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可保证8A的均值电流下负载稳定工作.低至2.5V的启动电压，3~15V的宽工作电压范围，可最大限度的适用于各种终端设备，扩频功能最大限度的限制开关信号对外的辐射。 CS50363E提供了ESOP10......
的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。 CS5290E提供了ESOP10的封装类型，其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。 ......
包括高端智能手机在内的下一代移动应用打造。本文引用地址： 256GB：THGJFMT1E45BATV，封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm 512GB：THGJFMT2E46BATV，封装尺寸......
Abracon的小尺寸封装连续电压晶体振荡器 - ASCODV系列; 【导读】ASCODV系列是Abracon最小的简单封装晶体振荡器，频率范围为1.25MHz至50MHz。该产品的封装尺寸采用行业标准尺寸......
统技术相比，电流密度可提高3倍。基于此，TDK集团目前开发了封装尺寸为EIA 1210的保护元件，该元件与现有的EIA 2220性能相同，但封装尺寸减小了3倍。除了尺寸紧凑，EIA 2220元件......
Vishay新款 Power Metal Strip电阻具有8倍于其他电阻的功率耗散性能;Vishay推出采用紧凑的0805封装尺寸，功率等级高达1W的WSLP0805...18---表面......
求。 该变压器具有通孔端子和多种封装尺寸，广泛应用于开关模式电源以及DC/DC和AC/DC转换器。这些变压器专为恶劣环境而设计，采用具有模制绕组的坚固封装设计，以及高达130 C的工作温度，并且通过了MIL......
Kioxia提供最新一代UFS Ver．4．0嵌入式闪存器件样品;更小的封装尺寸和性能改进为移动应用带来更好的用户体验全球领先的内存解决方案提供商Kioxia Corporation今天宣布，该公......
器为设计人员，提供了相较标准不锈钢栅格设计成本更低的选择，器件采用EDG技术在改善供电容量，重量和功率密度的同时，维持封装尺寸不变。今天发布的器件在40℃时功率达8kW，比同等电阻安装尺寸的标准6500W不锈......
器都可以通过用户的肌肉组织和骨骼中的震动检测到。其封装尺寸为2.0 mm x 2.0 mm x 0.95mm。 Package Photo Package X-Ray Photo......
考定时应用时的一个重要考虑因素。 此外，优异的短稳性能也可以提升在GPS应用中窄带锁相环的授时时间和整体精度。 AOC1409 系列封装尺寸为14.9 x 9.7 x......
适合包括尖端智能手机在内的各种下一代移动应用。 更小的封装尺寸和性能改进为移动应用带来更好的用户体验 全球领先的内存解决方案提供商今天宣布，该公司已开始提供最新一代通用闪存(2)(UFS) Ver. 4.0版嵌......
家族推出一款全新通用多功能微控制器（MCU）——RL78/G15。该器件以较小的封装尺寸面向8位MCU应用。在8至20个引脚的封装尺寸中包含众多外设功能和4-8KB的代码闪存，最小的8引脚器件尺寸仅为3mm x 3mm......
伟达与台积电、SPIL (矽品科技)洽谈AI GPU产品，在既有的2.5D模式下自wafer level转换至panel level，并放大芯片封装尺寸最受到瞩目，只是由于技术的挑战，foundry、OSAT业者......
电流为 1 A，紧凑型 LGA-M 封装尺寸为 3 × 3 mm ，高度仅为 2 mm。根据输入/输出电压组合的不同，该模块满载时的工作温度可达 80 ℃ 以上，降额时温度高达 125 ℃。5 V 输入......
了极窄节距凸块互联技术，封装尺寸大，可集成多颗芯片、高带宽内存和无源器件。 长电科技表示，XDFOI™全系列解决方案通过将不同的功能器件整合在系统封装内，大大降低系统成本，缩小封装尺寸，具有......
