资讯
长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗 128层QLC准备量产(2021-09-15)
做到相当水准。
长江存储是国内唯一大规模量产了3D闪存的公司，2019 年初实现了32层3D NAND量产，其首创Xtacking技术，顺利研发出64层3DNAND，并于2019年9月量......
解密长江存储，靠啥打破全球存储垄断格局？(2022-12-30)
3DNANDFlash芯片。长江存储，由此成为全球第5家能生产3DNANDFlash芯片的厂家。
所谓3DNAND，是一种全新闪存技术。如果将闪存......
低功耗、高性能:Swissbit推出企业级固态硬盘N5200(2023-09-26)
速率高达 4200 MB/s。随机读取和写入能力分别高达 135 万 IOPS 和 45 万 IOPS。在闪存寿命方面，按标准化工作负载（JEDEC 企业工作负载）测量，N5200 在 5 年时......
低功耗、高性能：Swissbit 推出企业级固态硬盘 N5200(2023-09-27 10:28)
1.4 接口，连续数据读取速率高达 7000 MB/s，写入速率高达 4200 MB/s。随机读取和写入能力分别高达 135 万 IOPS 和 45 万 IOPS。在闪存寿命方面，按标......
低功耗、高性能：Swissbit 推出企业级固态硬盘 N5200(2023-09-26)
IOPS 和 45 万 IOPS。在闪存寿命方面，按标准化工作负载（JEDEC 企业工作负载）测量，N5200 在 5 年时间内至少可达到 1 DWPD（每日整盘写入次数）。
这款......
低 IQ技术无需牺牲系统性能即可延长电池续航力(2024-04-21)
对功率需求带来了全新且复杂的限制，不过基础功能依然不变：现今电池必须具备最长的运作时间与更长的保存寿命，且无需牺牲系统性能。 图一 : 现今电池必须具备更长的运作时间与保存寿命，并且无需牺牲系统性能。低待......
适用于工业应用超小体积功耗仅为6 µA的新型接近传感器发布(2020-01-15)
范围内具有出色的温度补偿能力，潮湿敏感度等级（MSL）达到J-STD-020标准3级，车间储存寿命为168小时。传感器符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。
器件规格表：
VCNL36821S......
东芯股份回应19nm闪存进度及3D NAND研发问题(2022-08-24)
NAND闪存研发问题，东芯股份表示，公司目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，暂不涉及3DNAND业务。
车规级芯片方面，东芯股份称，车规......
电动动力系统五大电池材料：谁更兼具性价比？(2023-06-25)
池在安全性、比能量(也称为容量)、比功率(电池的大倍率充放电的能力)、电池的高低温性能、寿命(包括使用寿命和储存寿命)以及成本 6个指标的性能。但图中没有提及充电时间，如果有合适的电源插座可用，电动......
车载MCU，又要变天了(2024-03-05)
行业对于MCU存储容量需求在增加。随着跨域融合对车规MCU算力要求的提升，汽车MCU需要的NVM存储容量越来越高，新型存储有着比闪存更高的容量提升空间。
第三，嵌入式闪存寿命越来越不适宜现有需求。在汽......
车载MCU，又要变天了(2024-03-11 09:26)
存储容量需求在增加。随着跨域融合对车规MCU算力要求的提升，汽车MCU需要的NVM存储容量越来越高，新型存储有着比闪存更高的容量提升空间。第三，嵌入式闪存寿命越来越不适宜现有需求。在汽车应用中，集成......
国家对IC产业的支持，会成就5G的弯道超车吗？(2017-01-05)
投入6000亿元的资金规模用于扶持我国IC产业发展。其中，重点扶植项目包括DRAM(内存芯片)、3DNANDFlash(3DNAND闪存)、NORFlash(NOR闪存)。
除了国家层面的投入外，国内......
球硅晶圆依然供不应求，芯片价格或再度上扬(2017-05-15)
等半导体大厂，并特别支持DRAM和3DNAND供应商，因为存储器价格飙涨，3DNAND单片产值高达5，000～6，000美元，绝对是NORFlash望尘莫及，这亦使得大陆业者受到最大影响。
由于......
为减少支出，美光1γnm DRAM推迟到2025年(2022-12-26)
元的长期投资，并为该州带来5W个工作岗位。
但是最近几个月该公司的需求急剧下降，个人电脑和智能手机的出货量均下降，因此影响了该公司的两种主要存储芯片NAND以及DRAM，前者可以在便携式闪存......
半导体设备龙头泛林宣布推出全球首个晶边沉积解决方案(2023-06-29)
半导体设备龙头泛林宣布推出全球首个晶边沉积解决方案;近日，半导体设备龙头泛林宣布，推出全球首个晶边沉积解决方案Coronus DX，旨在解决下一代逻辑芯片、3DNAND和先......
