资讯
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展;立方砷化硼是一种媲美金刚石的超高热导率半导体，自2018年以来受到广泛关注，更被称为可能是最好的半导体材料，但一直不确定是否商用化。直到最近，麻省......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗(2024-04-10)
空各种辐射都很强，而在抗辐射性能上，砷化镓比硅材料太阳能电池要强上许多。
理论转化效率高
根据“中国工程院咨询研究项目”的一份公开文件显示，单结和多结砷化镓太阳能电池的理论效率分别为27%和50%，这远......
华人科学家发现立方砷化硼，或是迄今“最佳”半导体材料(2022-07-25)
空穴迁移率较差，而其他材料如砷化镓，同样具有良好的电子迁移率，但对空穴不具有良好的迁移率。
研究负责人表示，许多电子产品的主要瓶颈在于热量，尽管碳化硅的电迁移率较低，但其热导率是硅的三倍，因此......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
着怎样的新思路。
先回顾 GaN 氮化镓的优势
氮化镓（GaN）是一种「宽禁带」（WBG）材料，其禁带宽度是硅的 3 倍多。禁带......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16)
失效率是业界报道过的最好的评估结果之一。
Transphorm在构建其氮化镓平台时考虑了可靠性的要求, 了解宽禁带技术进入市场时可靠性的重要。尽管氮化镓比硅管的性能更高，但是，如果器件在实际应用中失效，客户不会选择切换到新技术的氮化镓产品。2019年......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16 09:12)
平台时考虑了可靠性的要求,了解宽禁带技术进入市场时可靠性的重要。尽管氮化镓比硅管的性能更高，但是，如果器件在实际应用中失效，客户不会选择切换到新技术的氮化镓产品。2019年，Transphorm成为首家发布用于证实其产品可靠性的完整验证数据的氮化镓......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
式天线系统和一些微波链路：砷化镓MMIC在这些市场的优势是射频功率低，TriQuint 半导体T2G4005528-FS(图1)是GaN竞争的典型代表，这种碳化硅衬底的氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)工作......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
SiC更高的缺陷密度和衬底（晶圆）制造方法，它仍然比硅贵得多。然而，芯片制造商已经能够通过使用大量基板并降低故障密度来降低总体生产成本，SiC的成本控制和量产不再是不可克服的缺陷。
氮化镓的优......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16)
失效率是业界报道过的最好的评估结果之一。本文引用地址：在构建其氮化镓平台时考虑了可靠性的要求, 了解宽禁带技术进入市场时可靠性的重要。尽管氮化镓比硅管的性能更高，但是，如果器件在实际应用中失效，客户不会选择切换到新技术的氮化镓......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
得该技术甚至可以在高工作温度下使用。
宽带隙参数
宽带隙半导体的带隙比硅或砷化镓 (GaAs)
等普通半导体宽得多。这自然会转化为更大的击穿电场，并转......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16)
功率解决方案的全功率可靠性评估中，这一失效率是业界报道过的最好的评估结果之一。
Transphorm在构建其氮化镓平台时考虑了可靠性的要求, 了解宽禁带技术进入市场时可靠性的重要。尽管氮化镓比硅管的性能更高，但是，如果......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩(2023-10-10)
的是单片集成HEMT和驱动。驱动单片集成的优势在于开关速度高，使器件的高频性能得到充分发挥，但由于在氮化镓上制作驱动，无法兼顾复杂的方案，缺少测电流、测温等功能，同时......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
会比较高。 不过，基地台的整体数量相较于手机应用是比较少的，因此即便其成本略高，仍在客户能接受的范围内。
林珩之指出，功率主导的特性，更将促使氮化镓比砷化镓来得更有优势，因频率更高，往往得靠氮化镓......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-22)
失效率是业界报道过的最好的评估结果之一。
Transphorm在构建其氮化镓平台时考虑了可靠性的要求, 了解宽禁带技术进入市场时可靠性的重要。尽管氮化镓比硅管的性能更高，但是，如果器件在实际应用中失效，客户不会选择切换到新技术的氮化镓......
世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN(2022-12-09)
）和砷化镓、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物，它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
。
氧化镓的禁带宽公开报道是4.9eV，砷化镓的禁带宽为1.6eV，氮化镓是3.36eV。另据报道，硅的禁带宽为1.1eV，如果干瘪的数字不好比较，那我们就打一个比方：假如4.9eV与3.36eV......
