si的10倍)、高饱和电子迁移率(Si的2.5倍)以及高健合能等优点，这就使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的......
级的最佳开关频率必须定义为提高效率（平衡点）的影响因素。  与Si逆变相比，SiC逆变技术的全部潜力基于开关频率和压摆率高10倍的可能性。图3演示了电压压摆率 (dv/dt) 对逆变损耗的影响。 带有 SiC MOSFET 的高......
硅产品特点 碳化硅(SiC)具有宽禁带(Si的3倍)、高热导率(Si的3.3倍)、高的临界击穿电场(Si的10倍)、高饱和电子迁移率(Si的2.5倍)以及高健合能等优点，这就......
材料中最微小的瑕疵也会阻碍电子运动，从而影响电子迁移率。他们希望进一步改进制作过程，让薄膜变得更纤薄，从而更好地应用于未来的自旋电子设备和可穿戴热电设备。 封面图片来源：拍信网......
前面临的主要问题在于氧化物半导体高阈值电压与高开态电流不可兼得，从而需要负保持电压来实现高数据保持时间，并且写入速度仍然远低于主流DRAM的水平。针对上述问题，团队针对性开展了沟道优化与欧姆接触优化研究，通过原位氧离子处理的方式实现了兼具低载流子浓度与高迁移率的......
190元，总市值114亿元。 据招股书信息显示，预计芯导科技公开募集资金用于投资发展项目，包括高性能分立功率器件开发和升级、高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化、硅基氮化镓高电子迁移率......
性。此外，这些材料还存在稳定性和均匀性等固有缺陷，且难以与现有工业制程工艺兼容。 在过去二十余年里，科研人员不断改进和优化“价带轨道杂化理论”，尝试实现高空穴迁移率的P型氧化物基半导体，但收......
材料。研究人员采用了高熵策略，以促进阳离子缺陷激活岩盐氧化物阴极。这一进展还解决了RMB的一个关键问题，即镁在固体材料中传输困难。到目前为止，镁的迁移率在传统阴极材料中（如尖晶石结构材料）需要......
置温度不稳定性（BTI）、热载流子注入（HCI）、时间相关二氧化硅击穿（TDDB）、电迁移（EM）等也是故障的根本原因。在检测方面，采用了内置自测试（BIST）、冗余设计、安全监控等方法。故障......
给器件设计人员带来了另一个挑战。即使经过几十年的努力，通过优化栅极电介质实现的最佳迁移率仍然比硅低10倍。因此，沟道电阻相应地比硅高10倍。 在功率器件中，低迁移率限制了性能和耐用性。器件电阻和开关损耗直接影响......
已非常成熟。LTPS有高电子迁移率，能提供较快开关速度和更高分辨率，满足高端手机的显示需求。但高电子迁移率也导致LTPS漏电流较大，无法支持低频动态刷新调节，导致整体功耗较大。 TrendForce集邦......
的渗透率。 LTPO技术提升显示设备的节能效果 显示器背板技术不仅影响显示效果，还决定手机性能、能耗和成本差异。自从Apple将视网膜屏幕导入iPhone后，行业对手机屏幕分辨率的要求不断提高，各大......
短路性能或脉冲电流处理能力。可靠性涵盖了设备在目标应用寿命期间标称工作条件下的稳定性。与可靠性相关的影响包括某些电气参数的漂移或灾难性故障。对于硬故障，量化通常以 FIT 率的形式进行，它实......
当我们能够分析出哪一个阶段的损耗最大，我们才能针对该阶段进行设计调整，进而提高电机效率。 提高电压 电机能量转换形态中，电能的损耗表现为铜损，其影响因素包括电流与电阻。如果设计师发现铜损过大，最简......
张德清课题组发展了有机高分子半导体高效图案化的新策略;近年来，高迁移率的有机高分子半导体的设计合成取得了很大的进展。但是，真正将有机高分子半导体的可溶液加工、柔性......
理工学院研究人员首次取得重要科学进展，于实验中发现立方砷化硼晶体为电子、电洞提供高载流子迁移率，扩大该材料于商业领域的潜在用途，比如提高CPU速度。 硅、砷化镓等材料具有良好的电子迁移率，但电洞迁移率......
GaN器件跨导不会随温度降低，因为硅栅极在高温下不受 GaN 迁移率下降的影响 另外，数据表也显示Normally-off E-mode的导通电阻有着比Normally-off D-mode器件......
项挑战是避免共振在音频器件的音箱和安装系统中引入的嗡嗡声和格格声。虽然共振是人们熟悉的概念，但本文将回顾共振对音频设计的意义，其中包括上方提到的挑战、共振影响因素、如何理解频率响应曲线等等。 共振和共振频率基础知识 要了解共振的影响......
HMC7229-DIE数据手册和产品信息;HMC7229CHIPS是一款集成温度补偿片内功率检波器的四级、砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、1 W......
为了让电场分布更加均匀，他们都使用了场板的设计。不同之处在于氮化镓是化合物半导体外延，通过异质结形成高电子迁移率的二维电子气沟道（2DEG）。而硅LDMOS是在硅外延层上进行掺杂形成P-N结。 2、氮化......
降低了漂移区电阻率，以获得更低的Ron和更高的功率性能。 3、高电子饱和漂移速率：在半导体器件工作过程中，多数是利用电子作为载流子实现电流的传输。高电子饱和漂移速率可以保证半导体器件工作在高电场材料仍然能保持高的迁移率......
键设计组件的全流程设计和严格验证，并提高了设计周转时间和版图生产率。该设计参考流程集成了业界领先的芯片设计工具，可实现高效的无源器件合成、电磁模型提取、热感知电迁移分析（可扩展至器件金属），以及正确处理电感器下电路（CUI）结构......
的必由之路 为了继续缩小芯片尺寸，需要GAA-FET。当FinFET中的鳍片宽度接近5nm时，沟道宽度的变化可能导致不期望的变化和迁移率损失。GAA-FET可以绕过这个问题，是一......
被绝缘体包围，绝缘体不太好。设备自热会有所不同，但我们还没有足够的信息来了解它的影响有多大。我们最终将从铸造厂获得这些数字。局部热源会导致热尖峰，这会影响对温度呈指数级敏感的电迁移。如果......

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