芯感智推出高精度、低功耗气压计GZP6816D; 【导读】GZP6816D采用标准的2025封装尺寸，量程范围30kPa～110kPa，支持1.8V低电压供电，并进行了宽温度补偿，在0......
他电感类型相比，这些系列可以满足所有高功率DC-DC转换要求，包括EMI屏蔽、功率密度和核心损耗方面的最高性能。这种扁线电感经过优化，具有与圆线电感相似的性能，但封装尺寸较小。它是对一体成型圆线6030和1004电感......
level合作模式，则是以AMD及英伟达与台积电、SPIL (矽品科技)洽谈AI GPU产品，在既有的2.5D模式下自wafer level转换至panel level，并放大芯片封装尺寸......
高密度扇出型倒装技术实现业界领先的多元异构芯片倒装的102mm x 102mm超高密度封装集成，可广泛应用于高性能计算芯片等高附加值领域。 图注：长电科技Chiplet超大尺寸高密度扇出型倒装封装，实现整体封装尺寸......
高密度扇出型倒装技术实现业界领先的多元异构芯片倒装的102mm x 102mm超高密度封装集成，可广泛应用于高性能计算芯片等高附加值领域。 长电科技Chiplet超大尺寸高密度扇出型倒装封装，实现整体封装尺寸......
BAW接近的高性能特殊SAW工艺，继续支持1814和1612两种常见封装尺寸。迭代升级的Band 3双工器，在保持原有低温漂（TCF~-5ppm/K）、高功率的情况下，进一步优化了插损、抑制等指标。Tx......
Bourns推出新型抗硫化固定电阻系列;最新符合AEC-Q200规范厚膜电阻器系列 提供八种封装尺寸  美国柏恩Bourns全球知名电子组件领导制造供货商，今天推出新系列的抗硫化AEC......
率体验。 FG131系列采用37mm*39.5mm的 LGA封装尺寸，与广和通Cat.6模组FG101及FG621兼容，能够帮助客户终端从Cat.6快速迭代至5G......
电流范围为 1 A - 20 A。 RPL-1.0 系列的输入电压范围为 3 - 22 V，输出电压为 0.6 - 12 V，输出电流为 1 A，紧凑型 LGA-M 封装尺寸为 3 × 3 mm......
电流范围为 1 A - 20 A。 RPL-1.0 系列的输入电压范围为 3 - 22 V，输出电压为 0.6 - 12 V，输出电流为 1 A，紧凑型 LGA-M 封装尺寸为 3 × 3 mm......
（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，在紧凑的8x8 mm封装尺寸中兼顾低RDS(on)和强大线性模式（安全工作区）性能，可满足严苛的热插拔应用要求。此外，Nexperia......
被设计为在低电感的情况下支持更高的额定电流值。这些电感是高功率和高开关频率应用的明智选择。 这些通过AEC-Q200认证的叠层电感的温度范围为-40°C至+125°C。封装尺寸......
具有低阻抗和TCR的大功率1W电阻器;日前，Vishay Intertechnology公司最近推出了一款新型表面贴装Power金属条型电阻器配备了1 W的高额定功率，在紧凑的0805封装尺寸。旨在......
解决方案所积累的专业知识，推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，在紧凑的8x8 mm封装尺寸中兼顾低RDS......
列产品充分利用了索尔思自研53G EML激光器的优良性能，可将100G光模块的功耗降至3W以下。100G ER1 SFPP12采用高灵敏度APD光接受，传输距离可延申到40km。做为最小封装尺寸的SFP112系列......
芯讯通发布超小尺寸5G模组SIM8202G－M2：封装尺寸仅30*42mm 四天线设计;在昨天举行的第十四届国际物联网展期间，芯讯通推出了最新的超小尺寸5G模组SIM8202G-M2，为万......
密度和核心损耗方面的最高性能。 这种扁线电感经过优化，具有与圆线电感相似的性能，但封装尺寸较小。它是对一体成型圆线6030和1004电感的补充产品。这些封装尺寸是行业中最常用的尺寸，现在......