总投资175亿的碳化硅项目或将落地山西(2021-08-27)
硅是全球最先进的第三代半导体材料，具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料，尤其是在航天、军工、核能等极端环境应用领域里有着不可替代的优势......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
半导体材料及其禁带宽度
Source：中国科普博览
氧化镓作为第四代材料代表，具备禁带宽度大（4.8 eV）、临界击穿场强高（8MV/cm）、导通特性好（几乎是碳化硅的10倍）、材料生长成本低等优势，业界......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(2023-02-07)
可实现最高功率密度。
氮化镓晶体管具备快速开关、亚纳秒级转换和在短于3 ns 时间内可生成大电流脉冲的优势，使激光雷达在自动驾驶、停泊......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统(2023-02-07)
向恢复损耗和更低的驱动功率，可实现高效率。结合极小的占板面积，这些优势可实现最高功率密度。
氮化镓晶体管具备快速开关、亚纳秒级转换和在短于3 ns 时间内可生成大电流脉冲的优势，使激光雷达在自动驾驶、停泊......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
能够承受高电压的功率器件有着巨大的需求。氧化镓还具有低损耗的优势，它的损耗是SiC的1/7，这意味着它可以节省更多的能源。从实验数据可以看出，氧化镓SBD的损耗在同等电压下，只有SiC的1/7，只有Si的1/49。作为......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
产业崛起的三安光电有意进入砷化镓产业，因为制程学习需求与厂商合作关系台湾厂仍具有领先优势，但如果藉由并购公司，或是之前传出稳懋工程师出卖商业机密等方式，中国厂商有可能缩短技术的差距，需要......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07 11:58)
向恢复损耗和更低的驱动功率，可实现高效率。结合极小的占板面积，这些优势可实现最高功率密度。氮化镓晶体管具备快速开关、亚纳秒级转换和在短于3 ns 时间内可生成大电流脉冲的优势，使激光雷达在自动驾驶、停泊......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07)
认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。
作为增强型氮化镓......
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因(2023-04-18)
数据中心在不会过量增加能耗的前提下上线，需要实现更高效的服务器电源，而 GaN 是实现这类电源的关键技术。”
原因 2：使用 GaN 的系统级设计可节省成本。
尽管现在按芯片级别比较，GaN 比硅昂贵，但 GaN 所带来的整个系统的成本优势......
英飞凌：布局碳化硅是一场超级马拉松(2020-04-28)
能持续投入这么高资金成本的投资，对他们来说也是个挑战。”陈清源分享道。
此外，陈清源还表示，他更愿意把碳化硅的布局看作是一场长期的比赛，甚至是超级马拉松。英飞凌坚实自己的优势，同时积极面对竞争，当市场上产品百花齐放，客户......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
广泛应用于手机/WiFi 等消费品电子领域，其射频性能虽略逊于氮化镓射频器件，但成本和良率方面存在相对优势，完全可以满足民用需求；
GaN PA 具有最高的功率、增益和效率，但成本相对较高、工艺成熟度低于砷化镓......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
声、耐高温、抗辐照等集成电路领域。砷化镓具有更高电子迁移率、低能耗、抗高温、抗辐射、高发光效率等诸多优势，应用场景非常广泛。砷化镓经过多年的发展，工艺不断成熟，应用领域越来越多，从LED、MiniLED......
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因(2023-4-17)
统级设计可节省成本。
尽管现在按芯片级别比较，GaN 比硅昂贵，但 GaN 所带来的整个系统的成本优势、效率和功率密度的提高超过了初始投资的价值。例如，在 100 兆瓦数据中心中，使用基于 GaN 的电......
800V高压系统及其系统架构分析(2024-10-28 08:14:14)
么使用碳化硅半导体
相比硅半导体更有什么优势......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
是氮和镓的化合物，需要由人工合成，结构类似纤锌矿。
从特性上来看，作为时下新兴的半导体工艺技术，氮化镓具有超越硅的多种优势。与传统的硅材料相比，氮化镓(GaN)具有......
英飞凌将投资逾20亿欧元在马来西亚居林前道工厂扩大宽禁带半导体的产能，进一步增强市场领导地位(2022-02-25)
拥有宽禁带半导体量产能力的工厂将增强供应链弹性
目前，英飞凌已向3,000多家客户提供基于碳化硅的半导体产品。这些半导体产品在效率、尺寸和成本方面具有比硅基半导体更优异的系统性能，被广......
Coherent拟扩建全球首个6英寸磷化铟生产线(2024-12-13)
英寸过渡，以充分利用大尺寸晶圆、更高产量及更优性能等的优势，巩固其在通信和传感领域的可持续竞争力。
除了InP，Coherent今年在碳化硅（SiC）与砷化镓（GaAs）领域......
国内两条芯片生产线新进展(2024-11-20 11:06:14)
，国内两条芯片生产线传来新进展：广东华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通；陕西芯业时代8英寸......