赛微电子：北京FAB3代工制造的BAW滤波器通过验证并启动试产(2022-06-13)
器进行频段抑制、带内插损、电压驻波比等性能测试及高加速温湿度应力、高低温贮存寿命、机械及跌落冲击等可靠性验证，性能、良率均达到或优于设计指标要求，与国际射频巨头厂商的同类别产品指标相当。该客......
IGBT如何进行可靠性测试？(2024-01-17)
监测的直流参数。任何氧化物缺陷都会导致早期器件故障。
典型条件：
VGE=±20V或100%额定 VGE
VCE=0（短路）
TJ=150°C或TJ最大值
持续时间：1,000小时以满足认证要求
高温储存寿命......
车规与AEC-Q的关系(2024-06-04)
最严。
AEC-Q 100测试的
关键指标以及分级标准
AEC-Q 最关键的可靠性测试项：
加速环境应力测试：偏高湿度、温度循环、功率温度循环、高温储存寿命
加速寿命模拟测试：高温工作寿命、早期......
红利结束！2018年开始DRAM价格将下崩(2017-05-10)
紧缺，主要受Flash原厂三星、东芝、美光、SK海力士等2DNAND向3DNAND转移的影响，以目前原厂3D技术投产进程而言，预计3DNAND到2017年Q2产能才能释放，在原厂没有大的变动前提下，供应......
莫大康：中国半导体不是“搅局者”(2017-07-18)
相对竞争更为激烈，一方面是DRAM继续向1x纳米进军，从缩小尺寸角度，15纳米可能是极限。三星肯定走在最前面，目前它拥有DRAM及NAND闪存产能各有40万片(12 inch WPM)。而另一方面在2D NAND......
12英寸硅片需求爆发，国内又一企业计划上市(2023-04-11)
智能等领域所需要的逻辑芯片（Logic）、闪存芯片（3DNAND&NorFlash）、动态随机存储芯片（DRAM）、图像传感器（CIS）、显示驱动芯片（DisplayDriverIC）等。
去年......
1月新品推荐：SoC、传感器、栅极驱动器、整流器(2020-01-31)
-STD-020标准3级，车间储存寿命为168小时。传感器符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。新型VCNL36821S和VCNL36826S现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为8-12周......
莫大康：中国半导体业再启航(2017-03-21)
30万片，作3DNAND闪存；并在南京再投资300亿美元，一期投100亿美元，做存储器，包括3DNAND及DRAM，月产能10万片，另外化300亿元建配套的IC国际城等。
另外紫光发展的目标，以重......
中微公司拟1.08亿元增资上海睿励 完善业务布局(2022-03-10)
芯片生产线并在进行14纳米工艺验证，在3D存储芯片产线支持64层3DNAND芯片的生产，并正在验证96层3DNAND芯片的测量性能。上海睿励应用于LED蓝宝石衬底图形检测的自动光学检测设备，也已......
TDK针对动态应用推出高稳定性的GYPRO 4300数字式MEMS陀螺仪(2023-04-03)
引线陶瓷封装，可确保较长的操作和储存寿命，满足关键应用的严格热循环要求。而且，陀螺仪还嵌入了一个带24位数字SPI接口的完全硬编码的电子设备，能快速集成到INS（惯性导航系统）、IMU（惯性......
TDK针对动态应用推出高稳定性的GYPRO4300数字式MEMS陀螺仪(2023-03-31)
高达0.5°/h/g²的优异抗振动性能，适合恶劣工况应用。陀螺仪采用微型密封的J引线陶瓷封装，可确保较长的操作和储存寿命，满足关键应用的严格热循环要求。而且，陀螺仪还嵌入了一个带24位数字SPI接口......
机电1-Wire接触封装解决方案及其安装方法(2023-11-03)
测试（+125°C，5.5 V，1000小时）
机械验证测试（X射线，尺寸，丝印，引线完整性）
储存寿命测试（+150°C，无偏压，1000小时）
温度循环测试（-55°C至+125°C，1000次循......
2023年了你还对SSD有偏见？这款固态硬盘不容错过(2023-03-21)
TiPlus5000
核心硬件方面来看,闪存颗粒作为SSD的存储介质,其直接决定着SSD性能与寿命。具有原厂闪存生产能力的品牌厂商一般使用优质原片来制作闪存颗粒,以此保障长久稳定的性能及寿命。个人用户使用场景下(文档......
分区存储助力QLC应用到嵌入式存储设备(2023-02-15)
设备垃圾回收会导致两个主要问题：一是引入写放大，导致存储设备寿命减少；二是垃圾回收的同时如果伴有主机读写，垃圾回收操作则会影响主机读写性能。
（Figure 3:垃圾回收示例）
垃圾回收原理：为腾出空闲闪存......
