资讯
埃赛力达全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-06-12)
力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势。C30733BQC-01雪崩光电二极管配备了FC......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-05-23 10:34)
力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势，C30733BQC-01雪崩光电二极管......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-05-23 10:34)
力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势，C30733BQC-01雪崩光电二极管......
埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-05-22)
力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势，C30733BQC-01雪崩光电二极管......
埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-05-22)
适用于智能城市和智能工厂。
埃赛力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000nm至1700 nm最佳......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-06-12 14:54)
力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000 nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势。C30733BQC-01雪崩光电二极管......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-06-12 14:54)
力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000 nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势。C30733BQC-01雪崩光电二极管......
埃赛力达推出用于测距和LiDAR系统的增强型 InGaAs 雪崩光电二极管(2024-11-21 09:32)
埃赛力达推出用于测距和LiDAR系统的增强型 InGaAs 雪崩光电二极管;新型APD设计可在相同的激光输出功率下实现更远测距范围埃赛力达近期宣布推出增强版 C30645 / C30662 型......
单光子探测器研究现状与发展(2023-03-15)
等特性进行探测，具有可保持测量信号完整性、理论量子效率高、工作电压低、探测灵敏度高等优点，同时具有室温单光子探测的潜力。
该文章介绍了单光子探测器的工作机理，总结对比了光电倍增管、雪崩光电二极管等传统单光子探测器以及基于新型二维材料的雪崩光电二极管......
雪崩光电二极管的创新技术，应对激光雷达的成本挑战(2024-07-19)
雪崩光电二极管的创新技术，应对激光雷达的成本挑战;据麦姆斯咨询介绍，Phlux Technology的InGaAs技术可以使雪崩光电二极管（APD）在1550 nm波长下工作，灵敏度是传统APD的......
高压应用的转换难题怎么破？可以试试这个(2023-07-26)
些情况下，可用的输入源的电压可能非常低，但却需要高输出电压。此时，可以使用图3所示的转换器来驱动多个雪崩光电二极管、PIN二极管，以及其他需要高偏置电压的器件。这些升压转换器可以从3V输入生成125V输出，负载......
Phlux推出短波红外InGaAsAPD，瞄准汽车激光雷达市场(2024-03-18)
，并筹集项目资金。Phlux计划成为“激光雷达（LiDAR）中的英伟达（Nvidia）”。
据麦姆斯咨询报道，Phlux于2024年1月推出新开发的Aura系列1550 nm铟镓砷（InGaAs）雪崩光电二极管......
应用于ADAS和汽车传感的相干激光雷达设计方案(2024-01-12)
害人类的视力。在ADAS或自动驾驶汽车应用中，简单地增加近红外光的发射功率会对其他道路使用者和行人造成危险。
至于提高接收器灵敏度，可以使用更大面积的接收透镜来增加光子收集。此外，可以使用雪崩光电二极管......
激光雷达实现测距的方法：直接检测与相干检测的区别(2024-03-27)
动驾驶汽车应用中近红外光的传输功率会对其他道路使用者和行人造成危险。
为了提高接收灵敏度，可以使用更大面积的接收透镜来增加光子收集。 此外，还可以使用雪崩光电二极管（APD，具有固有增益的光电二极管），尽管......
艾迈斯欧司朗推出新型光电二极管，为可穿戴设备生命体征监测应用提供出众性能(2023-04-12)
斯欧司朗的内部基准测试表明，凭借光电二极管芯片制造工艺技术的优化，TOPLED® D5140 SFH 2202在红外光谱中的线性度比标准光电二极管高出30倍。此外，实验数据表明，在光电容积描记法（PPG......
极低损耗、创纪录速度、安全传输，基于芯片的量子密钥分发系统制成(2023-05-30)
耗和偏振无关的光子集成电路和一组外部检测器允许对传输的光子进行被动和简单的检测。用标准单模光纤连接这两个组件可高速生成密钥。
研究人员使用150公里长的单模光纤和单光子雪崩光电二极管......
艾迈斯欧司朗推出光电二极管，为可穿戴设备生命体征监测应用提供出众性能(2023-04-12)
）。
艾迈斯欧司朗的内部基准测试表明，凭借光电二极管芯片制造工艺技术的优化，TOPLED® D5140 SFH 2202在红外光谱中的线性度比标准光电二极管高出30倍。此外，实验数据表明，在光电......