高通PA杀入供应链，大补贴抢市场吓慌Skyworks(2017-08-02)
供应商采用砷化镓（GaAs）工艺不同。但是由于CMOS的性能问题始终没能得到有效解决，于是在今年早期，高通开始转向GaAs工艺。
高通更宣布与日系零组件大厂TDK合资，拟在......
碳化硅在电动汽车中主要应用(2024-01-24)
现更高性能和更多的应用。第三代半导体技术相对于传统半导体技术（通常是基于硅材料的技术）具有多方面的优势，这些优势使它们在各种应用中具有重要的价值，以下是第三代半导体技术的一些主要优点：
高性能：第三代半导体材料（如碳......
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶(2023-06-09)
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶;据广东国资消息，近日，广晟集团控股上市公司中金岭南所属韶关冶炼厂在稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队的努力下，韶冶厂成功自主合成第一炉砷化镓......
电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新电子书，探讨氮化镓 () 在效率、性能和可持续性方面的优势，以及发挥这些优势......
什么是800V高压系统?800V高压系统的驱动力和系统架构分析(2023-07-10)
伴随着第三代半导体碳化硅技术的引入，各高压部件尤其是电驱部件的能耗可以大幅降低，实现车辆节能行驶。
为什么使用碳化硅半导体
相比硅半导体更有什么优势？
碳化硅在功率半导体层级有显著性能优势。相比硅半导体，碳化硅的禁带宽度是硅的......
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标，现已按照功率级别划分(2022-12-19)
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标，现已按照功率级别划分;公司的高压氮化镓(GaN)器件在各种功率级别的应用中持续提供一流的可靠性
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源......
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标，现已按照功率级别划分(2022-12-19 09:43)
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标，现已按照功率级别划分;公司的高压氮化镓(GaN)器件在各种功率级别的应用中持续提供一流的可靠性 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源......
功率半导体：锗和 SiGe 可能获得另一次机会(2023-01-12)
的硅压降被它的许多其他优点所抵消。
现在，当然，半导体世界主要基于硅。是的，我们有用于特殊应用的氮化镓 (GaN)、砷化镓 (GaAs)，甚至碳化硅
(SiC)，但绝......
5G推动射频革命，中国厂商需奋起直追(2017-08-01)
先体现在 GaAs 器件的布局上。 Qorvo 表示，由于毫米波的应用。对新型器件就有了强烈的需求，与砷化镓和硅等材料相比， GaN 在有高频率需求小型基站需求的 5G 中优势是非常明显，而 5G 也会......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动;随着第三代半导体锋芒毕露，第二代半导体材料砷化镓隐隐暗淡，但凭借耐热、抗辐射、发光效率等优良特性在微电子与光电领域被寄予厚望。近期，市场传来新动态：英国......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压功率器件的关键因素。本文引用地址：
一、前言......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2024-07-12)
减少电机的负载。车辆重量降低有助于在使用相同电池的情况下延长车辆的行驶里程，同时减小传动系统的体积，增加乘员和后备箱的可用空间。
图 1：电动汽车主驱逆变器设计的最新趋势
02 SiC 相对于硅的优势......
SiC与GaN助力宽禁带半导体时代到来！(2021-01-04)
了她对宽禁带半导体市场发展的分析以及对特定新兴市场的预测。
Power Electronics News（PEN）: 您是YoleDéveloppement半导体和新兴材料部门的成员，研究范围涉及碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟以及新兴材料趋势。您认为，宽禁......
Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件(2024-04-25)
包括：同类最佳的稳固性（+/-20V的栅极裕度和4V的抗扰性）及可靠性（FIT失效率<0.05），且功率密度比硅器件高50%。伟诠电子精简的SiP设计，利用了上述GaN器件优势以及自身的创新技术，打造......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成，同时拥有成本低和散热好等优势。
氧化镓......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
Asahikasei SDC MELEXIS等。 经营品种有：电源管理IC，马达驱动IC，砷化镓霍尔元件，锑化铟霍尔元件，双极型霍尔IC，光电器件。 我们的产品广泛应用于微型电机、DC-FAN、开关
比同行做得更专业,更有优势,欢迎广大商户来电咨询,我公司的优势供应NXP,的4A,12A,的单向可控硅,双向可控硅的8A,12A,16A,25A的优势料号,且常备现货,TYN612,,MCR100-6
务范围包括：磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术，匹配全套芯片和后道封装生产设备，以完善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓
精密加工、光学镀膜和检验分析的设备和技术力量，拥有大批量生产应用于红外的砷化镓激光晶体材料、高功率激光镜片、F-θ扫描镜、扩束境、专业切割镜、高效反射镜的系列化生产线，可向