大陆存储三强预计量产，决战2018(2016-12-19)
大陆DRAM产业龙头。
尽管大陆布局自制3DNANDFlash雏形渐现，长江存储将与已购并飞索(Spansion)的赛普拉斯(Cypress)合作，切入32层和64层3DNAND技术，由于门槛较高，长江......
闪存芯片失效分析与测试技术研讨会-暨置富闪存芯片智能测试系统发布会成功举行(2021-09-13)
信息技术标准化技术委员会信息技术研究中心陈海主任作重要讲话
陈主任在会议中强调，存储芯片在全球半导体产业中比重达到20%，是信息技术产业中重要的组成部分，但核心技术一直被国外高度垄断。置富科技在闪存测试技术方面，对存储的寿命预测、存储......
未来1TB智能手机将搭载QLC NAND?(2024-01-18)
更多的数据，或者使用更少的单元储存更多的数据，而这可以降低生产成本。
不过，业界指出，在闪存可靠性，以及写入周期寿命方面，QLC不及TLC。
因此，一些开发QLC的存......
廉价SSD要小心：别拿4K对齐不当回事(2016-09-30)
闪存不靠谱，但笔者想说的是，你想多了。
TLC闪存越来越靠谱
众所周知，TLC闪存虽然成本相对较低，但其寿命却远不如MLC闪存，也因此让不少童鞋担心低价SSD会因TLC闪存的加盟而容易“夭折”。实际......
受美国新规影响，又一半导体设备大厂裁员(2022-12-12)
规使得泛林集团无法继续向中国大陆厂商出售可以被用于生产制造14/16nm以下节点非平面晶体管逻辑芯片、128层以上3DNAND、18nm制程以下DRAM所需的设备和技术，除非获得美国商务部的许可。
此前泛林集团首席执行官蒂莫西·阿彻......
买固态必看的四个知识点!2023开年游戏SSD选购指南(2023-02-23)
量好坏关乎SSD的寿命长短。目前多数存储厂商不具备自己生产闪存芯片的能力,往往采取第三方解决方案,虽然这是一种专业成熟的解决方案。但这些产品在兼容性优化及使用寿命、性能等方面的表现往往不如原厂产品,所以SSD品牌具有原厂闪存......
TDK针对动态应用推出高稳定性的GYPRO 4300数字式MEMS陀螺仪(2023-03-31)
于强振动工况下系统的微型且坚固的陀螺仪Tronics GYPRO4300陀螺仪采用闭环结构设计，具有高达0.5°/h/g²的优异抗振动性能，适合恶劣工况应用。陀螺仪采用微型密封的J引线陶瓷封装，可确保较长的操作和储存寿命，满足......
TDK针对动态应用推出高稳定性的GYPRO 4300数字式MEMS陀螺仪(2023-03-31)
于强振动工况下系统的微型且坚固的陀螺仪Tronics GYPRO4300陀螺仪采用闭环结构设计，具有高达0.5°/h/g²的优异抗振动性能，适合恶劣工况应用。陀螺仪采用微型密封的J引线陶瓷封装，可确保较长的操作和储存寿命，满足......
最新的NOR 闪存设备可降低物联网设备的能耗(2022-12-09)
能耗更低，以提高系统性能并延长电池寿命。
“我们继续突破闪存的界限，”Loveridge 说。“例如，对于低于 40nm 的几何尺寸，Flash 很难成本有效地嵌入到 SoC
中。为了......
长江存储最新闪存！忆恒创源发布企业级SSD：7.68TB狂飙6.8GB/s(2023-04-11)
长江存储最新闪存！忆恒创源发布企业级SSD：7.68TB狂飙6.8GB/s;
【导读】北京忆恒创源(Memblaze)正式发布了全新的企业级SSD PBlaze6 6541系列，搭载......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-05)
随着制程提升，存储密度增加，相邻存储单元格电荷干扰问题也就越严重，进而导致数据处理错误率提升以及使用寿命减少等问题。
为了突破这些瓶颈，闪存从平面走向立体，堆叠层数越来越高，闪存......
SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 4.0”(2024-05-09)
使用所导致的性能下降方面实现大幅改善，其使用寿命也提升40%
· “继HBM后，也在闪存解决方案领域引领面向的器市场”
2024年5月9日，宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）*的移动端闪存解决方案产品“ZUFS......
佰维C1008系列SSD助力数据写入密集型车载应用(2022-11-18)
3D TLC闪存颗粒，提供500GB、960GB、1.92TB、3.84TB多种容量选择，具备全盘稳定写入、擦写寿命超过3000P/E、“固件PLP+硬件PLP”双重断电保护、-20℃~70℃宽温......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-06)
堆叠技术之外，另一大扩容的有效手段是改变闪存芯片结构，从SLC、MLC、TLC、QLC到PLC，五种闪存颗粒每单元可存储的信息层层递进，容量逐步提升，不过性能、可靠性、寿命并未随之优化，需要......
SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 4.0”(2024-05-09)
使用所导致的性能下降方面实现大幅改善，其使用寿命也提升40%
· “继HBM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”
2024年5月9日，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧（On-Device......
担忧大陆DRAM崛起，三大厂商全力围堵(2016-12-26)
将决战2018年，抢当大陆DRAM产业龙头。
尽管大陆布局自制3D NANDFlash雏形渐现，长江存储将与已购并飞索（Spansion）的赛普拉斯（Cypress）合作，切入32层和64层3DNAND......
中微半导体中标华虹半导体12台刻蚀设备(2022-04-02)
及以下逻辑电路产线的重复订单；在存储电路方面，在64层及128层3DNAND产线得到广泛应用；此外，中微半导体新推出的8英寸晶圆加工CCP刻蚀设备Primo AD-RIE 200®可灵......
未来不足1.5%的数据被存储！IPFS存储架构应用正在爆发(2021-04-19)
™ DC SN840 NVMe SSD，适用于密集型工作负载应用。此外，西部数据还联合铠侠在今年2月推出了162层的第六代3D闪存技术。
据刘钢介绍，西部数据与铠侠提供了全球33%的Flash产能......
美光宣布 3D NAND 闪存年底前大量投产(2016-12-16)
市场上许多固态硬盘 （SSD） 都已经转向 3D NAND 闪存。因为，不论是性能，还是容量，或者是使用寿命，3D NAND 闪存都要比传统 2D NAND 闪存好得多。而且，厂商也会借此来降低生产成本，以提......
赛微电子：开始进行BAW滤波器商业化规模量产(2023-07-17)
体声波谐振器)通过了客户验证，经过对该批次 BAW 滤波器进行频段抑制、带内插损、电压驻波比等性能测试及高加速温湿度应力、高低温贮存寿命、机械及跌落冲击等可靠性验证，性能、良率均达到或优于设计指标要求，与国......
TDK推出两款高性能数字式MEMS加速度计以扩展TronicsAxo300系列产(2023-02-22)
振动工况下系统应用的微型和耐用的加速度计
Tronics AXO300系列产品采用闭环结构设计，具有高分辨率和优异的抗振动性能。该系列加速度计和倾角仪采用微型的密封J引线陶瓷封装，具有较长的工作和储存寿命，并确......
相关企业
池，Able 9V以及Ultralife 9V电池；锂锰软包电池CP403838、CP502537、CP224143、CP064245，用在RFID以及ETC不停车收费系统中的有源标签卡里面，以上两钟锂电池储存寿命
;江建发;;本公司批发数码闪存卡主要产品：SD-MINI-SD MS CF TF 等数码 联系方式：13148865786 15818754614 江先生 主营：闪存卡;SD卡;MS卡;MINI
;深圳瑞通晟科技有限公司;;深圳瑞通晟科技有限公司是深圳生产和销售闪存卡的专业公司电子公司，公司集研发、生产、贸易于一体，技术力量雄厚，管理科学。始终秉持着品质优秀、技术创新、诚信
;深圳市金道电子有限公司;;本公司专业手机商务电池 闪存卡 读卡器 液晶保护膜.闪存卡主要类别有TF CF SD MMC RSMMC MINISD PSP WII SDHC 座充 旅行充 直线 线充.
;深圳市爱博斯电子科技有限公司;;我公司是深圳专业闪存卡制造工厂，日产量5K--10K！是外贸公司闪存卡供货商，同时也是闪存卡专业的OEM/ODM制造商,接受来料加工。得益于工厂优势，我公
拥有先进的电池生产和检测设备，具有强大的生产保障能力。同时使产品具备了高比容，高可靠，温度范围广，密封性能好，贮存寿命长，放电电压平稳，安全等一系列优点。电池产品畅销美国、瑞士、英国、德国、日本、加拿大、印度、土尔
;宇瞻电子;;专业闪存制造商
;深圳市福田区华立源电子销售部;;华立源电子有限公司代理分销WINBOND(华邦)，HYNIX(海力士）全线接受订货。 串口式闪存: W25X05CL;W25X10CL;W25X20CL
电电池、特种电池、四大系列100多个型号，形成了品种齐全、形式多样的产品组合等。 金帆电池具有容量高、内阻低、耐漏液、温度范围广、密封性能好、贮存寿命长、放电电压平稳、安全等优点。产品
;深圳市奔池电子有限公司;;我们奔池电子公司主营ST电源IC&STM32F及8SMCU 单片机，ADI, MPS、美光闪存，华邦闪存！产品在原装原厂的质量保证前提条件下，大家