Advanced Energy推出超小型的可编程的精密DC-DC高压电源(2023-02-13)
产品。”——Advanced Energy医用电源产品副总裁Conor Duffy说道。“该系列特别适用于从硅检测器和雪崩光电二极管到MEMS设备......
汽车激光雷达的方向是选择095纳米还是1550纳米(2024-08-20)
红外脉冲或信号的激光器以及探测散射反射光的传感器的价格和成熟度是导致这种选择的主要因素。传感器技术的发展在使激光雷达成为汽车制造商的可行技术方面特别有影响。
传感器通常是基于雪崩光电二极管(APDS......
Advanced Energy推出超小型的可编程的精密DC－DC高压电源(2023-02-13 14:26)
产品。”——Advanced Energy医用电源产品副总裁Conor Duffy说道。“该系列特别适用于从硅检测器和雪崩光电二极管到MEMS设备......
艾迈斯欧司朗推出新型光电二极管，为可穿戴设备生命体征监测应用提供出众性能(2023-04-12 11:14)
收到的光信号质量更高，从而让智能手表、活动跟踪器及其他可穿戴设备能够更精确地测量心率和血氧饱和度（SpO2）。艾迈斯欧司朗的内部基准测试表明，凭借光电二极管芯片制造工艺技术的优化，TOPLED® D5140 SFH......
艾迈斯欧司朗推出新型光电二极管，为可穿戴设备生命体征监测应用提供出众性能(2023-04-12 11:14)
收到的光信号质量更高，从而让智能手表、活动跟踪器及其他可穿戴设备能够更精确地测量心率和血氧饱和度（SpO2）。艾迈斯欧司朗的内部基准测试表明，凭借光电二极管芯片制造工艺技术的优化，TOPLED® D5140 SFH......
iPad Pro那颗3万像素LiDAR有何玄机？(2020-04-25)
光传感器、VCSEL（垂直腔面发射激光器）的光学模组。其中的距离传感器所用的就是SPAD（单光子雪崩光电二极管）阵列[3]。次年1月，意法半导体又发布了二代的VL53L0，开始......
飞芯电子推出高隐蔽性激光测距仪(2023-10-19)
电子ABAX-CJ-01作为一款全面升级型产品，不仅采用1550nm人眼安全波段半导体激光器作为光源，盖革模式雪崩光电二极管作为接收器，同时以FMCW算法作为测距基本原理，以较低信号发射功率，具有......
飞芯电子ABAX-CJ-01高隐蔽性激光测距仪全新面市！(2023-03-27)
精度测量中拥有着广阔的应用前景。
飞芯电子ABAX-CJ-01作为一款全面升级型产品，不仅采用1550nm人眼安全波段半导体激光器作为光源，盖革模式雪崩光电二极管作为接收器，同时以FMCW算法......
ADAS的种类与主要组成 LiDAR的用途与相关技术(2023-07-10)
（Photodiode， PD）或雪崩光电二极管（Avalanche photodiode， APD）；成像机构则分为扫描式或非扫描式的成像机构。在车......
自动驾驶汽车激光雷达传感器指南(2023-09-22)
获不同路况下的所有细节，噪声必须尽可能低，以避免使接收到的信号失真。
Maxim具有跨阻放大器（TIA1），当与雪崩光电二极管配合使用时，可以感测回光。信号通过比较器（COMP1）进一步调理。如图2所示......
埃赛力达科技推出用于氡气检测的VTH21系列光电二极管(2022-11-11)
.）近期推出用于氡气检测的新型VTH21系列光电二极管。埃赛力达的低电容VTH21硅光电二级管系列以芯片形式提供最佳的α粒子检测，对相关辐射具有很高的响应性，这使得新的光电二极管成为氡气检测和α粒子......
埃赛力达科技推出用于氡气检测的VTH21系列光电二极管(2022-11-11)
埃赛力达科技推出用于氡气检测的VTH21系列光电二极管;新型低电容硅光电二极管芯片为氡气检测应用提供最佳的α粒子检测效果
全球创新定制化光电解决方案技术领导者——埃赛......