工业级光模块研发取得成功，目前开始组织生产。 50G SFP56系列相对于目前5G前传使用的25G光模块，通过将同样封装尺寸的单个光模块的速率提高到50Gb......
系列是现有水平设计型B82733F*系列的补充。对于印刷电路板空间非常狭小的应 用，垂直设计特别有优势。比如，新型扼流圈的插入高度为27mm，封装尺寸仅为29mmx 15.5mm，比水平设计型小30......
，具有： ·       四(4)个凸点，封装尺寸为0.77mm x 0.77mm x 0.46mm，间距为0.4mm ·       四(4)个凸点，芯片尺寸为0.97mm x......
程的三轴磁力计芯片。 内部集成用于检测X/Y/Z三轴地磁的霍尔传感器电路、传感器驱动电路、信号放大器电路和用于处理各传感器信号的运算电路。超小型的封装尺寸......
最大的缺点是对引线的依赖。虽然引线可以达到 25 μm ，但 PIC 和 EIC 之间的连接仅限于单边，严重限制了 I/O数量。 3、3D集成封装 图3 3D集成封装 3D封装也可最大限度的减小封装尺寸......
和驱动程序的开发也会更简单。 图 3 LPSDR 和 HyperRAMTM 的控制接口比较 由于 HyperRAM 是近几年才开发的，因此它可以采用最新型的半导体制程节点和封装技术，使其封装尺寸比其他 DRAM 都要小。图 4......
的紧凑空间中进行DC/DC转换。AMPLA系列电感提供多种封装尺寸和电感值，包括标准和汽车级产品。标准工作温度范围为 -55°C 至 +125°C，温升电流是温度升高40°C的电流值，适合......
1.1mm封装尺寸适用于小基站，而更小尺寸的1.1mm x 0.9mm可应用于5G移动智能终端。 在模组化方面，目前国产射频器件厂商提供的模组产品基本都是低集成度的，几乎没有产品壁垒。因此，左蓝......
的带外抑制、高功率等特点。其通带频率为3400-3600MHz，最大输入功率达到33dBm，支持工作-40℃至+95℃温度范围。其中，1.4mm x 1.1mm封装尺寸适用于小基站，而更小尺寸......
Littelfuse双通道PPTC封装尺寸缩小50%，可防止电信设备电流过载;通过将两个电信PPTC纳入更小的表面贴装封装尺寸中节省电路板空间全球领先的电路保护、电源......
- 5V，4A超低功耗，具有真正反向电流阻断功能 负载开关器件采用小型芯片级封装，具有： • 四(4)个凸点，封装尺寸为0.77mm x 0.77mm x 0.46mm，间距为0.4mm • 四......
硅通孔（TSV）封装技术，具备更高性能、更高可靠性以及更低成本等特性。该解决方案在线宽或线距可达到2um的同时，可实现多层布线层，另外，采用了极窄节距凸块互联技术，封装尺寸大，可集成多颗芯片、高带......
封装尺寸：3.3 mm x 3.3mm......
，“增强的片上处理能力赋予了该微型封装传感器更强的 计算能力，从而助力广大客户和合作伙伴打造更智能的产品。” ICU-10201 的微型封装尺寸仅为 3.5 x 3.5 mm²，可在......
解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，在紧凑的8x8 mm封装尺寸中兼顾低RDS(on)和强大线性模式（安全工作区）性能，可满......
是个位数微米等级，若以台积电前段制程或传统封装设备制程切入，异质整合须跟上前段纳米级的脚步。目前这方面则以加强芯片间连结密度、封装尺寸大小两大领域为主。其在加强连芯片的结密度方面，主要......
的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，在紧凑的8x8 mm封装尺寸中兼顾低RDS(on)和强大线性模式（安全工作区）性能，可满......

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