业界 5000 万级像素赛道上首颗采用 100% 全像素对焦功能的 0.7μm 芯片横空出世(2022-11-29)
以从 CCD 的结构和功能开始。
1 CMOS 光电探测器
大多数 CMOS 光电探测器都基于 PN
结光电二极管的操作。当光电二极管反向偏置(且反向电压小于雪崩击穿电压)时，与入射光强度成正比的电流分量将流过二极管......
一种基于STM32的光功率计的设计与实现(2023-08-17)
率计硬件实现
3．1、INGAAS－PIN光电探测器
目前流行的光电探测器有PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管，APD具有很高的检测速度，在高速光电检测应用行业占据主要地位，但是其暗电流大，需要......
埃赛力达科技推出用于氡气检测的VTH21系列光电二极管(2022-12-01)
推出用于氡气检测的新型VTH21系列光电二极管。埃赛力达的低电容VTH21硅光电二级管系列以芯片形式提供最佳的α粒子检测，对相关辐射具有很高的响应性，这使得新的光电二极管成为氡气检测和α粒子......
埃赛力达科技推出用于氡气检测的VTH21系列光电二极管(2022-12-02)
推出用于氡气检测的新型VTH21系列光电二极管。埃赛力达的低电容VTH21硅光电二级管系列以芯片形式提供最佳的α粒子检测，对相关辐射具有很高的响应性，这使得新的光电二极管成为氡气检测和α粒子检测的理想解决方案。这些光电二极管具有坚固的芯片......
应用LMR38020优化PoE设备供电方案(2023-10-18)
方式的受电端，即PD (Powered Device) 端应用。如下是和LMR16020的对比。的输入耐压大于前级TVS的雪崩击穿电压范围，增强了系统的可靠性。此外，内部集成同步整流管在省去外部肖特基二极管......
随着光模块的传输速度增加至200Gbps左右，光传感器挑战也越来越高。由于光传感器的优劣取决于收光的灵敏度。因此外延的材料掺杂均匀度或结构缺陷都会影响收光效果。200Gbps Per Lane的APD(雪崩光电二极管)光传......
X-FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度(2024-10-11)
（dosuv）的SEM图像
这几款新发布的光电二极管器件均能提供与上一代产品类似的填充因子和光电流数值，同时所需的芯片......
X－FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度(2024-10-12)
X－FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度;稳健、可靠的器件不仅增强光谱响应速度，同时大幅提升信噪比特性全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X......
X－FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度(2024-10-12)
X－FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度;稳健、可靠的器件不仅增强光谱响应速度，同时大幅提升信噪比特性全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X......
艾迈斯欧司朗推出生命体征监测系列新品，新产品组合实现更高系统效率和灵活性(2022-06-27)
艾迈斯欧司朗推出生命体征监测系列新品，新产品组合实现更高系统效率和灵活性;
· 通过艾迈斯欧司朗生命体征监测新产品，客户可根据自身要求，用改进后的发射器、光电二极管......
金升阳针对性推出HO系列高压电源(2022-11-07)
应用
HO系列产品广泛适用于电泳，质谱，光谱，电子束，离子束，核辐射探测、光电倍增管、雪崩二极管等高压......
Coherent高意推出1.6T收发器用高速光电二极管(2024-12-03 10:00)
、50 飞法 （fF） 的低电容和低暗电流。光电二极管阵列提供两种不同的倒装芯片焊盘配置，可与高性能 TIA 兼容，旨在满足长波光纤通信系统的苛刻要求。“这些光电二极管......
基础知识之光二极管传感器(2024-03-07)
基础知识之光二极管传感器;1. 什么是光二极管？
光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管是一种能够将光能转化为电能的电子器件，光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN......
高精尖定制：高压输出电源HO系列(2022-11-30)
列是为了满足电源系统中需要产生高电压、并且对输出电压稳定性要求高的应用场合而设计开发的产品。同时，可针对特殊需求提供产品定制。
二、产品应用
HO系列产品广泛适用于电泳，质谱，光谱，电子束，离子束，核辐射探测、光电倍增管、雪崩二极管等高压......
PN8611无Y无共模，12V1A适配器方案(2024-04-03)
PN8611无Y无共模，12V1A适配器方案;PN8611集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围......
降价！国产SPAD芯片能否打破激光雷达恶性循环？(2023-09-05)
研究院
SPAD（单光子雪崩二极管）是激光雷达接收模块的重要组成部分，SPAD技术在激光雷达行业呈现出革命性影响，主要体现在两方面：一是显著提升雷达等效线数，二是简化点云处理。
与业内主流的APD（雪崩光电二极管......
PREMA推出一款双通道硅光电二极管(2023-09-02)
PREMA推出一款双通道硅光电二极管;
【导读】PCA4540是一款双通道硅光电二极管，可应用于背景抑制光电传感器、位置传感器以及自动对焦等领域。PCA4540将两个PD集成到一个芯片......
艾迈斯半导体创新型X射线探测芯片开创低成本CT新时代(2019-12-19)
艾迈斯半导体创新型X射线探测芯片开创低成本CT新时代;AS5950在单个芯片上集成了光电二极管阵列和模数转换器，可降低8层及16层CT扫描......
Instrument Systems 推出紧凑型 PD 100 光电二极管(2024-09-02)
Instrument Systems 推出紧凑型 PD 100 光电二极管;
【导读】Instrument Systems 推出的紧凑型 PD 100 光电二极管，可轻......
使用绿光和双层电池，“哈利·波特”光传感器实现200%高效率(2023-02-20)
使用绿光和双层电池，“哈利·波特”光传感器实现200%高效率;人们一般认为，超过100%的效率只有使用“哈利·波特”的魔法才会实现。而荷兰埃因霍温科技大学和霍尔斯特中心的一个研究团队，使用绿光和双层电池设计出一种光电二极管......
|光耦合电路讲解，工作原理+电路案例，通俗易懂，带你搞定(2024-11-20 12:53:06)
隔离要高得多，通常为10 kV或更高。
三、光耦合器工作原理
光耦合器由作为 LED 的发射器和作为光敏元件的接收器组成。
当 LED 发出光并且光照射到光电传感器（光电二极管......
相关企业
;sonya;;hamamatsu 滨松代理 硅光电池，硅光电二极管，PSD位置探测器,雪崩光电二极管APD,热释电红外光电传感器，光电二极管阵列，波长探测器，四象限探测器 用于激光测距，激光
;上海欧光电了科持有限公司;;欧光电子科技有限公司代理德国SILICON-SENSOR公司APD（雪崩光电二极管） 主要分类： 1、系列8高速/高增益APD 2、系列9近红外增强APD 3、系列10
;六朋电子有限公司;;深圳市六朋电子有限公司是以专业芯片代理及经销日本滨松HAMAMATSU光电器件 光探测器件 硅光电二极管 雪崩光电二极管 PSD位置灵敏探测器 红外探测器件 API光电
;深圳市六朋电子公司;;深圳市六朋电子有限公司是以专业芯片代理及经销日本滨松HAMAMATSU光电器件 光探测元件 硅光电二极管 雪崩光电二极管 PSD位置灵敏探测器 红外探测器件 API光电
;深圳六朋电子有限公司;;深圳市六朋电子有限公司是以专业芯片代理及经销日本滨松HAMAMATSU光电器件 光探测器件 硅光电二极管 雪崩光电二极管 PSD位置灵敏探测器 红外探测器件 API光电
的解决方案是基于我们的专利高速APD和PIN配置和大面积的硅雪崩光电二极管（LAAPD），PIN光电二极管和FILTRODE®探测器在III-V材料的光接收机。太赫兹传感器产品线是针对无损检测（包括
）、SiPM（硅光电倍增管），铟镓砷APD（InGaAs）、雪崩二极管（APD）、脉冲激光二极管（PGA/PGEW系列）、光电二极管阵列、PIN快速光电二极管、四象限探测器及各种红外热释电、热电堆探测器等。
子元器件公司. 我们的产品包括多种领域, 包括氙灯氘灯光源, 硅光电池，光电二极管, APD雪崩光电二极管, 激光二极管, CCD，PSD位置传感器，四象限传感器，波长探测器, 光电二极管阵列检测器, 颜色传感器，x
产品，光电二极管阵列，PSD,颜色传感器，CCD,血崩管，热电堆，热释电，光电开关，光敏三极管，以及带有放大，制冷效果的雪崩管和模块；
;深圳隆旭贸易有限公司;;本公司为韩国ODTECH公司的大中国区总代理，产品有各种规格的光电二极管（PHOTODIODE），光敏三极管（PHOTOTRANSISTOR），齐纳二极管